1.一种GaN基增强型电子器件的材料结构，所述材料结构包括：衬底、薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构，所述的薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构位于衬底之上，其特征在于，所述材料结构还包括：钝化层，所述的钝化层的制备材料是n-GaN、SiO2或SiNx，其位于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构之上。
2.根据权利要求1所述的GaN基增强型电子器件的材料结构，其特征在于，所述的钝化层是具有极化特性的薄膜，或是能在Al(In，Ga)N表面产生n型掺杂效果的薄膜。
3.根据权利要求2所述的GaN基增强型电子器件的材料结构，其特征在于，所述的钝化层厚度介于1nm至200nm之间。
4.根据权利要求1所述的GaN基增强型电子器件的材料结构，其特征在于，所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构包括GaN缓冲层、Al(In，Ga)N势垒层，所述的GaN缓冲层位于衬底上，所述的Al(In，Ga)N势垒层位于GaN缓冲层上。
5.根据权利要求4所述的GaN基增强型电子器件的材料结构，其特征在于，所述的Al(In，Ga)N势垒层厚度介于0nm至10nm之间。
6.根据权利要求5所述的GaN基增强型电子器件的材料结构，其特征在于，所述的Al(In，Ga)N势垒层可以是AlxGa(1-x)N三元合金势垒层，其中Al组分介于0至100％之间；所述的Al(In，Ga)N势垒层还可以是AlxIn(1-x)N三元合金势垒层，其中Al组分介于75％至90％之间；所述的Al(In，Ga)N势垒层还可以是AlxInyGa(1-x-y)N四元合金势垒层，其中Al和In组分介于0至100％之间。
7.一种GaN基增强型电子器件的材料结构制备方法，包括：
S1、在衬底上制备薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；
S2、在薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构上制备钝化层；
其特征在于，在所述的步骤S2中，采用n-GaN、SiO2或SiNx材料制备钝化层。
8.根据权利要求7所述的GaN基增强型电子器件的材料结构制备方法，其特征在于，在所述的步骤S2中，采用金属有机化学气相沉积法、分子束外延法、原子层沉积法、低压化学气相沉积法、等离子增强化学气相沉积法制备钝化层。