一种具有超低逸出功的阳极的制作方法

技术特征：

1.一种具有超低逸出功的阳极，其特征在于它包括单晶硅层、HfO₂层、单层石墨烯层、附加层；所述单晶硅层的上表面附有一层HfO₂层，HfO₂层上表面附有长宽5×5mm的单层石墨烯层，单层石墨烯层的上表面镀有一层附加层；所述单晶硅层为高参杂的单晶硅层；所述HfO₂层的厚度为20nm；所述单层石墨烯层内参杂有静电；所述附加层为铯元素层或氧元素层，附加层的厚度为一个原子层厚度。