技术总结
一种GaN基LED中ITO图形的制作方法，包括以下步骤：（1）制作掩膜图形，在衬底表面上进行涂胶、曝光和显影，制作出需要的光阻掩膜图形；（2）低温蒸镀ITO膜；（3）剥离ITO膜；（4）微腐蚀处理：将步骤（3）得到的衬底放置到ITO腐蚀液中浸泡，进行微腐蚀处理处理；（5）高温退火：对步骤（4）得到的衬底在氮气氛围内进行高温退火。本发明实现了在较低温度下蒸镀ITO，直接使用粘性膜剥离掉多余ITO薄膜，实现了低电阻高透过率的ITO薄膜图形的制作。整个过程简便易操作，且成本较低，形成的ITO膜层，致密且边缘整齐，方阻较低透过率较高，从外观和质量两方面，大大提高了产品良率。
技术研发人员：王玉鹏;刘琦;徐晓强;汤福国;闫宝华;
受保护的技术使用者：山东浪潮华光光电子股份有限公司;
技术研发日：2016.12.20
技术公布日：2018.06.26