大电流内扣式贴片整流桥的制作方法

本实用新型涉及半导体二极管技术领域，具体涉及一种大电流内扣式贴片整流桥结构。

背景技术：

近年来，随着电源充电要求的提升，电源充电器中前端整流的电流越来越大，从原有的1A，逐步升级为2A、3A、4A。这就要求前端整流的电容量要大，同时面临市场人工效率的提升，也带来了各种技术上的挑战。不仅如此，客户对于电子产品外观要求也越来越严格，致使日益激烈的市场竞争驱使着电子行业必须有着更高的生产效率和质量要求，但目前的普通贴片封装二极管生产效率和产品质量都已达到一个极限而难以提高，难以满足目前的发展要求。

技术实现要素：

本实用新型旨在提供一种大电流、提高生产效率与产品质量的内扣式贴片整流桥。

为此，本实用新型所采用的技术方案为：一种大电流内扣式贴片整流桥，包括塑封体，以及封装于塑封体内的跳线、芯片和下料片，所述下料片由位于一侧的第一下料片、第二下料片和位于另一侧的第三下料片、第四下料片组成，所述跳线共四个，跳线呈“Z”形，跳线的上水平段底部设置有凸点，所述第一下料片、第二下料片位于塑封体内的部分包括一个芯片焊接部和一个跳线下水平段焊接部，第三下料片位于塑封体内的部分包括两个芯片焊接部，第四下料片位于塑封体内的部分包括两个跳线下水平段焊接部，所述芯片共四个且小窗口面朝上，所述芯片一一对应地焊接在跳线的上水平段与下料片的芯片焊接部之间，跳线的下水平段与下料片的跳线下水平段焊接部一一对应焊接，从而构成共阴极焊接；所有下料片位于塑封体外的引脚部分向内弯折到塑封体下方，从而构成内扣式结构。

作为上述方案的优选，所述下料片的引脚部分与塑封体的底面平行，使整体结构更为紧凑。

本实用新型的有益效果：

(1)传统两正两反的芯片焊接结构，将两个凸点设置在下料片上，两个凸点设置在跳线上，通过下料片上的凸点支撑比整个下料片对芯片的支撑面积小，极易造成芯片焊接时的倾斜(如图3所示)；本实用新型采用共阴极焊接，将凸点全部设置在跳线上，所有芯片焊接平稳，产品质量显著提高，有效减少焊接时晶粒的各种不良现象；

(2)传统下料片采用海鸥式结构(如图4所示)，即下料片呈“Z”形，下料片位于塑封体外的引脚部分向外水平延伸；本实用新型所有下料片位于塑封体外的引脚部分向内弯折到塑封体下方，从而构成内扣式结构，在同样外形尺寸要求的前提下，可增加下料片的芯片焊接部面积，进行大晶粒的封装，生产大电流整流桥；

(3)海鸥式下料片的印字封装使用管装入料，内扣式结构使用转盘入料，使封装效率提高。

附图说明

图1为本实用新型的主视图。

图2为本实用新型的俯视图。

图3为传统两正两反结构，凸点设置在下料片上，芯片焊接出现倾斜的示意。

图4为传统下料片采用海鸥式结构的整流桥。

具体实施方式

下面通过实施例并结合附图，对本实用新型作进一步说明：

结合图1—图2所示，一种大电流内扣式贴片整流桥，由塑封体1，以及封装于塑封体1内的跳线2、芯片3和下料片4组成。

下料片4由位于一侧的第一下料片4a、第二下料片4b和位于另一侧的第三下料片4c、第四下料片4d组成，跳线2共四个，跳线2呈“Z”形，跳线2的上水平段底部设置有凸点2a用于焊接芯片3。

第一下料片4a、第二下料片4b位于塑封体1内的部分包括一个芯片焊接部和一个跳线下水平段焊接部，第三下料片4c位于塑封体1内的部分包括两个芯片焊接部，第四下料片4d位于塑封体1内的部分包括两个跳线下水平段焊接部，芯片焊接部用于焊接芯片3，跳线下水平段焊接部用于与跳线2的下水平段焊接。

芯片3共四个且小窗口面朝上，芯片3一一对应地焊接在跳线2的上水平段与下料片的芯片焊接部之间，跳线2的下水平段与下料片的跳线下水平段焊接部一一对应焊接，从而构成共阴极焊接。

所有下料片位于塑封体1外的引脚部分向内弯折到塑封体1下方，从而构成内扣式结构。最好是，下料片的引脚部分与塑封体1的底面平行。

最好是，芯片3为玻璃钝化硅芯片，塑封体1采用环氧树脂注塑封装。