封装结构及其制作方法与流程

文档序号:14304237阅读:156来源:国知局
封装结构及其制作方法与流程

本发明是有关于一种封装结构及其制作方法,且特别是有关于一种具有散热功能的封装结构及其制作方法。



背景技术:

随着科技产业日益发达,电子产品内的电子元件也朝着高效能、高速度及多功能发展前进。然而,这些电子元件在运行时会产生大量热能,因此如何将散热模块设计整合于电子装置中,以达到降低电子元件所产生的工作热能已成为亟待解决的问题之一。

现有的封装结构是将压电材料贴附于金属遮蔽盖的内侧,而金属遮蔽盖则是架设在封装载板上而与封装载板定义出一容置腔体,电子元件是设置在封装载板的最外侧表面上且位于容置腔体中。通过压电材料本身的反复伸展及收缩来改变容置腔体的体积,以达到降低电子元件所产生的工作热能。然而,贴附有压电材料的金属遮蔽盖是架设在封装载板上,因此使得整体的封装结构的体积与厚度无法减少,因而无法满足现今对产品薄型化的需求。此外,电子元件都是以主动表面朝向压电材料(同一方向)的方式设置于封装载板上,如此一来,电子元件之间容易产生电磁波干扰,进而影响电子元件的运作品质。



技术实现要素:

本发明提供一种封装结构,其相邻的两电子元件的主动表面分别朝向相反方向,且压电散热单元是配置与增层线路结构的开口内,可有效解决现有的电子元件之间产生电磁波干扰的问题,且可具有较薄的封装厚度与体积,符合现今对产品薄型化的需求。

本发明还提供一种封装结构的制作方法,用以制作上述的封装结构。

本发明的封装结构,其包括一电路基板、一第一增层线路结构、一第二增层线路结构以及多个压电散热单元。电路基板包括一核心层、多个电子元件以及一导通单元。核心层具有彼此相对的一第一表面与一第二表面。电子元件内埋于核心层内,其中每一电子元件具有彼此相对的一主动表面与一背表面,且相邻的两电子元件的主动表面分别朝向核心层的第一表面与第二表面。导通单元配置于核心层的第一表面与第二表面上,且延伸至电子元件并与电子元件电性连接。第一增层线路结构配置于核心层的第一表面上,且具有至少一第一开口。第二增层线路结构配置于核心层的第二表面上,且具有至少一第二开口,其中第一开口与第二开口暴露出部分导通单元。压电散热单元配置于第一开口与第二开口所暴露出的导通单元上,且分别对应电子元件的主动表面,其中压电散热单元电性连接第一开口与第二开口所暴露出的导通单元。

在本发明的一实施例中,上述的核心层包括一介电层以及一绝缘层。介电层具有彼此相对的一上表面与一下表面以及多个开孔。电子元件分别配置于开孔内。绝缘层覆盖介电层的上表面与下表面且填充于开孔内以包覆电子元件。

在本发明的一实施例中,上述的导通单元包括:多个导通孔、多个第一接垫、多个第二接垫以及多个第三接垫。导通孔由核心层的第一表面与第二表面延伸至电子元件且与电子元件电性连接。第一接垫配置于核心层的第一表面与第二表面上,其中第一接垫通过导通孔的一部分电性连接至电子元件的主动表面。第二接垫配置于核心层的第一表面与第二表面上且环绕第一接垫。第三接垫配置于核心层的第一表面与第二表面上,其中第三接垫通过导通孔的另一部分电性连接至电子元件的背表面。

在本发明的一实施例中,上述的第一开口与第二开口暴露出第一接垫与第二接垫,而压电散热单元电性连接至第一接垫。

在本发明的一实施例中,上述的每一压电散热单元包括一弹性片、一压电块、一第一粘着层、一缓冲层、一第二粘着层以及二电极导线。压电块配置于弹性片上。第一粘着层配置于压电块上。缓冲层配置于第一粘着层上。第二粘着层配置于缓冲层上。电极导线内埋于第二粘着层、缓冲层与第一粘着层内,其中每一电极导线具有彼此相对的一第一端与一第二端,第一端内埋于第二粘着层相对远离缓冲层的一表面上且直接接触第一接垫其中之一,而第二端直接接触压电块。

在本发明的一实施例中,上述的第一增层线路结构包括一第一介电层以及多个第一导电通孔。第一导电通孔贯穿第一介电层且延伸配置于第一介电层的一顶表面上。第一导电通孔至少电性连接至第三接垫。

在本发明的一实施例中,上述的第二增层线路结构包括一第二介电层以及多个第二导电通孔。第二导电通孔贯穿第二介电层且延伸配置于第二介电层的一底表面上。第二导电通孔至少电性连接至第三接垫。

在本发明的一实施例中,上述的电路基板还包括:多个导电柱,贯穿核心层且延伸配置于核心层的第一表面与第二表面上。

在本发明的一实施例中,上述的封装结构还包括:一第三增层线路结构以及一第四增层线路结构。第三增层线路结构覆盖第一增层线路结构,且具有多个第一散热孔,其中第一散热孔对应第一开口设置。第四增层线路结构覆盖第二增层线路结构,且具有多个第二散热孔,其中第二散热孔对应第二开口设置。

在本发明的一实施例中,上述的第四增层线路结构包括一增层介电层以及多个增层导电通孔。增层介电层覆盖第二增层线路结构,增层导电通孔贯穿增层介电层且延伸配置于增层介电层的一外表面上,增层导电通孔至少电性连接至第二导电通孔。

本发明的封装结构的制作方法,其包括以下步骤。提供一电路基板,电路基板包括一核心层、多个电子元件以及一导通单元。核心层具有彼此相对的一第一表面与一第二表面。电子元件内埋于核心层内,其中每一电子元件具有彼此相对的一主动表面与一背表面,且相邻的两电子元件的主动表面分别朝向核心层的第一表面与第二表面。导通单元配置于核心层的第一表面与第二表面上,且延伸至电子元件并与电子元件电性连接。分别形成一第一增层线路结构与一第二增层线路结构于核心层的第一表面与第二表面上,其中第一增层线路结构与第二增层线路结构分别已形成有至少一第一开口以及至少一第二开口,第一开口与第二开口分别暴露出部分导通单元。配置多个压电散热单元于第一开口与第二开口所暴露出的导通单元上,其中压电散热单元分别对应电子元件的主动表面,且压电散热单元电性连接第一开口及第二开口所暴露出的导通单元。

在本发明的一实施例中,上述的提供电路基板的步骤,包括:提供一介电层,介电层具有彼此相对的一上表面与一下表面以及多个开孔。配置电子元件于介电层的开孔内。形成一绝缘层于介电层上,绝缘层覆盖介电层的上表面与下表面且填充于开孔内以包覆电子元件。形成多个由核心层的第一表面与第二表面延伸至电子元件的导通孔,导通孔与电子元件电性连接。形成多个第一接垫于核心层的第一表面与第二表面上,其中第一接垫通过导通孔的一部分电性连接至电子元件的主动表面。形成多个第二接垫于核心层的第一表面与第二表面上且环绕第一接垫。形成多个第三接垫于核心层的第一表面与第二表面上,其中第三接垫通过导通孔的另一部分电性连接至电子元件的背表面,而导通孔、第一接垫、第二接垫以及第三接垫定义出导通单元。

在本发明的一实施例中,上述的封装结构的制作方法,还包括:于形成第一增层线路结构与第二增层线路结构于核心层的第一表面与第二表面上之前,贴附多个离形膜于第一接垫与第二接垫上。在形成第一增层线路结构与第二增层线路结构的第一开口与第二开口之后,移除离形膜而暴露出第一接垫与第二接垫。

在本发明的一实施例中,上述的第一增层线路结构包括一第一介电层以及多个第一导电通孔。第一导电通孔贯穿第一介电层且延伸配置于第一介电层的一顶表面上。第一导电通孔至少电性连接至第三接垫。

在本发明的一实施例中,上述的第二增层线路结构包括一第二介电层以及多个第二导电通孔。第二导电通孔贯穿第二介电层且延伸配置于第二介电层的一底表面上。第二导电通孔至少电性连接至第三接垫。

在本发明的一实施例中,上述的每一压电散热单元包括一弹性片、一压电块、一第一粘着层、一缓冲层、一第二粘着层以及二电极导线。压电块配置于弹性片上。第一粘着层配置于压电块上。缓冲层配置于第一粘着层上。第二粘着层配置于缓冲层上。电极导线内埋于第二粘着层、缓冲层与第一粘着层内,其中每一电极导线具有彼此相对的一第一端与一第二端,第一端内埋于第二粘着层相对远离缓冲层的一表面上且直接接触第一接垫其中之一,而第二端直接接触压电块。

在本发明的一实施例中,上述的提供电路基板的步骤,还包括:形成多个贯穿核心层且延伸配置于核心层的第一表面与第二表面上的导电柱。

在本发明的一实施例中,上述的于配置压电散热单元于第一开口与第二开口所暴露出的导通单元上之后,还包括:形成一第三增层线路结构于第一增层线路结构上,第三增层线路结构覆盖第一增层线路结构且具有多个第一散热孔,其中第一散热孔对应第一开口设置。形成一第四增层线路结构于第二增层线路结构上,第四增层线路结构覆盖第二增层线路结构且具有多个第二散热孔,其中第二散热孔对应第二开口设置。

在本发明的一实施例中,上述的第四增层线路结构包括一增层介电层以及多个增层导电通孔。增层介电层覆盖第二增层线路结构,增层导电通孔贯穿增层介电层且延伸配置于增层介电层的一外表面上,增层导电通孔至少电性连接至第二导电通孔。

在本发明的一实施例中,上述于形成第四增层线路结构之后,还包括:形成多个焊球于延伸配置于增层介电层的外表面上的导电通孔上。

基于上述,在本发明的封装结构的设计中,电子元件是内埋于核心层内,且相邻的两电子元件的主动表面分别朝向相反方向,而压电散热单元是配置于增层线路结构的开口中且对应电子元件的主动表面。相较于现有的是将电子元件设置在封装载板的最外侧表面上,且通过贴附于金属遮蔽盖上的压电材料来改变容置腔体的体积而进行散热的封装结构而言,本发明的封装结构除了可避免电子元件之间的电磁波干扰之外,也可具有较薄的封装厚度与体积,以符合薄型化的需求。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1示出本发明的一实施例的一种封装结构的剖面示意图。

图2示出本发明的另一实施例的一种封装结构的剖面示意图。

图3a至图3h示出本发明的一实施例的一种封装结构的制作方法的剖面示意图。

图3i与图3j示出本发明的另一实施例的一种封装结构的制作方法的局部步骤的剖面示意图。

图3k示出本发明的另一实施例的一种封装结构的剖面示意图。

图4a示出图3g中的区域a的俯视示意图。

图4b示出图3j中的区域b的俯视示意图。

附图标号说明:

10a、10b、10c:封装结构;

100:电路基板;

110:核心层;

112:第一表面;

114:第二表面;

116:介电层;

116a:上表面;

116b:下表面;

116c:开孔;

118:绝缘层;

120a、120b、120c:电子元件;

122a、122b、122c:主动表面;

124a、124b、124c:背表面;

130:导通单元;

132:导通孔;

134:第一接垫;

136:第二接垫;

138:第三接垫;

140:导电柱;

200:第一增层线路结构;

210:第一开口;

220:第一介电层;

222:顶表面;

225:第一导电层;

230:第一导电通孔;

300:第二增层线路结构;

310:第二开口;

320:第二介电层;

322:底表面;

325:第二导电层;

330:第二导电通孔;

400:压电散热单元;

410:弹性片;

420:压电块;

430:第一粘着层;

440:缓冲层;

450:第二粘着层;

452:表面;

460:电极导线;

462:第一端;

464:第二端;

500:第三增层线路结构;

510:第一散热孔;

520:增层保护层;

525:增层导电层;

600:第四增层线路结构;

610:第二散热孔;

620:增层介电层;

625:增层导电层;

622:外表面;

630:增层导电通孔;

700:离形膜;

800:焊球。

具体实施方式

图1示出本发明的一实施例的一种封装结构的剖面示意图。请参考图1,在本实施例中,封装结构10a包括一电路基板100、一第一增层线路结构200、一第二增层线路结构300以及多个压电散热单元400。电路基板100包括一核心层110、多个电子元件(图1中示意地示出三个电子元件120a、120b、120c)以及一导通单元130。核心层110具有彼此相对的一第一表面112与一第二表面114。电子元件120a、120b、120c内埋于核心层110内,其中每一电子元件120a(或120b、120c)具有彼此相对的一主动表面122a(或122b、122c)与一背表面124a(或124b、124c),且相邻的两电子元件120a、120b(或120a、120c)的主动表面122a、122b(或122a、122c)分别朝向核心层110的第一表面112与第二表面114。导通单元130配置于核心层110的第一表面112与第二表面114上,且延伸至电子元件120a、120b、120c并与电子元件120a、120b、120c电性连接。

第一增层线路结构200配置于核心层110的第一表面112上,且具有至少一第一开口210。第二增层线路结构300配置于核心层110的第二表面114上,且具有至少一第二开口310,其中第一开口210与第二开口310暴露出部分导通单元130。压电散热单元400配置于第一开口210与第二开口310所暴露出的导通单元130上,且分别对应电子元件120a、120b、120c的主动表面122a、122b、122c,其中压电散热单元400电性连接第一开口210与第二开口310所暴露出的导通单元130。

详细来说,本实施例的电路基板100的核心层110包括一介电层116以及一绝缘层118。介电层116具有彼此相对的一上表面116a与一下表面116b以及多个开孔116c。电子元件120a、120b、120c分别配置于开孔116c内。绝缘层118覆盖介电层116的上表面116a与下表面116b且填充于开孔116c内以包覆电子元件120a、120b、120c。此处,电子元件120a、120b、120c可例如是一射频元件、一主动元件、一被动元件、一存储器或一电子连接器,于此并不加以限制。

在本实施例中,由于相邻的两电子元件120a、120b(或120a、120c)的主动表面122a、122b(或122a、122c)是分别朝向核心层110的第一表面112与第二表面114(即相反方向)。因此,电子元件120a、120b、120c可以独立作业,且可以避免电子元件之间的电磁波干扰,具有较佳的工作效能。

请再参考图1,本实施例的导通单元130具体化包括多个导通孔132、多个第一接垫134、多个第二接垫136以及多个第三接垫138。导通孔132由核心层110的第一表面112与第二表面114延伸至电子元件120a、120b、120c且与电子元件120a、120b、120c电性连接。第一接垫134配置于核心层110的第一表面112与第二表面114上,其中第一接垫134通过导通孔132的一部分电性连接至电子元件120a、120b、120c的主动表面122a、122b、122c。第二接垫136配置于核心层110的第一表面112与第二表面114上且环绕第一接垫134。第三接垫138配置于核心层110的第一表面112与第二表面114上,其中第三接垫138通过导通孔132的另一部分电性连接至电子元件120a、120b、120c的背表面124a、124b、124c。此外,本实施例的电路基板100还包括多个导电柱140,贯穿核心层110且延伸配置于核心层110的第一表面112与第二表面114上。

再者,如图1所示,本实施例的第一增层线路结构200包括一第一介电层220以及多个第一导电通孔230。第一导电通孔230贯穿第一介电层220且延伸配置于第一介电层220的一顶表面222上。第一导电通孔230至少电性连接至第三接垫138。而,第二增层线路结构300包括一第二介电层320以及多个第二导电通孔330。第二导电通孔330贯穿第二介电层320且延伸配置于第二介电层320的一底表面322上。第二导电通孔330至少电性连接至第三接垫138。此处,第一导电通孔230与第二导电通孔330都是电性连接至第三接垫138与导电柱140。特别是,第一增层线路结构200与第二增层线路结构300的第一开口210与第二开口310会暴露出第一接垫134与第二接垫136,而压电散热单元400会电性连接至第一接垫134。

具体来说,本实施例的每一压电散热单元400包括一弹性片410、一压电块420、一第一粘着层430、一缓冲层440、一第二粘着层450以及二电极导线460。弹性片410的材质例如是金属或塑胶或其他弹性材料,于此并不加以限制。压电块420配置于弹性片410上,其中弹性片410可通过贴附的方式与压电块420直接连接。压电块420具有耗电量少、无噪声、体积小、反应快、发热少、精密度佳、转换效率高和控制容易等优点。利用压电块420的逆压电效应(电能转机械能)使其自身产生反复伸展与收缩的形变,使配置于压电块420上的弹性片410可产生上下摆动,而有效地把电子元件120a、120b、120c运作时所产生的热能直接排出。第一粘着层430配置于压电块420上,而缓冲层440配置于第一粘着层430上,且第二粘着层450配置于缓冲层440上。缓冲层440的设置目的是为了要吸收压力,而第一粘着层430与第二粘着层450的设置目的在于要将缓冲层440固定于压电块420上。电极导线460内埋于第二粘着层450、缓冲层440与第一粘着层430内,其中每一电极导线460具有彼此相对的一第一端462与一第二端464,第一端462内埋于第二粘着层450相对远离缓冲层440的一表面452上且直接接触第一接垫134其中之一,而第二端464直接接触压电块420。

由于本实施例相邻的两电子元件120a、120b(或120a、120c)的主动表面122a、122b(或122a、122c)是分别朝向核心层110的第一表面112与第二表面114(即相反方向),而压电散热单元400是位于第一增层线路结构200与第二增层线路结构300的第一开口210与第二开口310内且对应电子元件120a、120b、120c的主动表面122a、122b、122c。因此,可改善电子元件120a、120b、120c与压电散热单元400在配置的过程中应力分布的均匀性,可提升封装结构10a的良率与可靠度。此外,相较于现有的是将电子元件设置在封装载板的最外侧表面上,且通过贴附于金属遮蔽盖上的压电材料来改变容置腔体的体积而进行散热的封装结构而言,本实施例的封装结构10a可具有较薄的封装厚度与体积,以符合薄型化的需求。

在此必须说明的是,下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容,其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件,并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例,下述实施例不再重复赘述。

图2示出本发明的另一实施例的一种封装结构的剖面示意图。请先参考图2,本实施例的封装结构10a与图1的封装结构10b相似,二者主要差异之处在于:本实施例的封装结构10b还包括一第三增层线路结构500以及一第四增层线路结构600。第三增层线路结构500覆盖第一增层线路结构200且具有多个第一散热孔510,其中第一散热孔510对应第一开口210设置。第四增层线路结构600覆盖第二增层线路结构300,且具有多个第二散热孔610,其中第二散热孔610对应第二开口310设置。

具体来说,本实施例的第三增层线路结构500包括一增层保护层520,覆盖第一增层线路结构200的第一介电层220、第一导电通孔230以及位于电子元件120a上方的压电散热单元400,可有效保护压电散热单元400。第三增层线路结构500的第一散热孔510对应第一增层线路结构200的第一开口210设置,可使电子元件120a、120b、120c所产生的热能从第一散热孔510排出于封装结构10b外。而,第四增层线路结构600包括一增层介电层620以及多个增层导电通孔630。增层介电层620覆盖第二增层线路结构300的第二介电层320、第二导电通孔330以及位于电子元件120b、120c下方的压电散热单元400,可有效保护压电散热单元400。增层导电通孔630贯穿增层介电层620且延伸配置于增层介电层620的一外表面622上,增层导电通孔630至少电性连接至第二导电通孔330。

简言之,本实施例的封装结构10b设置第三增层线路结构500第四增层线路结构600最主要的目的,是为了要保护设置于第一增层线路结构200与第二增层线路结构300的第一开口210与第二开口310内的压电散热单元400。

以下将以二实施例来分别说明的封装结构10a、10b的制作方法,并配合图3a至图3j以及图4a与图4b对封装结构10a、10b的制作方法进行详细的说明。

图3i与图3j示出本发明的另一实施例的一种封装结构的制作方法的局部步骤的剖面示意图。图4a示出图3g中的区域a的俯视示意图。图4b示出图3j中的区域b的俯视示意图。请先参考图3c,依照本实施例的封装结构10a的制作方法,首先,提供电路基板100,其中电路基板100包括核心层110、电子元件120a、120b、120c以及导通单元130。核心层110具有彼此相对的第一表面112与第二表面114。电子元件120a、120b、120c内埋于核心层110内,其中电子元件120a、120b、120c具有彼此相对的主动表面122a、122b、122c与背表面124a、124b、124c,且相邻的两电子元件120a、120b(或120a、120c)的主动表面122a、122b(或122a、122c)分别朝向核心层110的第一表面112与第二表面114。导通单元130配置于核心层110的第一表面112与第二表面114上,且延伸至电子元件120a、120b、120c并与电子元件120a、120b、120c电性连接。

具体来说,提供电路基板100的步骤,包括:请参考图3a,提供介电层116,其中介电层116具有彼此相对的上表面116a与下表面116b以及开孔116c。此处,介电层116的材质例如是聚丙烯(pp),但并不以此为限。

接着,请参考图3b,配置电子元件120a、120b、120c于介电层116的开孔116c内,其中电子元件120a、120b、120c可例如是一射频元件、一主动元件、一被动元件、一存储器或一电子连接器,于此并不加以限制。接着,形成绝缘层118于介电层116上,其中绝缘层118覆盖介电层116的上表面116a与下表面116b且填充于开孔116c内以包覆电子元件120a、120b、120c。此处,绝缘层118的材质例如是abf(ajinomotobuild-upfilm,含有玻璃颗粒的环氧树脂),但并不以此为限。

接着,请参考图3c,形成由核心层110的第一表面112与第二表面114延伸至电子元件120a、120b、120c的导通孔132,导通孔132与电子元件120a、120b、120c电性连接。形成第一接垫134于核心层110的第一表面112与第二表面114上,其中第一接垫134通过导通孔132的一部分电性连接至电子元件120a、120b、120c的主动表面122a、122b、122c。形成第二接垫136于核心层110的第一表面112与第二表面114上且环绕第一接垫134。形成第三接垫138于核心层110的第一表面112与第二表面114上,其中第三接垫138通过导通孔132的另一部分电性连接至电子元件120a、120b、120c的背表面124a、124b、124c,而导通孔132、第一接垫134、第二接垫136以及第三接垫138定义出导通单元130。上述形成导通孔132、第一接垫134、第二接垫136以及第三接垫138的方法包括电钻、电镀以及微影蚀刻程序。此外,形成贯穿核心层110且延伸配置于核心层110的第一表面112与第二表面114上的导电柱140。

接着,请参考图3d,贴附多个离形膜700于第一接垫134与第二接垫136上。此处,贴附离形膜700的目的在于定位后续压电散热单元400(请参考图3h)的位置。

接着,请先参考图3g,分别形成第一增层线路结构200与第二增层线路结构300于核心层110的第一表面112与第二表面114上,其中第一增层线路结构200与第二增层线路结构300分别已形成有第一开口210以及第二开口310,第一开口210与第二开口310分别暴露出部分导通单元130。

详细来说,请参考图3e,形成第一增层线路结构200与第二增层线路结构300的步骤包括,压合第一介电层220以及位于第一介电层220上的第一导电层225于核心层110的第一表面112上,以及压合第二介电层320以及位于第二介电层320上的第二导电层325于核心层110的第二表面114上。第一介电层220与第二介电层320覆盖电路基板100以及离形膜700。

接着,请参考图3f,通过电钻、电镀以及微影蚀刻程序,而形成第一导电通孔230与第二导电通孔330。第一导电通孔230贯穿第一介电层220且延伸配置于第一介电层220的顶表面222上,其中第一导电通孔230至少电性连接至第三接垫138。第二导电通孔330贯穿第二介电层320且延伸配置于第二介电层320的底表面322上,其中第二导电通孔330至少电性连接至第三接垫138。此处,第一导电通孔230与第二导电通孔330是电性连接至第三接垫138与导电柱140。

之后,请参考图3g,通过激光钻孔的方式,在第一增层线路结构200与第二增层线路结构300上分别形成第一开口210与第二开口310,已暴露出离形膜700。接着,以剥离的方式,移除离形膜700而暴露出第一接垫134与第二接垫136。请参考图4a,第一接垫134具体化为承载后续压电散热单元400(请参考图3h)及信号输入的位置,而第二接垫136具体化为一激光阻挡层。

最后,请参考图3h,配置压电散热单元400于第一开口210与第二开口310所暴露出的导通单元130上,其中压电散热单元400分别对应电子元件120a、120b、120c的主动表面122a、122b、122c,且压电散热单元400电性连接第一开口210及第二开口310所暴露出的导通单元130。此处,压电散热单元400包括弹性片410、压电块420、第一粘着层430、缓冲层440、第二粘着层450以及二电极导线460。压电块420配置于弹性片410上,第一粘着层430配置于压电块420上。缓冲层440配置于第一粘着层430上,而第二粘着450层配置于缓冲层440上。电极导线460内埋于第二粘着层450、缓冲层440与第一粘着层430内,其中每一电极导线460具有彼此相对的第一端462与第二端464,第一端462内埋于第二粘着层450相对远离缓冲层440的表面452上且直接接触第一接垫134,而第二端464直接接触压电块420。至此,已完成封装结构10a的制作。

在另一封装结构10b的制作,请接着先参考图3j,形成第三增层线路结构500于第一增层线路结构200上,以及形成第四增层线路结构600于第二增层线路结构300上。第三增层线路结构500覆盖第一增层线路结构200且具有第一散热孔510,其中第一散热孔510对应第一开口210设置。第四增层线路结构600覆盖第二增层线路结构300且具有第二散热孔610,其中第二散热孔610对应第二开口310设置。

请参考图3i,形成第三增层线路结构500与第四增层线路结构600的步骤包括:首先,压合增层保护层520以及位于增层保护层520上的增层导电层525于第一增层线路结构200上,以及压合增层介电层620以及位于增层介电层620上的增层导电层625于第二增层线路结构300上。增层保护层520覆盖第一增层线路结构200的第一介电层220、第一第一导电通孔230以及位于电子元件120a上方的压电散热单元400。增层介电层620覆盖第二增层线路结构300的第二介电层320、第二导电通孔330以及位于电子元件120b、120c上方的压电散热单元400。

之后,请参考图3j,通过电钻、电镀以及微影蚀刻程序,而形成增层导电通孔630,其中增层导电通孔630贯穿增层介电层620且延伸配置于增层介电层620的外表面622上,而增层导电通孔630至少电性连接至第二导电通孔320。最后,通过激光钻孔的方式,在第三增层线路结构500与第四增层线路结构600的增层保护层520与增层介电层620形成第一散热孔510与第二散热孔610,以使电子元件120a、120b、120c所产生的热能可通过第一散热孔510与第二散热孔610而排出第一开口210与第二开口310之外。至此,已完成封装结构10b的制作。

为了要扩大本实施例的封装结构10b的应用范围,可于图3j的步骤之后,请参考图3k,形成多个焊球800于延伸配置于增层介电层620的外表面622上的导电通孔630上,而完成封装结构10c的制作。封装结构10c可通过焊球800与一外部电路(未示出)电性连接。

综上所述,在本发明的封装结构的设计中,电子元件是内埋于核心层内,且相邻的两电子元件的主动表面分别朝向相反方向,而压电散热单元是配置于增层线路结构的开口中且对应电子元件的主动表面。相较于现有的是将电子元件设置在封装载板的最外侧表面上,且通过贴附于金属遮蔽盖上的压电材料来改变容置腔体的体积而进行散热的封装结构而言,本发明的封装结构除了可避免电子元件之间的电磁波干扰之外,也可具有较薄的封装厚度与体积,以符合薄型化的需求。

最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

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