1.一种离子注入技术控制合成后钙钛矿光学特性的方法，其特征在于：所述钙钛矿为单晶钙钛矿微结构，所述单晶钙钛矿微结构含有第一卤素离子；对所述单晶钙钛矿微结构，采用第二卤素用离子注入方法进行离子注入，将第一卤素离子进行部分取代；其中，所述第二卤素不同于第一卤素。
2.根据权利要求1所述的一种离子注入技术控制合成后钙钛矿光学特性的方法，其特征在于：所述离子注入方法为采用离子注入机注入、感应耦合等离子体刻蚀、电子回旋共振等离子体刻蚀或螺旋波等离子体刻蚀中的至少一种进行离子注入。
3.根据权利要求2所述的一种离子注入技术控制合成后钙钛矿光学特性的方法，其特征在于：其包括将所述单晶钙钛矿微结构放到感应耦合等离子体装置中，用第二卤素气体对单晶钙钛矿微结构进行离子蚀刻。
4.根据权利要求3所述的一种离子注入技术控制合成后钙钛矿光学特性的方法，其特征在于：所述第一卤素为溴，所述第二卤素为氯或/和碘。
5.根据权利要求4所述的一种离子注入技术控制合成后钙钛矿光学特性的方法，其特征在于：所述单晶钙钛矿微结构为CH3NH3PbBr3微米块，所述氯气的压力为5到10毫托，所述感应耦合等离子体的功率不超过400W，刻蚀时间不超过60s。
6.根据权利要求5所述的一种离子注入技术控制合成后钙钛矿光学特性的方法，其特征在于：所述氯气的压力为5毫托，感应耦合等离子体的功率为400W。
7.根据权利要求1~6任意一项所述的一种离子注入技术控制合成后钙钛矿光学特性的方法，其特征在于：对所述单晶钙钛矿微结构进行离子注入前，先对所述单晶钙钛矿微结构的指定区域涂覆抗蚀剂，并采用电子束进行曝光或进行维纳工艺处理，其中，所述单晶钙钛矿微结构的指定区域为不进行离子注入的单晶钙钛矿微结构表面。
8.根据权利要求7所述的一种离子注入技术控制合成后钙钛矿光学特性的方法，其特征在于：所述维纳工艺为光刻、激光直写或纳米压印。
9.根据权利要求7所述的一种离子注入技术控制合成后钙钛矿光学特性的方法，其特征在于：所述抗蚀剂为PMMA。