技术总结
本发明涉及一种基于AlAs/Ge/AlAs结构的Ge基可重构偶极子天线的制备方法，其中，所述可重构偶极子天线包括：GeOI衬底、第一天线臂、第二天线臂、同轴馈线以及直流偏置线；所述制备方法包括：选取GeOI衬底；在所述GeOI衬底上制作AlAs/Ge/AlAs结构的Ge基SPiN二极管；由多个所述AlAs/Ge/AlAs结构的Ge基SPiN二极管依次首尾相连形成SPiN二极管串；由多个所述SPiN二极管串制作所述第一天线臂和第二天线臂；在所述GeOI衬底上制作所述直流偏置线；在所述第一天线臂和第二天线臂上制作同轴馈线以形成所述可重构偶极子天线，本发明制备的可重构偶极子天线，通过金属直流偏置线控制SPiN二极管导通，形成等离子天线臂的长度可调，从而实现天线工作频率的可重构，具有易集成、可隐身、频率可快速跳变的特点。
技术研发人员：尹晓雪;张亮
受保护的技术使用者：西安科锐盛创新科技有限公司
文档号码：201611184373
技术研发日：2016.12.20
技术公布日：2017.06.20