一种有机发光显示面板、电子设备及其制作方法与流程

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光显示面板、电子设备及其制作方法。

背景技术：

OLED，即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode)，又称为有机电致发光器件，其基本结构包括对应每个像素区域的阳极、阴极和发光层，当电压被施加到阳极与阴极上时，空穴通过空穴传输层移动至发光层，电子通过电子传输层移动至发光层，二者在发光层中复合，发光层材料中的激子由激发态迁移到基态发光。

光在透过阴极时，阴极中可以自由移动的电子会同光子相互作用，产生沿着阴极金属表面传播的电子疏密波，称之为表面等离子激元。光在透过阴极金属层的时候会因此损失一部分能量。因此目前一般在阴极上方制作一层光耦合层(capping layer，CPL)，使表面等离子激元的产生会受到抑制，减小光透过阴极金属层的损失，提高出光效率，同时高折射率的光耦合层还可以减小出光侧界面的全反射，降低器件内的光波导效应，进一步地提高出光效率。但对于不同颜色的光，其对应的最佳光耦合层厚度不相等，波长越长，其对应的最佳光耦合层厚度越厚，因此需要为不同发光颜色的像素区域设置不同的光耦合层厚度，增加了有机发光显示面板的制作成本。

技术实现要素：

本发明提供一种有机发光显示面板、电子设备及其制作方法，以实现降低有机发光显示面板成本。

第一方面，本发明实施例提供了一种有机发光显示面板，包括形成在基板上的多种不同发光颜色的像素区域；每一所述像素区域包括远离所述基板方向设置的第一电极、发光功能层以及第二电极，

所述第一电极和/或所述第二电极为所述有机发光显示面板的出光侧电极；在所述出光侧电极远离所述发光功能层一侧设置有光耦合层；

所述光耦合层在蓝光波长区域的折射率范围为2～2.3；

所述光耦合层在蓝光波长区域的折射率与所述光耦合层在绿光波长区域的折射率的差值小于或等于0.2；

所述光耦合层在绿光波长区域的折射率与所述光耦合层在红光波长区域的折射率的差值小于或等于0.1。

第二方面，本发明实施例还提供了一种电子设备，包括第一方面所述的有机发光显示面板。

第三方面，本发明实施例还提供了一种有机发光显示面板的制作方法，包括：

在包括多种不同发光颜色的像素区域的基板上形成光耦合层；

在所述光耦合层上形成第一电极；

在所述第一电极上形成发光功能层；

在所述发光功能层上形成第二电极；

其中，所述第二电极为所述有机发光显示面板的出光侧电极；所述光耦合层在蓝光波长区域的折射率范围为2～2.3；

所述光耦合层在蓝光波长区域的折射率与所述光耦合层在绿光波长区域的折射率的差值小于或等于0.2；

所述光耦合层在绿光波长区域的折射率与所述光耦合层在红光波长区域的折射率的差值小于或等于0.1。

本发明实施例通过在出光侧电极远离所述发光功能层一侧设置有光耦合层，并且设置光耦合层在蓝光波长区域的折射率范围为2～2.3；光耦合层在蓝光波长区域的折射率与光耦合层在绿光波长区域的折射率的差值小于或等于0.2；光耦合层在绿光波长区域的折射率与光耦合层在红光波长区域的折射率的差值小于或等于0.1。本发明使用折射率高，且在蓝色、绿色以及红色各波段区域的折射率之差小的光耦合层，在采用相同的光耦合层厚度的情况下大幅提高各波段的光提取效率，无需为不同发光颜色的像素区域设置不同光耦合层厚度，因此可以降低生产成本以及提高良率。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的剖面结构示意图；

图2为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的剖面结构示意图；

图3为本发明实施例所提供器件的外量子效率和现有技术的对比图；

图4为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的剖面结构示意图；

图5为本发明实施例提供的一种电子设备的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的制作方法的流程示意图；

图7为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的制作方法的流程示意图；

图8为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的制作方法的流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的剖面结构示意图。如图1所示，有机发光显示面板包括形成在基板上的多个不同发光颜色的像素区域，每一像素区域包括远离基板10方向上设置第一电极20、发光功能层30以及第二电极40。图1中示例性的设置红色发光颜色的像素区域R、绿色发光颜色的像素区域G和蓝色发光颜色的像素区域B。本发明实施例提供的有机发光显示面板可以为顶发射、底发射或者两侧发射器件，即可设置第一电极20和/或第二电极40为有机发光显示面板的出光侧电极。图1示例性的选择第二电极为有机发光显示面板的出光侧电极，图1中箭头方向表示出光方向。

为提高有机发光显示面板的光提取效率，本实施例中在出光侧电极第二电极40远离发光功能层30一侧设置有光耦合层(CPL)50。光耦合层50的折射率一般大于出光侧电极的折射率，并且本实施例中设置光耦合层50在蓝光波长区域的折射率范围为2～2.3。通过出光侧电极第二电极40和光耦合层50之间折射率的配合，一方面可以降低光在出光侧电极第二电极40界面的全反射损失，另一方面光耦合层50还可以抑制光在出光侧电极第二电极40表面受到表面等离基元的能量损失，从而提高有机发光显示面板的光提取效率。

由于不同颜色的光的波长不同，因此对应的光耦合层50的折射率不同，为获得最佳的出光效率所需的光耦合层50的厚度不同。波长越长，所需光耦合层50的厚度越厚。但为不同发光颜色的像素区域分别设置不同厚度的光耦合层50无疑会增加工艺制程，且还会影响良率。因此，为降低生产成本，且最大限度的提升不同颜色的光的出光效率，例如红、绿和蓝三原色，一般采用蓝色发光颜色的像素区域所对应的光耦合层50的厚度作为所有颜色发光颜色的像素区域所对应的光耦合层50的厚度。

本发明上述实施例为降低红色发光颜色的像素区域和绿色发光颜色的像素区域的出光效率的折损，采用的光耦合层50在蓝光波长区域的折射率范围为2～2.3；光耦合层50在蓝光波长区域的折射率与光耦合层50在绿光波长区域的折射率的差值小于或等于0.2；光耦合层50在绿光波长区域的折射率与光耦合层50在红光波长区域的折射率的差值小于或等于0.1。可选的，还可以设置光耦合层50在绿光波长区域的折射率大于或等于1.8，在红光波长区域的折射率大于或等于1.7。

图2为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的剖面结构示意图。与图1不同的是，有机发光显示面板的发光功能层30可以包括第一辅助功能层31、发光材料层32和第二辅助功能层33。有机发光显示面板的第一辅助功能层31、发光材料层32及第二辅助功能层33可通过蒸镀方式形成。第一辅助功能层31由空穴型辅助发光材料组成，可以具有多层结构，例如包括空穴注入层、空穴传输层及电子阻挡层。第二辅助功能层33由电子型辅助发光材料组成，其也可以具有多层结构，可以包括电子传输层、电子注入层及空穴阻挡层。

有机发光显示面板结构中，可以通过引入光学微型谐振腔微腔(简称微腔结构)调整发光特性。微腔结构是由有机发光显示面板的两个电极之间的多层膜形成，利用光在折射率不连续的界面上的反射、全反射、干涉、衍射或散射等效应，将光限制在一个很小的波长区域内。通过设计腔长和优化腔内各层的厚度，使发光中心位于腔内驻波场的波腹附近，可以提高器件辐射偶极子和腔内电场的耦合效率，从而提高器件的发光效率和亮度。像素区域对应的微腔结构的腔长与对应的发光颜色波长正相关。可以通过第一辅助功能层31、发光材料层32和第二辅助功能层33来调整微腔结构的腔长。图2中示例性的通过第二辅助功能层33来调整微腔结构的腔长。

图2中设置红色发光颜色的像素区域R对应的第二辅助功能层33厚度大于绿色发光颜色的像素区域G对应的第二辅助功能层33厚度，绿色发光颜色的像素区域G对应的第二辅助功能层33厚度大于蓝色发光颜色的像素区域B对应的第二辅助功能层33厚度。本领域内技术人员应该理解，在本发明的一些实现方式中，通过光耦合层与出光侧电极的折射率的配合，还具有增强微腔结构的光强增强效果，提高出光效率的作用。

接下来请参考表1，表1为上述实施例的OLED器件采用不同光耦合层时的测试结果对比表，各器件的外量子效率是在电流密度为10mA/cm²。光耦合层A、B、C和D的厚度均采用在蓝光波长区域的最佳厚度。需要说明的是，光耦合层A所用材料的分子结构式为C所用材料的分子结构式为D所用材料的分子结构式为光耦合层B所用材料为MoOx。

上述各实施例的OLED器件具体结构请参见图4所示，OLED结构形成在基板上的多个不同发光颜色的像素区域：红色发光颜色的像素区域R、绿色发光颜色的像素区域G和蓝色发光颜色的像素区域B。每一像素区域包括远离基板10方向上设置第一电极20、发光功能层30以及第二电极40。在出光侧电极第二电极40远离发光功能层30一侧设置有光耦合层50。发光功能层30包括第一辅助功能层31、发光材料层32和第二辅助功能层33。第一辅助功能层31包括空穴注入层311和空穴传输层312。第二辅助功能层33包括电子传输层331。通过第一辅助功能层31的空穴传输层来调整微腔结构的有效腔长，本实施例中将调整微腔结构的有效腔长的空穴传输层称为空穴传输辅助层313。

图4中在红色发光颜色的像素区域R和绿色发光颜色的像素区域G的空穴传输层312上设置空穴传输辅助层313，且红色发光颜色的像素区域R对应的空穴传输辅助层313的厚度大于绿色发光颜色的像素区域G对应的空穴传输辅助层313的厚度。其中，第一电极20采用Ag，厚度为空穴注入层311的厚度为空穴注入层311采用4,4’,4”-三[(3-甲基苯基(苯基)氨基)]三苯胺(4,4’,4”-[3-methylphenyl(phenyl)-amino]triphenylamine)(m-MTDATA)形成。空穴传输层312的厚度为采用N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯基-4,4’-二胺(N,N’-diphenyl-N,N’-bis(3-methylphenyl)-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine)(TPD)形成。绿色发光颜色的像素区域G对应的空穴传输辅助层313的厚度为红色发光颜色的像素区域R对应的空穴传输辅助层313的厚度为空穴传输辅助层313与空穴传输层312采用相同的材料。发光材料层32的厚度为发光材料层32采用主客体掺杂体系，各颜色发光材料层的主体材料和客体掺杂材料的掺杂体积比在1％到10％之间。图4中的红色发光颜色的像素区域R的主体材料为二苯乙烯基苯(CBP)，客体掺杂材料为PQIr(三(1-苯基喹啉)铱)。绿色发光颜色的像素区域G的主体材料为二苯乙烯基苯(CBP)和1,3-二(咔唑-9-基)(mCP)，客体掺杂材料为Ir(ppy)₃(三(2-苯基吡啶)合铱)。蓝色发光颜色的像素区域B的主体材料为二苯乙烯基苯(CBP),客体掺杂材料为FIrpic。电子传输层331的厚度为电子传输层331采用8-羟基喹啉铝(Alq3)形成。第二电极4的厚度为采用Mg：Ag合金，Mg和Ag的体积比为1:10。光耦合层50的厚度为

由表1可知，光耦合层A对应蓝光波长区域的折射率为2.4；对应绿光波长区域的折射率为2.31；对应红光波长区域的折射率为2.26。光耦合层B对应蓝光波长区域的折射率为2.22；对应绿光波长区域的折射率为2.17；对应红光波长区域的折射率为2.08。光耦合层C对应蓝光波长区域的折射率为2.2；对应绿光波长区域的折射率为1.9；对应红光波长区域的折射率为1.7。光耦合层D对应蓝光波长区域的折射率为1.86；对应绿光波长区域的折射率为1.73；对应红光波长区域的折射率为1.68。此外，本发明实施例还对不同材料的光耦合层应用到OLED后的外量子效率和色偏进行了测试,。

表1:采用不同材料的光耦合层的波长折射率对比表

参见表1，光耦合层A在蓝光波长区域的折射率与光耦合层A在绿光波长区域的折射率的差值为0.09，光耦合层A在绿光波长区域的折射率与光耦合层A在红光波长区域的折射率的差值为0.05，虽在不同颜色波长区域的折射率之差比较小，能够满足OLED器件在不同颜色波长区域的外量子效率都维持较高值，如表1中蓝光波长区域的外量子效率为14.5％，绿光波长区域的外量子效率为34.5％，红光波长区域的外量子效率为31.0％。但是，折射率越高，会导致色偏越严重，由于光耦合层A在蓝光波长区域的折射率已达到2.4，因此会导致在蓝光波长区域的色偏比较严重，一般显示器中的色偏标准为0.02，如表1中光耦合层A在蓝光波长区域的色偏已达到0.067。

仍然参见表1，光耦合层C在蓝光波长区域的折射率为2.2，应用在OLED器件后测量获得在蓝光波长区域、绿光波长区域以及红光波长区域的色偏均维持在0.01左右，符合显示装置的正常显示需求。但是由于光耦合层C在蓝光波长区域的折射率与光耦合层C在绿光波长区域的折射率的差值为0.3，光耦合层C在绿光波长区域的折射率与光耦合层C在红光波长区域的折射率的差值为0.2，不同颜色波长区域的折射率差值过大，因此导致OLED器件对应的外量子效率降低。如表1所示，采用光耦合层C的OLED对应的蓝光波长区域的外量子效率为13.1％，对应的绿光波长区域的外量子效率为29.2％，对应的红光波长区域的外量子效率为26.3％。

光耦合层D在蓝光波长区域的折射率与光耦合层D在绿光波长区域的折射率的差值为0.13，光耦合层D在绿光波长区域的折射率与光耦合层D在红光波长区域的折射率的差值为0.05，光耦合层D在蓝光波长区域、绿光波长区域以及红光波长区域的折射率均较小，虽不同颜色波长区域的色偏小，在不同颜色波长区域的折射率之差比较小，但是由于光耦合层D在蓝光波长区域、绿光波长区域以及红光波长区域的折射率均较小，不能有效提取发光层发射的光线，因此导致OLED器件整体的效率会下降，如表1中所示，采用光耦合层D的OLED对应的蓝光波长区域的外量子效率为11.8％，对应的绿光波长区域的外量子效率为25.0％，对应的红光波长区域的外量子效率为26.2％。

光耦合层B在蓝光波长区域的折射率与光耦合层B在绿光波长区域的折射率的差值为0.05，光耦合层B在绿光波长区域的折射率与光耦合层B在红光波长区域的折射率的差值为0.09，折射率差值足够小，在采用相同的光耦合层厚度的情况下大幅提高各波段的光提取效率。此外，光耦合层B在蓝光波长区域的折射率为2.26，在绿光波长区域的折射率为2.22，在红光波长区域的折射率为2.02，能够有效减小在出光侧电极和光耦合层界面的全反射，并且光耦合层B在蓝光波长区域的折射率小于2.3，也不会引起过大的色偏。如表1中所示，采用光耦合层B的OLED对应的蓝光波长区域的外量子效率为13.2％，对应的绿光波长区域的外量子效率为32.3％，对应的红光波长区域的外量子效率为29.3％。光耦合层A在蓝光波长区域的色偏为0.018，在绿光波长区域的色偏为0.015，在红光波长区域的色偏为0.017。该测试结果表明，光耦合层B能够同时满足提高OLED器件外量子效率以及减小色偏的效果。

在上述实施例的基础上，本发明的一些实施例中可以设置光耦合层在蓝光波长区域的消光系数小于或等于0.1，在绿光波长区域的消光系数小于或等于0.01，在红光波长区域的消光系数小于或等于0.01，可以进一步减小不同颜色的光在光耦合层50中的光损耗，提升出光效率。

接下来请参照图3，图3为本发明实施例所提供器件的外量子效率和现有技术的对比图，图3中本发明实施例和现有技术均采用如图4所示的OLED器件结构，且本发明实施例和现有技术对应相同膜层的厚度也相同。需要说明的是，图3中，现有技术所用的光耦合层CPL1在蓝光波长区域的折射率为1.9，光耦合层CPL1在绿光波长区域的折射率为1.82，光耦合层CPL1在红光波长区域的折射率为1.75，本申请实施例所用的光耦合层CPL2采用的是本申请前述实施例的光耦合层B，即图3中本申请实施例所用的光耦合层CPL2的组成材料为MoOx。由图3可以看出，在不同电流密度下，采用光耦合层CPL2本发明实施例OLED外量子效率均大于采用光耦合层CPL1的现有技术OLED外量子效率。

可选的，发光材料层32包括主体材料(host)以及客体掺杂材料(dopant)。其中，红色发光颜色的像素区域R对应的发光材料层33和/或蓝色发光颜色的像素区域B对应的发光材料层33可以采用一种或两种主体材料；绿色发发光颜色的像素区域G对应的发光材料层33可以采用至少两种主体材料。本领域内技术人员应该理解，发光材料层33中主体材料的含量大于发光客体材料，一般的，主体材料HOMO能级绝对值|T_host(HOMO)|大于客体掺杂材料的HOMO能级绝对值|T_dopant(HOMO)|，主体材料LUMO能级绝对值|T_host(LUMO)|小于客体掺杂材料的LUMO能级绝对值|T_dopant(LUMO)|，主体材料三线态能级T_host(S)大于客体材料三线态能级T_dopant(S)。主体材料的三线态激子能量可有效地转移给发光客体材料，并且主体材料的发射光谱和客体掺杂材料的吸收光谱能够能量匹配。

另外还需要指出的是，作为发光材料的客体掺杂材料可以包括磷光或荧光材料，例如红色发光颜色的像素区域R对应的发光材料层33和绿色发光颜色的像素区域G对应的发光材料层33的客体掺杂材料为磷光材料，蓝色发光颜色的像素区域B对应的发光材料层33的客体掺杂材料为荧光材料。本发明对发光材料层的材料不做限定，例如还可以采用非主客体掺杂体系材料或是采用具有热致延迟荧光(TADF，Thermally Activated Delayed Fluorescence)功能的发光材料。

可选的，出光侧电极(例如图1中的第二电极40)和光耦合层50二者叠加之后在可见光波段的透过率大于或等于60％。通过光耦合层50与第二电极40的折射率的配合，增强微腔结构的光强增强效果，提高出光效率。

可选的，光耦合层50可以采用有机材料也可以采用无机材料。例如可以包括MoO_x，但本申请对此不作限定。光耦合层50的厚度范围为20-140nm，例如，在本发明的一种可实现方式中，光耦合层的厚度为50nm。需要说明的是，光耦合层50的厚度可以根据有机发光显示面板中使用的发光材料的种类以及光耦合层50以外的有机发光显示面板器件的厚度等来适宜地调节。

可选的，光耦合层50还可以是多层叠层结构，即光耦合层50包括至少一层有机层。其中近邻出光侧电极的有机层的折射率小于或等于远离出光侧电极的有机层的折射率。通过叠层设计的光耦合层50以及折射率的配合，提高光提取效率。

需要说明的是，上述各实施例所述有机发光显示面板可以是有源式有机发光显示面板还可以是无源式有机发光显示面板。对于有源式有机发光显示面板，以第二电极为出光侧电极为例，每一像素区域对应的第一电极相互电绝缘，且每一像素区域对应一薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)，该薄膜晶体管与对应的第一电极电连接。每一个薄膜晶体管为通过第一电极与每一个对应的像素区域对应提供驱动信号。对于无源式有机发光显示面板，同一行像素区域共用同一第一电极；同一列像素区域共用同一第二电极；第一电极和第二电极绝缘交叉。

本领域内技术人员应该理解，上述的OLED器件结构以及应用不同光耦合层材料的对比数据仅用于形成比较，来支持本案关于光耦合层折射率的相关结论。在本申请的其他实现方式中，OLED显示面板的器件结构还可以是其他任何可行的OLED器件类型及堆叠结构，本申请对于所适用的OLED器件结构不做限定。

综上所述，本发明实施例通过在出光侧电极远离所述发光功能层一侧设置有光耦合层，并且设置光耦合层在蓝光波长区域的折射率范围为2～2.3；光耦合层在蓝光波长区域的折射率与光耦合层在绿光波长区域的折射率的差值小于或等于0.2；光耦合层在绿光波长区域的折射率与光耦合层在红光波长区域的折射率的差值小于或等于0.1。本发明使用折射率高，且在蓝色、绿色以及红色各波段区域的折射率之差小的光耦合层，在采用相同的光耦合层厚度的情况下大幅提高各波段的光提取效率，无需为不同发光颜色的像素区域设置不同光耦合层厚度，因此可以降低生产成本以及提高良率。

本发明实施例还提供一种电子设备。图5为本发明实施例提供的一种电子设备的结构示意图，如图5所示，本发明实施例提供的电子设备包括本发明任意实施例所述的有机发光显示面板100。电子设备可以为如图5中所示的手机，也可以为电脑、电视机、智能穿戴设备等，本实施例对此不作特殊限定。

基于同一构思，本发明实施例还提供一种有机发光显示面板的制作方法。图6为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的制作方法的流程示意图，如图6所示，所述方法包括：

步骤S110、在包括多种不同发光颜色的像素区域的基板上形成第一电极。

需要说明的是，可选的，在形成第一电极后，还可以形成像素限定层，其中像素限定层包括多个开口结构，每一开口结构对应一像素区域。

亦或者，在形成第一电极之前，形成像素限定层其中像素限定层包括多个开口结构，然后在每个开口结构内形成第一电极。

步骤S120、在所述第一电极上形成发光功能层。

有机发光显示面板的发光功能层可以包括第一辅助功能层、发光材料层和第二辅助功能层。有机发光显示面板的第一辅助功能层、发光材料层及第二辅助功能层可通过蒸镀方式形成。第一辅助功能层由空穴型辅助发光材料组成，可以具有多层结构，例如包括空穴注入层、空穴传输层及电子阻挡层。第二辅助功能层由电子型辅助发光材料组成，其也可以具有多层结构，可以包括电子传输层、电子注入层及空穴阻挡层。

步骤S130、在所述发光功能层上形成第二电极。

第二电极为Ag或包含Ag的金属合金。可选地，若第二电极为包含Ag的金属合金，第二电极中Ag的含量大于80％。若第二电极为包含Ag的金属合金，包含Ag的金属合金还包括Mg、Yb、碱金属元素，碱土金属元素或稀土元素中的至少一种。第二电极的厚度范围为第二电极的透过率大于20％。

可选的，有机发光显示面板结构中，可以通过引入光学微型谐振腔微腔(简称微腔结构)调整发光特性。微腔结构的腔长为第一电极和第二电极之间的距离。像素区域对应的微腔结构的腔长与像素区域对应的发光颜色波长正相关。微腔结构是由有机发光显示面板的两个电极之间的多层膜形成，利用光在折射率不连续的界面上的反射、全反射、干涉、衍射或散射等效应，将光限制在一个很小的波长区域内。通过设计腔长和优化腔内各层的厚度，使发光中心位于腔内驻波场的波腹附近，可以提高器件辐射偶极子和腔内电场的耦合效率，从而提高器件的发光效率和亮度。像素区域对应的微腔结构的腔长与对应的发光颜色波长正相关。可以通过第一辅助功能层、发光材料层和第二辅助功能层来调整微腔结构的腔长。

步骤S140、在所述第二电极上形成光耦合层。

其中，第二电极为有机发光显示面板的出光侧电极，光耦合层在蓝光波长区域的折射率范围为2～2.3；光耦合层在蓝光波长区域的折射率与光耦合层在绿光波长区域的折射率的差值小于或等于0.2；光耦合层在绿光波长区域的折射率与光耦合层在红光波长区域的折射率的差值小于或等于0.1。

可选的，光耦合层在在绿光波长区域的折射率大于或等于1.8，在红光波长区域的折射率大于或等于1.7。

可选的，本发明实施例中的光耦合层在蓝光波长区域的消光系数小于或等于0.1，在绿光波长区域的消光系数小于或等于0.01，在红光波长区域的消光系数小于或等于0.01，可以进一步减小不同颜色的光在光耦合层50中的光损耗，提升出光效率。

可选的，光耦合层的厚度范围为20-140nm，例如，在本发明的一种可实现方式中，光耦合层的厚度为50nm。出光侧电极和光耦合层二者叠加之后在可见光波段的透过率大于或等于60％。通过出光侧电极第二电极和光耦合层之间折射率的配合，一方面可以降低光在出光侧电极第二电极界面的全反射损失，即减小光波导效应造成的效率损失，另一方面光耦合层还可以抑制光在出光侧电极第二电极表面受到表面等离子基元的能量损失，从而提高有机发光显示面板的光提取效率。

此外，本领域内技术人员应该理解，在本发明的一些实现方式中，通过光耦合层与出光侧电极的折射率的配合，还可以增强微腔结构的光强增强效果，提高出光效率。可选的，光耦合层还可以是多层叠层结构，即光耦合层包括至少一层有机层。其中近邻出光侧电极的有机层的折射率小于或等于远离出光侧电极的有机层的折射率。通过叠层设计的光耦合层以及折射率的配合，可以进一步提高光提取效率。需要说明的是，上述光耦合层可采用蒸镀、旋涂、喷墨打印或丝网印刷工艺形成，本发明实施例对此不作限定。

可选的，本发明实施例中，红色发光颜色的像素区域对应的发光材料层和绿色发光颜色的像素区域对应的发光材料层的组成材料包含磷光材料；蓝色发光颜色的像素区域对应的发光材料层的组成材料为荧光材料。红色发光颜色的像素区域对应的发光材料层和/或蓝色发光颜色的像素区域对应的所述发光材料层采用一种或两种主体材料形成；绿色发光颜色的像素区域对应的发光材料层采用至少两种主体材料形成。需要说明的是，图6所述方法适用于形成顶发射式有机发光显示面板，第二电极为有机发光显示面板的出光侧电极。

本发明还提供一种底发射式有机发光显示面板的制作方法，图7为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的制作方法的流程示意图，如图7所示，所述方法包括：

步骤S210、在包括多种不同发光颜色的像素区域的基板上形成光耦合层。

步骤S220、在所述光耦合层上形成第一电极。

步骤S230、在所述第一电极上形成发光功能层。

步骤S240、在所述发光功能层上形成第二电极。

其中，第一电极为有机发光显示面板的出光侧电极；光耦合层在蓝光波长区域的折射率范围为2～2.3；光耦合层在蓝光波长区域的折射率与光耦合层在绿光波长区域的折射率的差值小于或等于0.2；光耦合层在绿光波长区域的折射率与光耦合层在红光波长区域的折射率的差值小于或等于0.1。

本发明还提供一种两侧发射式有机发光显示面板的制作方法，图8为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的制作方法的流程示意图，如图8所示，所述方法包括：

步骤S310、在包括多种不同发光颜色的像素区域的基板上形成第一光耦合层。

步骤S320、在所述第一光耦合层上形成第一电极；

步骤S330、在所述第一电极上形成发光功能层；

步骤S340、在所述发光功能层上形成第二电极；

步骤S350、在所述第二电极上形成第二光耦合层。

其中，第一电极和第二电极均为有机发光显示面板的出光侧电极；第一光耦合层以及第二耦合层在蓝光波长区域的折射率范围为2～2.3；第一光耦合层以及所述第二耦合层在蓝光波长区域的折射率与所述第一光耦合层以及第二耦合层在绿光波长区域的折射率的差值小于0.2；第一光耦合层以及第二耦合层在绿光波长区域的折射率与第一光耦合层以及第二耦合层在红光波长区域的折射率的差值小于0.1。

综上所述，本发明实施例通过在出光侧电极远离所述发光功能层一侧设置有光耦合层，并且设置光耦合层在蓝光波长区域的折射率范围为2～2.3；光耦合层在蓝光波长区域的折射率与光耦合层在绿光波长区域的折射率的差值小于或等于0.2；光耦合层在绿光波长区域的折射率与光耦合层在红光波长区域的折射率的差值小于或等于0.1。本发明使用折射率高，且在蓝色、绿色以及红色各波段区域的折射率之差小的光耦合层，在采用相同的光耦合层厚度的情况下大幅提高各波段的光提取效率，无需为不同发光颜色的像素区域设置不同光耦合层厚度，因此可以降低生产成本以及提高良率。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。