专利名称：感光二极管及其制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体制作领域，特别涉及一种感光二极管及其制作方法。
背景技术：
图像传感器分为互补金属氧化物(CM0Q图像传感器和电荷耦合器件(CCD)图像传感器，通常用于将光学信号转化为相应的电信号。CCD图像传感器的优点是对图像敏感度较高，噪声小，但是CCD图像传感器与其他器件的集成比较困难，而且CCD图像传感器的功耗较高。相比之下，CMOS图像传感器具有工艺简单、易与其他器件集成、体积小、重量轻、功耗小、成本低等优点。目前CMOS图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、照相手机、数码摄像机、医疗用摄像装置(例如胃镜)、车用摄像装置等。CMOS图像传感器中很重要的一个元件为感光二极管，通过感光二极管产生光电子，然后通过CMOS图像传感器中的传输晶体管、源跟随晶体管读出光电子产生的电压。现有技术中的感光二极管普遍采用埋藏型感光二极管，图1 图3为现有技术中形成埋藏型感光二极管方法的剖面结构示意图。参考图1，提供半导体衬底(未图示)，所述半导体衬底内形成有阱区100，所述阱区100为P型掺杂阱；进行离子注入，在阱区100内形成第一掺杂区101，所述第一掺杂区 101的掺杂类型与阱区100的掺杂类型相同；在第一掺杂区101表面形成传输晶体管的栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层102和位于栅介质层102上栅极103。参考图2，在所述栅介质层102和栅极103 —侧的阱区100内形成感光二极管的深掺杂区104。所述深掺杂区104形成过程为首先在第一掺杂区101表面形成图形化的掩膜层(未图示)，露出需离子注入的区域；以所述栅极结构为掩膜，进行离子注入，在栅极结构一侧的阱区100内形成感光二极管的深掺杂区104，所述深掺杂区104的掺杂类型为N 型。所述深掺杂区104和阱区100构成感光二极管的PN结。参考图3，形成位于栅介质层102和栅极103两侧的侧墙105，在栅极103和侧墙 105 一侧的深掺杂区104内形成感光二极管的浅掺杂区106，所述浅掺杂区106的掺杂类型为P型，浅掺杂区106的深度小于深掺杂区104的深度，所述浅掺杂区106将深掺杂区104 掩埋在半导体衬底100内。所述栅极103和侧墙105与感光二极管相对一侧的阱区100内还形成有浮置扩散区(图中未示出)。埋藏型感光二极管的光电子的传输过程为在感光二极管(PD)产生光电子后，对传输晶体管的栅极103施加电压使下方沟道打开，光电子由掺杂区104经栅极结构下方的沟道区转移到浮置扩散区，完成光电子的传输过程。更多关于感光二极管的制作方法请参考专利号为US7109537B2的美国专利。现有技术制作的埋藏型感光二极管，在栅极103下方的沟道关闭后，由于沟道区与感光二极管表面区域的交叠区存在与光电子传输方向相反的电势差，使得部分光电子从沟道区反向注入到感光二极管深掺杂区104，使光电子没有完全传输出去而残留在深掺杂区104，下次产生光电子时，光电子叠加，产生残像，影响器件的性能。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种感光二极管及其制作方法，使感光二极管中光电子一次传输，提高成像质量。为解决上述问题，本发明提供一种感光二极管的制作方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有阱区，所述阱区内形成有第一掺杂区；在所述第一掺杂区表面形成栅极结构；在所述栅极结构一侧的阱区内形成感光二极管的深掺杂区；形成位于所述栅极结构两侧的侧墙；以栅极结构和侧墙为掩膜，向深掺杂区内注入离子，形成浅掺杂区；在形成深掺杂区之后，侧墙之前，还包括以栅极结构为掩膜，进行离子注入，在深掺杂区内形成离子注入区，所述离子注入区的深度小于深掺杂区的深度，离子注入区的掺杂类型与第一掺杂区的掺杂类型相同。可选的，所述形成离子注入区离子注入的剂量范围为2 4E12/cm2，能量范围为 20 40KeVo可选的，所述离子注入区的掺杂类型为P型。可选的，所述形成浅掺杂区离子注入的剂量范围为1 3E13/cm2，能量范围为 20 40KeVo可选的，所述阱区和第一掺杂区掺杂类型均为P型。可选的，所述在半导体衬底内的形成阱区之后，还包括，在阱区内形成隔离结构。可选的，所述栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上的栅极。可选的，所述栅极结构相对感光二极管一侧的阱区内形成有浮置扩散区。一种感光二极管，包括半导体衬底；位于半导体衬底内的阱区，位于阱区内的第一掺杂区；位于第一掺杂区表面的栅极结构；位于栅极结构一侧阱区内感光二极管的深掺杂区；位于栅极结构两侧的侧墙；位于栅极结构、侧墙一侧深掺杂区内的浅掺杂区；其特征在于，还包括，位于深掺杂区内的离子注入区，所述离子注入区部分位于侧墙下方，所述离子注入区的深度小于深掺杂区的深度，离子注入区的掺杂类型与第一掺杂区的掺杂类型相同。可选的，所述离子注入区的掺杂类型为P型。可选的，所述阱区和第一掺杂区掺杂类型均为P型。可选的，所述栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上的栅极。可选的，所述栅极结构相对感光二极管一侧的阱区内形成有浮置扩散区。与现有技术相比，本发明技术方案具有以下优点在形成感光二极管的浅掺杂区之前，于深掺杂区内形成离子注入区，所述离子注入区部分位于侧墙底部，离子注入区的掺杂类型与第一掺杂区的掺杂类型相同，在栅极结构边缘和侧墙底部区域的第一掺杂区中的部分离子扩散到栅介质层和侧墙时，离子注入区中的掺杂离子补充到第一掺杂区，使得栅极结构边缘和侧墙底部区域第一掺杂区中的掺杂离子的浓度相对于沟道区第一掺杂区中的掺杂离子的浓度不会减小，传输晶体管沟道关闭后，沟道区的电势与沟道区和感光二极管交叠区的电势基本一致，使光电二极管表面区域和传输晶体管的沟道区不会形成电势差，在沟道关闭时，不会引起光电子向光电二极管的反向注入，使光电二极管中的光电子完全传输出去，避免了残像的产生，提高了 CMOS图像传感器的成像质量。
图1 图3为现有技术中形成埋藏型感光二极管方法的剖面结构示意图；图4为本发明实施例感光二极管制作方法的流程示意图；图5 图8为本发明实施例感光二极管制作方法的剖面结构示意图；图9为现有技术传输晶体管沟道关闭后沟道区与感光二极管(PD)表面区域的电势分布示意图；图10为本发明实施例与现有技术的传输晶体管沟道关闭后沟道区与感光二极管 (PD)表面区域的电势分布对比示意图。
具体实施例方式发明人在制作的埋藏型感光二极管过程中发现，现有技术形成的感光二极管，在光电子传输过程结束后，感光二极管内还残留有部分光电子，这些残留的部分光电子与感光二极管下次形成的光电子叠加，在CMOS图像传感器中产生残像，影响器件的性能。参考图3，发明人进一步研究发现，感光二极管内残留有部分光电子是由于传输晶体管栅极103下方的沟道关闭后，由于沟道区与感光二极管表面区域的交叠区存在与光电子传输方向相反的电势差，使得部分光电子反向注入到感光二极管深掺杂区104，使得感光二极管深掺杂区104残留有部分光电子，具体请参考图9，图9为现有技术传输晶体管的沟道关闭后，沟道区与感光二极管(PD)表面区域的电势分布示意图，曲线10表示沟道区与感光二极管(PD)表面区域的电势，曲线10分为A、B和C三段，其中A段为沟道区电势，B段为沟道区和感光二极管(PD)交叠区域的电势，C段为感光二极管(PD)表面区域电势，B段的电势相对A段电势较高，这是由以下原因导致的请结合参考图3和图9，栅极结构边缘和侧墙105底部的第一掺杂区101中部分离子扩散到栅极结构边缘的栅介质层102和侧墙 105中，栅极结构边缘和侧墙105底部的第一掺杂区101的离子浓度的损耗，使得沟道区和感光二极管(PD)交叠区域的第一掺杂区101掺杂离子的浓度小于沟道区的掺杂离子的浓度，导致B段的电势相对A段较高，而C段电势逐渐减小是因为P型的浅掺杂区106与P型的第一掺杂区101重叠，使掺杂离子浓度升高，电势降低。光电子传输过程中，栅极103下方的沟道关闭后，由于沟道区和感光二极管(PD)交叠区域的电势相对于沟道区电势较高， 因此在交叠区域会产生一个电势差，产生一个从感光二极管(PD)指向沟道区方向的电场， 使得部分光电子从沟道区反向注入到感光二极管深掺杂区104，造成感光二极管内部分光电子的残留。
为解决上述问题，发明人提出了一种感光二极管的制作方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有阱区，所述阱区内形成有第一掺杂区；在所述第一掺杂区表面形成栅极结构；在所述栅极结构一侧的阱区内形成感光二极管的深掺杂区；形成位于所述栅极结构两侧的侧墙；以栅极结构和侧墙为掩膜，向深掺杂区内注入离子，形成浅掺杂区； 在形成深掺杂区之后，侧墙之前，还包括以栅极结构为掩膜，进行离子注入，在深掺杂区内形成离子注入区，所述离子注入区的深度小于深掺杂区的深度，离子注入区的掺杂类型与第一掺杂区的掺杂类型相同。本发明的感光二极管的制作方法形成的感光二极管消除了沟道区和感光二极管交叠区域的电势差，解决了光电子的反向注入问题，提高了成像质量。为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。参考图4，图4为本发明实施例感光二极管制作方法的流程示意图，包括步骤S201，提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有阱区，所述阱区内形成有第一掺杂区；步骤S202，在所述第一掺杂区表面形成栅极结构；步骤S203，在所述栅极结构一侧的阱区内形成感光二极管的深掺杂区；步骤S204，以栅极结构为掩膜，进行离子注入，在深掺杂区内形成离子注入区，所述离子注入区的深度小于深掺杂区的深度，离子注入区的掺杂类型与第一掺杂区的掺杂类型相同；步骤S205，形成位于所述栅极结构两侧的侧墙；步骤S206，以栅极结构和侧墙为掩膜，向深掺杂区内注入离子，形成浅掺杂区。图5 图8为本发明实施例感光二极管制作方法的剖面结构示意图。参考图5，提供半导体衬底(未图示)，所述半导体衬底内形成有阱区300，所述阱区300内形成有第一掺杂区301 ；在所述第一掺杂区301表面形成传输晶体管的栅极结构， 所述栅极结构包括栅介质层302和位于栅介质层302上的栅极303。所述半导体衬底的材料可以为单晶硅(Si)、单晶锗(Ge)、或硅锗(GeSi)、碳化硅 (SiC)；也可以是绝缘体上硅(S0I)，绝缘体上锗(GOI)；或者还可以为其它的材料，例如砷化镓等III-V族化合物。所述半导体衬底内形成的阱区300为P型掺杂阱。形成P型掺杂阱后，还包括在所述阱区300内形成隔离结构(图中未示出)，用于器件间的隔离，所述隔离结构可以为浅沟道隔离(STI)。所述第一掺杂区301通过离子注入形成，用来调整传输晶体管的阈值电压，所述第一掺杂区301的掺杂类型与阱区300的掺杂类型相同，为P型，形成第一掺杂区301注入离子为氟化硼离子或者硼离子，所述离子注入的能量范围为20 40KeV，剂量范围为2 4E12/cm2。所述栅介质层302的材料为氧化硅，作为一个实施例，所述氧化硅通过热氧化的方式形成；所述栅极303材料为多晶硅，作为一个实施例，所述多晶硅通过化学气相沉积的方式形成。形成栅极结构后，还包括在栅极结构与后续形成的感光二极管相对的一侧阱区 300内形成浮置扩散区(图中未示出)，所述浮置扩散区、栅极结构和后续形成的感光二极管的深掺杂区构成传输晶体管。参考图6，在所述栅极结构一侧的阱区300内形成感光二极管的深掺杂区304。所述深掺杂区304形成过程为形成覆盖所述第一掺杂区301的阻挡层(图中未示出)；图形化所述阻挡层，露出需要离子注入的区域；以所述栅极结构和阻挡层为掩膜， 进行离子注入，在所述栅极结构一侧的阱区300内形成感光二极管的深掺杂区304。所述注入离子的类型为N型，所述注入离子为磷离子或砷离子，离子注入的能量范围50 80KeV， 剂量范围为5E12 5E13/cm2。所述深掺杂区304的深度大于第一掺杂区301的深度，所述深掺杂区304的深度为半导体衬底表面到深掺杂区304底部的距离，所述第一掺杂区301 的深度为半导体衬底表面到第一掺杂区301底部的距离，需要说明的是本发明所指的厚度均是指从半导体衬底表面到掺杂区和离子注入区底部的距离，即所有的掺杂区和离子注入区均是从半导体衬底表面向半导体衬底内分布。所述深掺杂区304与阱区300构成感光二极管的PN结。参考图7，以栅极结构为掩膜，进行离子注入，在深掺杂区304内形成离子注入区 305，所述离子注入区305的深度小于深掺杂区304的深度，离子注入区305的掺杂类型与第一掺杂区301的掺杂类型相同。所述离子注入区305形成过程为形成覆盖所述第一掺杂区301的阻挡层(图中未示出)；图形化所述阻挡层，露出深掺杂区304表面区域；以所述栅极结构和阻挡层为掩膜，进行离子注入，在深掺杂区304内形成感光二极管的离子注入区305。所述离子注入区 305的掺杂类型与阱区300的掺杂类型相同，为P型，所述注入离子的氟化硼离子或者硼离子，所述离子注入的能量范围为20 40KeV，剂量范围为2 4E12/cm2。所述离子注入区 305的深度小于深掺杂区304的深度，所述离子注入区305的深度小于、等于或大于所述第一掺杂区301的深度，本实例中所述离子注入区305的深度小于第一掺杂区301的深度。本实施例中，形成离子注入区305过程中形成的阻挡层与形成深掺杂区304过程中形成的阻挡层为同一阻挡层。现有技术中(参考图幻栅极结构边缘和侧墙105底部的第一掺杂区101中部分掺杂离子扩散到栅极结构边缘的栅介质层102和侧墙105中，使得栅极结构边缘和侧墙105 底部的第一掺杂区101掺杂离子浓度减小，沟道关闭后，使得感光二极管和传输晶体管之间形成电势差，造成光电子向感光二极管的反向注入，本发明实施例中形成的离子注入区 305注入离子的类型与第一掺杂区301注入离子的类型相同，均为P型，即使栅极结构边缘和后续形成的侧墙底部区域的第一掺杂区301中的部分离子扩散到栅介质层302和侧墙中，由于侧墙底部离子注入区305掺杂离子的补充，栅极结构边缘和侧墙底部区域第一掺杂区301中的掺杂离子的浓度相对于沟道区的第一掺杂区301中的掺杂离子的浓度不会减小，因此光电二极管表面区域和传输晶体管的沟道区不会形成电势差，在沟道关闭时，不会引起光电子向光电二极管的反向注入，使光电二极管中的光电子完全传输出去，避免了残像的产生，提高了 CMOS图像传感器的成像质量。参考图8，形成位于所述栅极结构两侧的侧墙306 ；以栅极结构和侧墙306为掩膜， 向深掺杂区304内注入离子，形成浅掺杂区307。所述感光二极管的浅掺杂区307形成过程为形成覆盖所述第一掺杂区301的阻挡层(图中未示出)；图形化所述阻挡层，露出深掺杂区304 ；以所述栅极结构、阻挡层和侧墙306为掩膜，进行离子注入，在深掺杂区304内形成浅掺杂区307。所述浅掺杂区307的深度小于深掺杂区304的深度，所述浅掺杂区307的深度大于、等于、或小于离子注入区305 的深度，本实例中所述浅掺杂区307的深度小于离子注入区305的深度。所述浅掺杂区307 的掺杂类型与阱区相同，为P型，所述深掺杂区304离子注入的浓度大于离子注入区305离子注入的浓度，所述形成深掺杂区304注入离子为氟化硼离子或者硼离子，所述形成深掺杂区304离子注入的能量范围为20 40KeV，剂量范围为1 3E13/cm2。所述浅掺杂区307将深掺杂区305掩埋在阱区300内。在形成侧墙306后，所述离子注入区305有部分位于侧墙306下方的阱区300内， 能够补充栅极结构边缘和侧墙306底部区域的第一掺杂区301中的离子浓度，在第一掺杂区301中的部分离子扩散到栅介质层302和侧墙306后，保证栅极结构边缘和侧墙306底部区域的第一掺杂区301中的离子浓度不会减小，使之与沟道区的离子浓度持平，使得感光二极管表面区域与沟道的交叠区和沟道区不存在电势差，而现有技术形成的感光二极管， 栅极结构边缘和侧墙底部区域的第一掺杂区中的离子由于扩散到栅介质层和侧墙中得不到补充，使得栅极结构边缘和侧墙底部区域的第一掺杂区中的离子要小于沟道区的第一掺杂区中的离子浓度，使得感光二极管表面区域与沟道的交叠区和沟道区存在电势差。参考图8，由本发明实施例感光二极管制作方法形成的感光二极管，包括半导体衬底(未图示)；位于半导体衬底内的阱区300，位于阱区300内的第一掺杂区301 ；位于第一掺杂区301表面的栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层302和位于栅介质层上的栅极 303 ；位于栅极结构一侧阱区300内感光二极管的深掺杂区304 ；位于栅极结构两侧的侧墙 306 ；位于栅极结构、侧墙306 —侧深掺杂区304内的浅掺杂区307 ；深掺杂区304内离子注入区305，所述离子注入区305部分位于侧墙306下，所述离子注入区305深度小于深掺杂区304的深度，离子注入区305的掺杂类型与第一掺杂区301的掺杂类型相同。所述感光二极管还包括位于栅极结构相对感光二极管一侧的阱区300内的浮置扩散区(图中为示出)。参考图10，图10为本发明实施例与现有技术的传输晶体管沟道关闭后沟道区与感光二极管(PD)表面区域的电势分布对比示意图，其中横坐标为区域分布，纵坐标为电势分布，曲线10为现有技术感光二极管传输晶体管沟道区与感光二极管(PD)表面区域的电势；曲线20为本发明实施例形成的感光二极管传输晶体管沟道区与感光二极管(PD)表面区域的电势。曲线20中A段为传输晶体管沟道区的电势、B段为传输晶体管沟道区与感光二极管(PD)交叠区的电势。现有技术中(参考图幻栅极结构边缘和侧墙105底部的第一掺杂区101中部分掺杂离子扩散到栅极结构边缘的栅介质层102和侧墙105中，使得栅极结构边缘和侧墙105底部的第一掺杂区101掺杂离子浓度减小，传输晶体管沟道关闭后，曲线10中沟道区A段的电势小于与感光二极管(PD)交叠区B段的电势，使得感光二极管和传输晶体管之间形成电势差，造成光电子向感光二极管的反向注入，本发明实施例中形成的感光二极管(参考图7)的离子注入区305(部分位于侧墙306底部)注入离子的类型与第一掺杂区301注入离子的类型相同均为P型，即使栅极结构边缘和侧墙306底部区域的第一掺杂区301中的部分离子扩散到栅介质层302和侧墙306中，由于侧墙306底部离子注入区305掺杂离子的补充，栅极结构边缘和侧墙306底部区域第一掺杂区301中的掺杂离子的浓度相对于沟道区第一掺杂区301中的掺杂离子的浓度不会减小，传输晶体管沟道关闭后，沟道区A’的电势与沟道区和感光二极管交叠区B’的电势基本没有区别，因此光电二极管表面区域和传输晶体管的沟道区不会形成电势差，在沟道关闭时，不会引起光电子向光电二极管的反向注入，使光电二极管中的光电子完全传输出去，避免了残像的产生，提高了 CMOS图像传感器的成像质量。综上，本发明实施例提供的感光二极管及其制作方法，在形成感光二极管的浅掺杂区之前，于深掺杂区内形成离子注入区，所述离子注入区部分位于侧墙底部，离子注入区的掺杂类型与第一掺杂区的掺杂类型相同，在栅极结构边缘和侧墙底部区域的第一掺杂区中的部分离子扩散到栅介质层和侧墙时，离子注入区中的掺杂离子的补充到第一掺杂区， 使得栅极结构边缘和侧墙底部区域第一掺杂区中的掺杂离子的浓度相对于沟道区第一掺杂区中的掺杂离子的浓度不会减小，传输晶体管沟道关闭后，沟道区的电势与沟道区和感光二极管交叠区的电势基本一致，使在光电二极管表面区域和传输晶体管的沟道区不会形成电势差，在沟道关闭时，不会引起光电子向光电二极管的反向注入，使光电二极管中的光电子完全传输出去，避免了残像的产生，提高了 CMOS图像传感器的成像质量。本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
权利要求
1.一种感光二极管的制作方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有阱区，所述阱区内形成有第一掺杂区； 在所述第一掺杂区表面形成栅极结构； 在所述栅极结构一侧的阱区内形成感光二极管的深掺杂区； 形成位于所述栅极结构两侧的侧墙；以栅极结构和侧墙为掩膜，向深掺杂区内注入离子，形成浅掺杂区； 其特征在于，在形成深掺杂区之后，侧墙之前，还包括以栅极结构为掩膜，进行离子注入，在深掺杂区内形成离子注入区，所述离子注入区的深度小于深掺杂区的深度，离子注入区的掺杂类型与第一掺杂区的掺杂类型相同。
2.如权利要求1所述的感光二极管的制作方法，其特征在于，所述形成离子注入区离子注入的剂量范围为2 4E12/cm2，能量范围为20 40KeV。
3.如权利要求1所述的感光二极管的制作方法，其特征在于，所述离子注入区的掺杂类型为P型。
4.如权利要求1所述的感光二极管的制作方法，其特征在于，所述形成浅掺杂区离子注入的剂量范围为1 3E13/cm2，能量范围为20 40KeV。
5.如权利要求1所述的感光二极管的制作方法，其特征在于，所述阱区和第一掺杂区掺杂类型均为P型。
6.如权利要求1所述的感光二极管的制作方法，其特征在于，所述在半导体衬底内的形成阱区之后，还包括，在阱区内形成隔离结构。
7.如权利要求1所述的感光二极管的制作方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上的栅极。
8.如权利要求1所述的感光二极管的制作方法，其特征在于，所述栅极结构相对感光二极管一侧的阱区内形成有浮置扩散区。
9.一种感光二极管，包括 半导体衬底；位于半导体衬底内的阱区，位于阱区内的第一掺杂区；位于第一掺杂区表面的栅极结构；位于栅极结构一侧阱区内感光二极管的深掺杂区；位于栅极结构两侧的侧墙；位于栅极结构、侧墙一侧深掺杂区内的浅掺杂区；其特征在于，还包括，位于深掺杂区内的离子注入区，所述离子注入区部分位于侧墙下方，所述离子注入区的深度小于深掺杂区的深度，离子注入区的掺杂类型与第一掺杂区的掺杂类型相同。
10.如权利要求9所述的感光二极管，其特征在于，所述离子注入区的掺杂类型为P型。
11.如权利要求9所述的感光二极管，其特征在于，所述阱区和第一掺杂区掺杂类型均为P型。
12.如权利要求9所述的感光二极管，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上的栅极。
13.如权利要求9所述的感光二极管，其特征在于，所述栅极结构相对感光二极管一侧的阱区内形成有浮置扩散区。
全文摘要
一种感光二极管的制作方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有阱区，所述阱区内形成有第一掺杂区；在所述第一掺杂区表面形成栅极结构；在所述栅极结构一侧的阱区内形成感光二极管的深掺杂区；形成位于所述栅极结构两侧的侧墙；以栅极结构和侧墙为掩膜，向深掺杂区内注入离子，形成浅掺杂区；在形成深掺杂区之后，侧墙之前，还包括以栅极结构为掩膜，进行离子注入，在深掺杂区内形成离子注入区，所述离子注入区的深度小于深掺杂区的深度，离子注入区的掺杂类型与第一掺杂区的掺杂类型相同。本发明提供感光二极管制作方法，使感光二极管中光电子一次传输，提高成像质量。
文档编号H01L31/0352GK102339845SQ20111033525
公开日2012年2月1日 申请日期2011年10月28日 优先权日2011年10月28日
发明者吴小利 申请人:上海宏力半导体制造有限公司