1.一种能够探测红外光和可见光的单片3D传感器，包括：
具有器件表面的半导体衬底；
在所述器件表面上形成的至少一个可见光光电二极管；
接近所述至少一个可见光光电二极管、在所述器件表面上形成的至少一个3D光电二极管；和
功能上耦合至所述至少一个3D光电二极管且被安置以便与电磁辐射相互作用的量子效率提高的红外光区域。
2.根据权利要求1所述的传感器，其中所述量子效率提高的红外光区域是位于所述器件表面的纹理化区域。
3.根据权利要求1所述的传感器，其中所述量子效率提高的红外光区域是位于和所述器件表面相对的半导体衬底的侧面上的纹理化区域。
4.根据权利要求1所述的传感器，其中所述量子效率提高的红外光区域具有利用脉冲激光形成的表面结构，该脉冲激光具有从大约1飞秒至大约500皮秒的脉冲持续时间。
5.根据权利要求4所述的传感器，其中所述表面结构具有从大约5nm至大约500μm的平均高度。
6.根据权利要求1所述的传感器，其中所述至少一个可见光光电二极管包含至少一个红光敏感的光电二极管、至少一个蓝光敏感的光电二极管、至少一个绿光敏感的光电二极管和至少一个3D光电二极管。
7.根据权利要求1所述的传感器，其中所述3D光电二极管可操作用以探测具有大于大约800nm的波长的红外光。
8.根据权利要求1所述的传感器，进一步包含光学地耦合至所述3D光电二极管且被安置以便过滤射到所述3D光电二极管上的电磁辐射的红外窄带通滤光片。
9.根据权利要求1所述的传感器，进一步包含光学地耦合至所述至少一个可见光二极管且被安置以便过滤射到所述至少一个可见光光电二极管上的红外电磁辐射的红外截止滤光片。
10.根据权利要求1所述的传感器，其中所述3D光电二极管进一步包含响应探测到来自红外光源的红外光脉冲，用于捕获由所述3D光电二极管产生的信号的电路。