1.一种GaN基LED中ITO图形的制作方法，包括以下步骤：
(1)制作掩膜图形：
在衬底表面上进行涂胶、曝光和显影，制作出需要的光阻掩膜图形；
(2)低温蒸镀ITO膜；
(3)剥离ITO膜：
(4)微腐蚀处理：将步骤(3)得到的衬底放置到ITO腐蚀液中浸泡，进行微腐蚀处理处理；
(5)高温退火：对步骤(4)得到的衬底在氮气氛围内进行高温退火。
2.根据权利要求1所述的GaN基LED中ITO图形的制作方法，其特征是：所述步骤(1)的具体过程如下所述：
①使用负向光刻胶，涂胶厚度为10000埃-35000埃，涂胶转速为1600rpm-3000rpm。
②曝光时间为10-20秒，曝光功率为300-500w。
③显影时间为60-80秒，显影液温度为40-60℃，保持恒温。
3.根据权利要求2所述的GaN基LED中ITO图形的制作方法，其特征是：所述步骤①中的涂胶厚度为20000埃，涂胶转速为2400rpm。
4.根据权利要求2所述的GaN基LED中ITO图形的制作方法，其特征是：所述述步骤②中的曝光时间为15秒，曝光功率为350W；所述步骤③中使用的显影时间为65秒，显影液温度为45℃，保持恒温。
5.根据权利要求1所述的GaN基LED中ITO图形的制作方法，其特征是：所述步骤(2)的具体过程如下所述：
①将带有光阻掩膜图形的衬底放入蒸发台的腔室内，对腔室进行抽真空，真空值至少为3.0E-6Torr。
②对腔室预通氧气5-20分钟，加热温度为60-100℃，保持恒温。
③完成预通氧气并达到设定温度保持5-30分钟后，开始进行镀膜；镀膜速率为0.1-3埃/秒，厚度为400-3600埃。
④达到镀膜厚度后，停止加热，冷却5-20分钟后，取出生长有ITO膜的衬底。
6.根据权利要求5所述的GaN基LED中ITO图形的制作方法，其特征是：所述步骤②中预通氧时间为15分钟，加热温度为80℃，保持恒温。
7.根据权利要求6所述的GaN基LED中ITO图形的制作方法，其特征是：所述步骤③中镀膜速率优选为1埃/秒，厚度为600埃；所述步骤④中冷却时间为10分钟。
8.根据权利要求1所述的GaN基LED中ITO图形的制作方法，其特征是：所述步骤(3)的具体过程如下所述：
①将蒸镀有ITO膜的衬底置入45-90℃的恒温有机溶剂中浸泡5-30分钟；
②使用粘性膜均匀的覆盖在ITO膜表面并压实后撕下，重复2-4次，将多余的ITO膜剥离掉；
③使用去光阻液，将残留的负向光刻胶彻底去除。
9.根据权利要求1所述的GaN基LED中ITO图形的制作方法，其特征是：所述步骤(4)中，ITO腐蚀液为FeCl3、HCl和H2O的混合溶液，FeCl3、HCl和H2O的比例为1g：40ml：40ml，HCl的质量分数为36-38％；浸泡时间为10-60秒。
10.根据权利要求1所述的GaN基LED中ITO图形的制作方法，其特征是：所述步骤(5)中退火温度为500-650℃，退火时间为3-8分钟，氮气流量为2-10SLPM。