1.一种应用于碳化硅高压器件的电荷调制终端，其特征在于，包括：
A.实现主器件功能的SiC衬底及外延层结构；
B.位于器件边缘，由内向外水平依次排列的用于终端保护的第一结终端扩展区、第二结终端扩展区、第三结终端扩展区…、第N结终端扩展区；
C.位于第二结终端扩展区内的第二电荷调制区，位于第三结终端扩展区内的第三电荷调制区，…，和位于第N结终端扩展区的第N电荷调制区；并且，第二区、第三区至第N区的等效电荷总量在横向上随着与主结距离的变大而逐渐变小；
D.位于结终端扩展区上方的钝化层；
所述碳化硅高压器件为以JTE为终端的SiC电力电子器件。
2.根据权利要求1所述的应用于碳化硅高压器件的电荷调制终端，其特征在于，3≤N≤7。
3.根据权利要求1所述的应用于碳化硅高压器件的电荷调制终端，其特征在于，所述电荷调制区的掺杂浓度与所述N个结终端扩展区中任意一个的掺杂浓度相等。
4.根据权利要求1所述的应用于碳化硅高压器件的电荷调制终端，其特征在于，所述碳化硅高压器件为SiC高压晶闸管、SiC高压PiN二极管、SiC高压JBS二极管、SiC高压MPS二极管、SiC高压BJT、SiC高压MOSFET、SiC高压JFET或SiC高压IGBT。
5.一种如权利要求1-4中任一项所述的应用于碳化硅高压器件的电荷调制终端的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，在碳化硅衬底上制作用于实现器件功能的主器件结构；
步骤2，在主器件边缘通过刻蚀技术形成终端台面；
步骤3，通过离子注入工艺形成所述N个结终端扩展区及分别位于第二、第三至第N结终端扩展区内的第二电荷调制区、第三电荷调制区、…、第N电荷调制区；
步骤4，对终端台面进行钝化。
6.根据权利要求5所述的应用于碳化硅高压器件的电荷调制终端的制备方法，其特征在于，步骤3所述离子注入工艺采用多次离子注入工艺，其注入次数与区域数N具有如下关系，
采用n次离子注入时，所形成N个区域中的第N区、第N-1区、……、第N-n+1区等n个区域的掺杂分别由n次注入中的某一次注入单独作用形成，第1区、第2区、……、第N-n区等N-n个区域的掺杂由n次注入中的两次或多次叠加作用形成。
7.一种包含如权利要求1-3中任一项所述电荷调制终端的碳化硅高压器件。
8.根据权利要求7所述碳化硅高压器件，其特征在于，所述碳化硅高压器件为SiC高压晶闸管、SiC高压PiN二极管、SiC高压JBS二极管、SiC高压MPS二极管、SiC高压BJT、SiC高压MOSFET、SiC高压JFET或SiC高压IGBT。