1.一种选择区域外延生长界面改善结构，其特征在于，包括衬底（1）、在衬底（1）上生长应力缓冲层（2）、在应力缓冲层上生长GaN缓冲层（3）、在GaN缓冲层（3）上沉积一层SiO2作为掩膜层（7）；在未被掩蔽的区域沉积低气压生长的GaN插入层（4），在低气压生长的GaN插入层（4）上沉积常规生长的GaN沟道层（5）；在GaN沟道层（5）上沉积AlGaN势垒层（6）。
2.根据权利要求1所述的一种选择区域外延生长界面改善结构，其特征在于：所述的衬底（1）为 Si 衬底、蓝宝石衬底、碳化硅衬底、GaN自支撑衬底中的任一种。
3.根据权利要求1所述的一种选择区域外延生长界面改善结构，其特征在于：所述的应力缓冲层厚度为10 nm～5 μm。
4.根据权利要求1所述的一种选择区域外延生长界面改善结构，其特征在于：所述的GaN缓冲层（3）为非故意掺杂的GaN外延层或掺杂的高阻GaN外延层；GaN缓冲层厚度为100 nm~20 μm。
5.根据权利要求1所述的一种选择区域外延生长界面改善结构，其特征在于：所述的低气压生长的GaN插入层（4）厚度为10nm~300 nm。
6.根据权利要求1所述的一种选择区域外延生长界面改善结构，其特征在于：所述的常规生长的GaN沟道层（5），厚度为5-100 nm。
7.根据权利要求1所述的一种选择区域外延生长界面改善结构，其特征在于：所述的AlGaN势垒层（6），厚度为5-50 nm。
8.根据权利要求1所述的一种选择区域外延生长界面改善结构，其特征在于：所述的AlGaN势垒层（6）中与GaN沟道层（5）之间还插入一AlN薄层，厚度为1-10 nm。