具有布拉格反射层位于窗户层之间的发光元件的制作方法
【专利摘要】本发明公开一种具有布拉格反射层位于窗户层之间的发光元件，其包含一基板；一发光叠层，位于基板之上；一第一窗户层，位于基板之下；以及一布拉格反射层，位于第一窗户层之下；其中以剖面观之，第一窗户层的宽度与基板的宽度大致相等。
【专利说明】具有布拉格反射层位于窗户层之间的发光元件
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种发光元件，特别是涉及一种具有布拉格反射层(DistributedBragg Reflector ；DBR)位于窗户层之间的发光元件。
【背景技术】
[0002]发光二极管(Light-emitting Diode ;LED)是一种固态半导体元件,其至少包含一p-n接面(p-n junction)形成于P型与η型半导体层之间。当于LED施加一定程度的偏压时，出自P型半导体层中的空穴与出自η型半导体层中的电子会结合而释放出光。此光产生的区域一般又称为发光区(light-emitting region)或主动层。
[0003]LED的主要特征在于尺寸小、可靠度高、发光效率高、寿命长、反应快速和色度良好，目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。随着全彩LED的问世，LED已逐渐取代传统的照明设备，如荧光灯和白热灯泡。
[0004]如图2所不,一现有发光装置2包含一基板20 ；一发光结构22位于基板20之上；一第一电极24与一第二电极26位于发光结构22之上；以及一布拉格反射层(DistributedBragg Reflector ；DBR) 28位于基板20之下，其中布拉格反射层28具有次层282与284交互堆叠。产生自发光结构22之光会被布拉格反射层28反射。然而有些光会被局限在布拉格反射层28的次层282与284之中，在数次内部全反射之后转变为热能。此外，基板20的侧面太小而导致被布拉格反射层28反射之光无法被摘出，因此降低现有发光元件2的光摘出效率。
【发明内容】
[0005]为解决上述问题，本发明提供一发光兀件，包含一基板；一发光叠层，位于基板之上；一第一窗户层，位于基板之下；以及一布拉格反射层，位于第一窗户层之下；其中以剖面观之，第一窗户层的宽度与基板的宽度大致相等。
【专利附图】
【附图说明】
[0006]图1绘示本申请案一实施例的发光元件的剖视图；
[0007]图2绘示现有的发光元件的剖视图；
[0008]图3绘示本申请案另一实施例的灯泡分解示意图。
[0009]符号说明
[0010]1,2,30发光元件
[0011]10、20 基板
[0012]12,22发光叠层
[0013]122第一半导体层
[0014]124主动层
[0015]126第二半导体层[0016]14、24 第一电极
[0017]16,26 第二电极
[0018]18光摘出结构 [0019]182第一窗户层
[0020]184、28布拉格反射层
[0021]186第二窗户层
[0022]282、284 次层
[0023]3 灯泡
[0024]31 灯罩
[0025]32 透镜
[0026]33 载体
[0027]34照明模块
[0028]35 灯座
[0029]36散热槽
[0030]37连结部
[0031]38 电连结器
【具体实施方式】
[0032]本发明的实施例会被详细地描述，并且绘制于附图中，相同或类似的部分会以相同的号码在各附图以及说明出现。
[0033]图1绘不一发光兀件I具有一基板10 ;—发光叠层12形成于基板10之上；以及一光摘出结构18形成于基板10之下。发光叠层12具有一第一半导体层122 ;—第二半导体层126 ;以及一主动层124位于第一半导体层122与第二半导体层126之间。此外,一第一电极14形成于第一半导体层122之上,一第二电极16形成于第二半导体层126之上。
[0034]光摘出结构18具有一第一窗户层182位于基板10之下；一第二窗户层186位于第一窗户层182之下，以及一布拉格反射层184位于第一窗户层182与第二窗户层186之间，其中布拉格反射层184具有多个次层。如图1所不，第一窗户层182与第二窗户层186中至少其一可提升光摘出效率，以及以剖面观之，具有与基板10大致相等的宽度。然而另一实施例中，自剖面观之，第一窗户层182也可具有大于或小于第二窗户层186的宽度，用以调整发光元件I的光场以符合产品应用。布拉格反射层184可反射产生自发光叠层12之光。基本上布拉格反射层184具有数个具有不同折射率的材料对，其中折射率的差异至少为0.5,较佳至少为I。
[0035]表1
[0036]
【权利要求】
1.一种发光元件,包含: 基板； 发光叠层，位于该基板之上； 第一窗户层，位于该基板之下；以及 布拉格反射层，位于该第一窗户层之下； 其中以剖面观之，该第一窗户层的宽度大致与该基板的宽度相等。
2.如权利要求1所述的发光兀件，其中该第一窗户层的厚度介于450纳米与550纳米。
3.如权利要求1所述的发光兀件，其中该第一窗户层相对于该布拉格反射层的厚度比值介于0.3与1.1。
4.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一窗户层的厚度以关系式d=mU/4n)表示，其中d是厚度，λ是被布拉格反射结构反射之光的波长，η是该第一窗户层的折射率，m是介于3与7。
5.如权利要求1所述的发光元件，其中该布拉格反射层包含一具有不同折射率的材料对，其中该材料对的折射率之差至少是0.5。
6.如权利要求1所述的发光元件，其中该布拉格反射层包含一具有不同折射率的材料对，其中该材料对的折射率之差至少是I。
7.如权利要求1所述的发光兀件，还包含一第二窗户层，位于该布拉格反射层之下。
8.如权利要求7所述的发光元件，其中该第二窗户层的厚度是介于450纳米与550纳米。
9.如权利要求7所述的发光元件，其中该第二窗户层相对于该布拉格反射层的厚度比值是介于0.3与1.1。
10.如权利要求7所述的发光元件，该第二窗户层的厚度是以关系式d=mU/4n)表示，其中d是厚度，λ是被布拉格反射结构反射之光的波长，η是该第一窗户层的折射率，m是介于3与7。
【文档编号】H01L33/46GK103545414SQ201310294349
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2013年7月12日 优先权日:2012年7月13日
【发明者】邱柏顺, 郭得山, 涂均祥, 柯竣腾 申请人:晶元光电股份有限公司