技术总结
本发明公开了一种低漏磁空心电抗器,包含上电抗器和下电抗器，上电抗器设置在下电抗器的上侧，上电抗器上设置有上铜排，下电抗器上设置有下铜排；所述下电抗器的线圈外侧设置有一圈导磁层，下电抗器的线圈的放置方向与导磁层垂直，上电抗器的线圈方向与下电抗器的线圈方向垂直；本发明的低漏磁空心电抗器,由上下两个电抗器形成组合结构，并在下电抗器的外围设置一圈导磁层，导磁层采用高导磁硅钢片，减小空心电感对外的漏磁，降低周边磁敏感元器件的损伤，使空心电感感量增大，体积变小，又能保留空心电抗器不饱和特点。
技术研发人员：易志欣;俞志刚;杨瑞
受保护的技术使用者：苏州腾冉电气设备股份有限公司
文档号码：201610753047
技术研发日：2016.08.29
技术公布日：2016.12.21