技术总结
公开一种发光二极管芯片，其包括分布式布拉格反射器DBR，所述DBR设置在发光结构的一侧以反射从发光结构发射的光。DBR包括具有高折射率的第一材料层和具有低折射率的第二材料层，第一和第二材料层交替地堆叠在彼此上。关于可见光范围的中心波长，DBR包括：第一区域，其中交替地设有光学厚度大于0.25λ+10％的第一材料层的第一组和光学厚度大于0.25λ‑10％且小于0.25λ+10％的第一材料层的第二组；第二区域，包括光学厚度小于0.25λ‑10％且连续布置的第一材料层的第三组；第三区域，设置在第一区域和第二区域之间且包括光学厚度小于0.25λ‑10％的第一材料层和光学厚度大于0.25λ的第一材料层。
技术研发人员：金艺瑟;禹尙沅;金京完
受保护的技术使用者：首尔伟傲世有限公司
文档号码：201610670509
技术研发日：2016.08.15
技术公布日：2017.05.03