技术总结
本实用新型提出一种LED芯片，包括：衬底，在所述衬底之上依次形成的缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述P型半导体层上形成有刻蚀至N型半导体层的台阶；P电极，所述P电极形成在所述P型半导体层上；N电极，所述N电极形成在台阶上并与N型半导体层电连接；其中，所述台阶上形成有延伸至N型半导体层中的第一沟槽，及在所述第一沟槽内的部分区域形成的延伸至衬底的第二沟槽。本实用新型的LED芯片可以有效减小电流拥堵，使得电流扩散更加均匀，发光效率得到提高，寿命长、稳定性得到增强。
技术研发人员：张杰;彭遥
受保护的技术使用者：惠州比亚迪实业有限公司
文档号码：201620801113
技术研发日：2016.07.27
技术公布日：2017.02.22