1.一种2.1微米波段脉冲激光的产生装置，包括半导体泵浦脉冲激光器、泵浦光聚焦耦合系统及谐振腔，其特征在于，所述谐振腔包括端面泵浦激光介质，所述端面泵浦激光介质为掺杂钕离子的钒酸盐晶体；所述半导体泵浦脉冲激光器产生的泵浦光经所述泵浦光聚焦耦合系统耦合进入所述掺杂钕离子的钒酸盐晶体，输出2.1微米波段脉冲激光。
2.如权利要求1所述的产生装置，其特征在于，所述谐振腔还包括泵浦端腔镜，所述泵浦端腔镜位于所述泵浦光聚焦耦合系统和所述端面泵浦激光介质之间，用于反射1.34微米、1.52微米、1.76微米及2.1微米波段的脉冲激光、同时透过808纳米波段的泵浦光。
3.如权利要求2所述的产生装置，其特征在于，所述谐振腔还包括输出镜，用于反射1.34微米、1.52微米及1.76微米波段、同时反射及透过2.1微米波段的脉冲激光。
4.如权利要求1所述的产生装置，其特征在于，所述谐振腔还包括声光Q开关，所述声光Q开关位于所述端面泵浦激光介质和所述输出镜之间，用于提高所述谐振腔内的脉冲激光功率密度。
5.如权利要求1所述的产生装置，其特征在于，所述泵浦光的波长为808纳米。
6.如权利要求1所述的产生装置，其特征在于，所述端面泵浦激光介质为Nd:YVO4晶体或Nd:GdVO4晶体。