1.一种基于八分之一模基片集成波导的高频率选择性带通滤波器，其特征在于，该滤波器基于八分之一模基片集成波导，包括上层介质基片(2)和下层介质基片(13)，所述上层介质基片(2)的上表面设置有上金属层(1)，下层介质基片(13)的下表面设置有下金属层(11)，上层介质基片(2)、下层介质基片(13)之间设置中间金属层(8)；所述上层介质基片(2)设置有第一排金属化通孔(3)、第二排金属化通孔(5)，下层介质基片(13)相应的位置设置第三排金属化通孔(9)、第四排金属化通孔(10)；
所述上金属层(1)、下金属层(11)均为等腰直角三角形；第一条馈电微带线(4)设置于上层介质基片(2)，且与上金属层(1)的斜边相接；第二条馈电微带线(12)设置于下层介质基片(13)，且与下金属层(11)的斜边相接；所述中间金属层(3)设置一个矩形的第一孔隙(6)，以及一个扇形的第二孔隙(7)。
2.根据权利要求1所述的基于八分之一模基片集成波导的高频率选择性带通滤波器，其特征在于，所述馈电微带线(4)与上金属层(1)的斜边靠近扇形空隙处相连，所述馈电微带线(12)与下金属层(11)的斜边靠近扇形空隙处相连，且两条馈电微带线关于中间金属层(8)上下对称。
3.根据权利要求2所述的基于八分之一模基片集成波导的高频率选择性带通滤波器，其特征在于，所述上金属层(1)被第一排金属化通孔(3)、第二排金属化通孔(5)所在直线分为上下两部分，其中与第一馈电微带线相连的记为上金属层(1)下部分，不与馈电微带线相连的记为上金属层(1)上部分；下金属层(11)被第三排金属化通孔(9)、第四排金属化通孔(10)所在直线分为上下两部分，其中与第二馈电微带线相连的记为下金属层(1)下部分，不与馈电微带线相连的记为下金属层(1)上部分；
所述上金属层(1)下部分、上层介质基片(2)、中间金属层(8)和第一排金属化通孔(3)、第二排金属化通孔(5)构成八分之一模基片集成波导腔体，记为一号腔体；上金属层(1)上部分、上层介质基片(2)、中间金属层(8)和第一排金属化通孔(3)、第二排金属化通孔(5)构成八分之一模基片集成波导腔体，记为二号腔体；下金属层(1)下部分、下层介质基片(13)、中间金属层(8)和第三排金属化通孔(9)、第四排金属化通孔(10)构成八分之一模基片集成波导腔体，记为四号腔体；下金属层(1)上部分、下层介质基片(13)、中间金属层(8)和第三排金属化通孔(9)、第四排金属化通孔(10)构成八分之一模基片集成波导腔体，记为三号腔体。
4.根据权利要求3所述的基于八分之一模基片集成波导的高频率选择性带通滤波器，其特征在于，所述中间金属层(8)设置矩形的第一孔隙(6)，以及扇形的第二孔隙(7)，其中第二孔隙(7)为45度的扇形，且第二孔隙(7)的圆心位于上金属层(1)的锐角处；所述第一孔隙(6)用来提供二号腔体和三号腔体之间的耦合，第二孔隙(7)用来提供一号腔体和四号腔体之间的耦合；同时第一馈电微带线(4)与第二馈电微带线(12)之间能通过第二孔隙(7)产生弱耦合。