技术总结
本发明公开了一种应用于碳化硅高压器件的电荷调制终端，在终端台面上依次设置的结终端扩展区内分别设置位于第二结终端扩展区的第二电荷调制区，…，和位于第N结终端扩展区的第N电荷调制区；第二区至第N区的等效电荷总量在横向上随着与主结距离的变大而逐渐变小。该电荷调制终端能缓解JTE区边缘电场峰值过高的问题，改善JTE终端的分压效率。该结构通过多次离子注入工艺形成，工艺简单，节省成本。包含该电荷调制终端的碳化硅高压器件具有更高的耐压、更高的面积使用率以及更稳定的性能。
技术研发人员：蒲红斌;王曦
受保护的技术使用者：西安理工大学
文档号码：201610601082
技术研发日：2016.07.27
技术公布日：2016.12.07