1.一种反向关阀电路，其特征在于，所述反向关阀电路包括升压电路(1)、主控制器MCU(2)、MOS管电路(3)和控制电路(4)；
其中，所述升压电路(1)的第一输入端与所述MCU(2)的第一输出端(OUT1)连接，所述升压电路(1)的第二输入端与所述MCU(2)的第二输出端(OUT2)连接，所述升压电路(1)的输出端与所述MOS管电路(3)的第一输入端连接，所述MOS管电路(3)具有用于与电磁阀的正极连接的第一输出端和用于与电磁阀的负极连接的第二输出端，所述MOS管电路(3)的第二输入端与所述控制电路(4)的输出端连接，所述控制电路(4)的输入端与所述MCU(2)的第三输出端(OUT3)连接；
所述MOS管电路(3)包括第二电解电容(E2)和MOS管(M1)，所述第二电解电容(E2)的负极作为所述MOS管电路(3)的第一输出端；所述第二电解电容(E2)的正极与所述MOS管(M1)的漏极连接，且作为所述MOS管电路(3)的第一输入端；所述MOS管(M1)的源极作为所述MOS管电路(3)的第二输出端；
所述MCU(2)用于为所述升压电路(1)和所述控制电路(4)提供输入信号，所述升压电路(1)用于将其输出端电压升高后为所述第二电解电容(E2)充电，所述控制电路(4)用于控制所述MOS管(M1)的导通和关闭，所述第二电解电容(E2)用于当所述MOS管(M1)导通时放电以关闭电磁阀。
2.如权利要求1所述的反向关阀电路，其特征在于，所述升压电路(1)包括第一三极管(P1)、第二三极管(N2)、限流电阻(R0)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一电解电容(E1)、第一二极管(D1)和第二二极管(D2)；
其中，所述限流电阻(R0)的第一端与电源的正极连接，所述限流电阻(R0)的第二端与第一三极管(P1)的发射极连接，所述第一电阻(R1)的第一端作为所述升压电路(1)的第一输入端，所述第一电阻(R1)的第二端与所述第一三极管(P1)的基极连接；所述第一二极管(D1)的正极与所述限流电阻(R0)的第二端连接，所述第一二极管(D1)的负极与所述第一电解电容(E1)的正极连接，所述第一电解电容(E1)的负极与所述第一三极管(P1)的集电极连接；
所述第二电阻R2的第一端作为所述升压电路(1)的第二输入端，所述第二电阻(R2)的第二端与所述第二三极管(N2)的基极连接，所述第二三极管(N2)的集电极与所述第一电解电容(E1)的负极连接，所述第二三极管(N2)的发射极接地；
所述第二二极管(D2)的正极与所述第一电解电容(E1)的正极连接，所述第二二极管(D2)的负极作为所述升压电路(1)的输出端使用。
3.如权利要求2所述的反向关阀电路，其特征在于，所述升压电路(1)还包括第一电容(C1)和第二电容(C2)，所述第一电容(C1)与所述第一电阻(R1)并联，所述第二电容(C2)与所述第二电阻(R2)并联。
4.如权利要求1所述的反向关阀电路，其特征在于，所述MOS管电路(3)还包括第三电解电容(E3)、第三三极管(D3)和第三电阻(R3)；
其中，所述第二电解电容(E2)的正极与所述第三二极管(D3)的正极连接，所述第三二极管(D3)的负极与所述第三电解电容(E3)的正极连接，所述第三电解电容(E3)的负极接地；
所述第三电解电容(E3)的正极与所述第三电阻(R3)的第一端连接，所述第三电阻(R3)的第二端与所述MOS管(M1)的栅极连接，且作为所述MOS管电路(3)的第二输入端。
5.如权利要求1或4所述的反向关阀电路，其特征在于，所述MOS管(M1)为N沟道MOS管。
6.如权利要求1所述的反向关阀电路，其特征在于，所述控制电路(4)包括第四电阻(R4)、第三三极管(N3)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)和隔直电路(6)；
其中，所述隔直电路(6)的输入端作为所述控制电路(4)的输入端使用，所述隔直电路(6)的输出端与所述第五电阻(R5)的第一端连接，所述第五电阻(R5)的第二端与所述第三三极管(N3)的基极连接；
所述第三三极管(N3)的集电极与所述第四电阻(R4)的第一端连接，所述第四电阻(R4)的第二端作为所述控制电路(4)的输出端，所述第三三极管(N3)的发射极接地；
所述第六电阻(R6)的第一端与所述第三三极管(N3)的基极连接，所述第六电阻(R6)的第二端与所述第三三极管(N3)的发射极连接。
7.如权利要求6所述的反向关阀电路，其特征在于，所述隔直电路(6)包括第三电容(C3)、第四二极管(D4)、第四电解电容(E4)、第五二极管(D5)和第七电阻(R7)；
其中，所述第三电容(C3)的第一端作为所述隔直电路(6)的输入端，所述第三电容(C3)的第二端与所述第四二极管(D4)的正极连接，所述第四二极管(D4)的负极作为所述隔直电路(6)的输出端；
所述第四电解电容(E4)的正极与所述第四二极管(D4)的负极连接，所述第四电解电容(E4)的负极接地；
所述第五二极管(D5)的正极接地，所述第五二极管(D5)的负极与所述第七电阻(R7)的第一端连接，所述第七电阻(R7)的第二端与所述第三电容(C3)的第二端连接。
8.如权利要求1所述的反向关阀电路，其特征在于，所述MCU(2)的第一输出端(OUT1)输出第一方波信号，所述MCU(2)的第二输出端(OUT2)输出第二方波信号，所述第一方波信号与所述第二方波信号频率相同、占空比不同。
9.如权利要求8所述的反向关阀电路，其特征在于，所述第一方波信号与所述第二方波信号的占空比之和为1。
10.如权利要求1所述的反向关阀电路，其特征在于，所述MCU(2)的第三输出端(OUT3)输出的为脉冲宽度调制PWM信号。