技术总结
本实用新型涉及超低逸出功材料技术领域，具体涉及一种具有超低逸出功的阳极，它包括单晶硅层、HfO2层、单层石墨烯层、附加层；所述单晶硅层的上表面附有一层HfO2层，HfO2层上表面附有长宽5×5mm的单层石墨烯层，单层石墨烯层的上表面镀有一层附加层；所述单晶硅层为高参杂的单晶硅层；所述HfO2层的厚度为20nm；所述单层石墨烯层内参杂有静电；所述附加层为铯元素层或氧元素层，附加层的厚度为一个原子层厚度。本实用新型所述的阳极其逸出功降低到了3eV以下，大大提高了阳极能量转化的效率。
技术研发人员：常帅;袁弘渊;黄明柱
受保护的技术使用者：武汉科技大学
文档号码：201621327743
技术研发日：2016.11.28
技术公布日：2017.05.31