1.一种芯片的MOS工艺角的测量方法，其特征在于，包括：
检测待测量芯片的驱动电压，其中，所述驱动电压为所述待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；
判断所述驱动电压是否处于稳定状态；
在所述驱动电压处于稳定状态时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，所述工艺角判断阈值用于区分所述待测量芯片的工艺角的类型；
根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vslow，
在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow的大小，得到比较结果；
根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于所述Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SS工艺角。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vslow和Vsnfp，
在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow和所述Vsnfp的大小，得到比较结果；
根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vsnfp，且所述驱动电压小于Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SNEP工艺角。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vsnfp和Vtt，
在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vsnfp和所述Vtt的大小，得到比较结果；
根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vtt，且所述驱动电压小于Vsnfp时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为TT工艺角。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vtt和Vfnsp，
在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vtt和所述Vfnsp的大小，得到比较结果；
根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vfnsp，且所述驱动电压小于Vtt时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vfnsp，
在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vfnsp的大小，得到比较结果；
根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压小于Vfnsp时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在检测待测量芯片的驱动电压之前，所述方法还包括：
控制所述待测量芯片中锁相环的输入频率保持为预设频率。
8.根据权利要求1至7任意一项所述的方法，其特征在于，在比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，并根据比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角之前，所述方法还包括：
通过仿真获取在所述待测量芯片的锁相环的输入频率为预设频率，所述待测量芯片为不同MOS工艺角时的驱动电压数据；
根据所述驱动电压数据生成所述工艺角判断阈值。
9.一种芯片的MOS工艺角的测量装置，其特征在于，包括：
检测单元，用于检测待测量芯片的驱动电压，其中，所述驱动电压为所述待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；
判断单元，用于判断所述驱动电压是否处于稳定状态；
比较单元，用于在所述驱动电压处于稳定状态时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，所述工艺角判断阈值用于区分所述待测量芯片的工艺角的类型；
确定单元，用于根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vslow，
所述比较单元包括：第一比较模块，用于在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow的大小，得到比较结果；
所述确定单元包括：第一确定模块，用于在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于所述Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SS工艺角。
11.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vslow和Vsnfp，
所述比较单元包括：第二比较模块，用于在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow和所述Vsnfp的大小，得到比较结果；
所述确定单元包括：第二确定模块，用于在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vsnfp，且所述驱动电压小于Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SNEP工艺角。
12.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vsnfp和Vtt，
所述比较单元包括：第三比较模块，用于在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vsnfp和所述Vtt的大小，得到比较结果；
所述确定单元包括：第三确定模块，用于在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vtt，且所述驱动电压小于Vsnfp时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为TT工艺角。
13.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vtt和Vfnsp，
所述比较单元包括：第四比较模块，用于在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vtt和所述Vfnsp的大小，得到比较结果；
所述确定单元包括：第四确定模块，用于在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vfnsp，且所述驱动电压小于Vtt时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。
14.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vfnsp，
所述比较单元包括：第五比较模块，用于在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vfnsp的大小，得到比较结果；
所述确定单元包括：第五确定模块，用于在所述比较结果指示所述驱动电压小于Vfnsp时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。
15.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
保持单元，用于在检测待测量芯片的驱动电压之前，控制所述待测量芯片中锁相环的输入频率保持为预设频率。
16.根据权利要求9至15任意一项所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
仿真单元，用于在比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，并根据比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角之前，通过仿真获取在所述待测量芯片的锁相环的输入频率为预设频率，所述待测量芯片为不同MOS工艺角时的驱动电压数据；
生成单元，用于根据所述驱动电压数据生成所述工艺角判断阈值。
17.一种芯片的MOS工艺角的测量系统，其特征在于，包括：
待测量芯片，所述待测量芯片包括锁相环，所述锁相环包括电压控制振荡器，所述电压控制振荡器的输入端电压为所述待测量芯片的驱动电压；
测量电路,与所述待测量芯片相连接，包括：检测信号输入端、工艺角判断阈值输入端、稳定指示信号输出端和工艺角指示信号输出端，其中，所述检测信号输入端与所述电压控制振荡器的输入端相连，用于获取所述待测量芯片的驱动电压，所述工艺角判断信号输入端用于输入所述待测量芯片的工节角判断阈值，所述稳定指示信号输出端用于指示所述驱动电压是否处于稳定状态，并且在所述驱动电压处于稳定状态时，所述稳定指示信号输出端输出高电平，所述工艺角指示信号输出端用于指示所述待测量芯片的MOS工艺角。
18.根据权利要求17所述的系统，其特征在于，所述工艺角指示信号输出端包括：SS工艺角指示信号输出端、SNFP工艺角指示信号输出端、TT工艺角指示信号输出端、FNSP工艺角指示信号输出端和FF工艺角指示信号输出端，
在所述待测量芯片为SS工艺角时，所述SS工艺角指示信号输出端输出高电平；
在所述待测量芯片为SNFP工艺角时，所述SNFP工艺角指示信号输出端输出高电平；
在所述待测量芯片为TT工艺角时，所述TT工艺角指示信号输出端输出高电平；
在所述待测量芯片为FNSP工艺角时，所述FNSP工艺角指示信号输出端输出高电平；
在所述待测量芯片为FF工艺角时，所述FF工艺角指示信号输出端输出高电平。