1.一种太阳电池，其特征在于，包括：
N型硅片，所述N型硅片具有绒面和抛光面，所述N型硅片的绒面侧包括n+前表面场层，所述n+前表面场层形成于所述绒面上，
所述N型硅片的抛光面侧包括p+发射极区域和多个n+背表面场区域，所述p+发射极区域与所述n+背表面场区域相邻，每个所述n+背表面场区域由所述p+发射极区域包围，所述n+背表面场区域和所述p+发射极区域均延伸至所述N型硅片内，所述p+发射极区域的顶部表面与所述n+背表面场区域的顶部表面齐平；
第一钝化减反射膜层和第二钝化减反射膜层，所述第一钝化减反射膜层位于所述n+前表面场层上，所述第二钝化减反射膜层覆盖所述p+发射极区域和所述n+背表面场区域；以及
正电极和负电极，所述正电极和所述负电极均位于所述第二钝化减反射膜层上，所述正电极与所述负电极相邻，相邻的所述正电极和所述负电极之间有间隔，且所述正电极向所述p+发射极区域延伸，且其延伸至所述p+发射极区域的顶部表面，所述负电极向所述n+背表面场区域，且其延伸至所述n+背表面场区域的顶部表面。
2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述n+前表面场层和所述n+背表面场区域的扩散方阻均为30-300Ω/sq。
3.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述n+背表面场区域的大小为10-300微米，且相邻的所述n+背表面场区域的中心点之间的距离为500-5000微米。
4.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第一钝化减反射膜层为氧化硅层或氮化硅层，所述第一钝化减反射膜层的厚度为5纳米-100纳米，所述第二钝化减反射膜层为氧化硅层或氮化硅层，所述第二钝化减反射膜层的厚度为5纳米-100纳米。
5.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第一钝化减反射膜层和所述第二钝化减反射膜层均包括依次层叠的氧化硅层和氮化硅层，且所述氧化硅层的厚度为5纳米-20纳米，所述氮化硅层的厚度为50纳米-150纳米。
6.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述负电极的直径为100-1000微米。
7.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述正电极和所述负电极之间的间隔的距离为10-1000微米。