技术总结
本发明涉及一种AlAs‑Ge‑AlAs结构的基固态等离子体PiN二极管及其制备方法。该制备方法包括：选取GeOI衬底，并在所述GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；在所述P型沟槽和所述N型沟槽内淀积AlAs材料，并在所述P型沟槽和所述N型沟槽内的AlAs材料进行离子注入形成P型有源区和N型有源区；在所述P型有源区和所述N型有源区表面形成引线，以完成所述AlAs‑Ge‑AlAs结构的基固态等离子体PiN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能Ge基固态等离子体PiN二极管。
技术研发人员：王斌;苏汉;阎毅强;宣荣喜;张鹤鸣;宋建军;舒斌;康海燕
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
文档号码：201611188557
技术研发日：2016.12.20
技术公布日：2017.05.31