技术总结
本实用新型涉及图像传感器和成像像素。图像传感器包括成像像素，成像像素包括：第一衬底；第二衬底；在第一衬底中形成的光电二极管；在第一衬底中形成的第一电荷转移栅极和第二电荷转移栅极；在第二衬底中形成的第一电荷存储区和第二电荷存储区；以及第一互连层和第二互连层，其中第一互连层将第一电荷转移栅极耦接到第一电荷存储区，并且其中第二互连层将第二电荷转移栅极耦接到第二电荷存储区。本实用新型解决的技术问题是改善占用可用像素区域且增加传感器成本的在全局快门扫描模式下操作的常规图像传感器。实现的技术效果是提供用于图像传感器的改善的像素，改善的像素具有较大的光圈效率和HDR性能高分辨率而不牺牲光电二极管的大小。
技术研发人员：J·海耐克
受保护的技术使用者：半导体元件工业有限责任公司
文档号码：201621200771
技术研发日：2016.11.08
技术公布日：2017.08.15