用于制造光电子转换半导体芯片的方法和转换半导体芯片的复合件与流程

本发明涉及一种用于制造光电子转换半导体芯片的方法。本发明还涉及一种转换半导体芯片的复合件。

背景技术：

为了制造转换半导体芯片需要：将转换层施加到完成工艺处理的半导体芯片上。对此，完成工艺处理的半导体芯片必须施加到临时载体上。对此需要：夹紧每个单独的半导体芯片并且再次放下并且随后用转换层来覆层。这是耗费的且高成本的。

技术实现要素：

本发明的目的是：提供一种用于制造光电子转换半导体芯片的方法，所述方法实现简单地制造这种转换半导体芯片。此外，，本发明的目的是：提供一种用于制造光电子转换半导体芯片的更低成本的方法。

所述目的通过根据独立权利要求1所述的用于制造光电子转换半导体芯片的方法来实现。本发明的有利的设计方案和改进方案是从属权利要求的主题。此外，所述目的通过根据独立权利要求12所述的转换半导体芯片复合件来实现。复合件的有利的设计方案和改进方案是从属权利要求13和14的主题。

在至少一个实施方式中，用于制造光电子转换半导体芯片的方法包括如下步骤：

a)提供生长衬底；

b)将半导体层序列生长到生长衬底上，

c)将电接触件施加到半导体层序列的背离生长衬底的后侧上，

d)打薄生长衬底，

e)将转换层施加到打薄的成长衬底上，和

f)至少分割打薄的生长衬底和半导体层序列，以产生至少两个光电子转换半导体芯片。

在此处描述的方法中，制造光电子转换半导体芯片。借此表示：制造至少两个转换半导体芯片。尤其，制造多于两个转换半导体芯片，尤其制造多个转换半导体芯片，所述转换半导体芯片尤其位于晶片复合件上。

根据至少一个实施方式，所述方法包括制造至少两个转换半导体芯片。转换半导体芯片尤其为发光二极管，简称led。于是，半导体芯片优选设计用于：发射蓝光或白光。尤其，转换层设计用于：将由半导体芯片发射的辐射，尤其出自蓝色范围中的辐射转换成白光。

根据至少一个实施方式，转换半导体芯片分别为倒装芯片。借此，在此和在下文中表示：转换半导体芯片将其电接触件全部设置在主面上，经由所述主面将转换半导体芯片分别安装在承载件、尤其最终承载件上。最终承载件能够是壳体、陶瓷件或金属芯电路板。这种转换半导体芯片显示出如下优点：对于电端子例如不再需要例如呈键合线形式的附加的电接触件。

根据至少一个实施方式，在所述方法中提供生长衬底。生长衬底能够包括绝缘材料或半导体材料，例如iii-v族化合物半导体材料。尤其，生长衬底能够包括蓝宝石、gaas、gap、gan、inp、sic、si和/或ge，或由这种材料构成。

在方法步骤a)中提供生长衬底之后，在随后的方法步骤d)中能够打薄生长衬底。借此，在此和在下文中表示：减小生长衬底的层厚度。

尤其，生长衬底的层厚度减小为十分之一至二分之一，例如减小为十分之一。例如，生长衬底的层厚度从1mm减小到100μm或从700μm减小到250μm或300μm。打薄能够通过磨削和/或等离子工艺进行。

根据至少一个实施方式，所述方法具有方法步骤b)，将半导体层序列生长到生长衬底上。尤其，生长整面地进行，即生长到整个生长衬底上。将一个层或一个元件设置或施加或生长在另一层或另一元件“上”或“上方”在此和在下文中能够表示：这一个层或这一个元件直接地以直接机械和/或电接触的方式设置在另一层或另一元件上。此外也能够表示：这一个层或这一个元件间接地设置在另一层或另一元件之上或上方。在此，于是能够将其他的层和/或元件设置在一个和另一层或一个和另一元件之间。

根据至少一个实施方式，所得出的转换半导体芯片分别包括半导体层序列。转换半导体芯片的半导体层序列优选分别基于iii-v族化合物半导体材料。半导体材料优选能够基于氮化物化合物半导体材料。“基于氮化物化合物半导体材料”在本文中表示：半导体层序列或者其至少一个层包括iii族氮化物化合物半导体材料，优选包括inxalyga1-x-yn，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1。在此，所述材料不必强制性地具有根据上式的数学上精确的组成。更确切地说，所述材料能够具有一种或多种掺杂材料以及附加的组成部分，其基本上不改变inxalyga1-x-yn材料的特征性的物理特性。然而为了简单性，上式仅包括晶格的主要组成部分(in，al，ga，n)，即使其能够部分地通过少量其他材料取代时也如此。半导体层序列能够包括氮化铝和/或氮化硅。

半导体层序列包含具有至少一个pn结和/或具有一个或多个量子阱结构的有源层。在转换半导体芯片运行时，在有源层中产生电磁辐射。辐射的波长或波长最大值优选位于紫外和/或可见光谱范围中，尤其位于400nm和680nm之间的波长中，例如440nm和480nm之间的波长中，其中包括边界值。

根据至少一个实施方式，所述方法具有方法步骤c)，将电接触件施加到半导体层序列的背离生长衬底的后侧上。半导体层序列的背离生长衬底的后侧在此和在下文中表示：该后侧垂直于转换半导体芯片的半导体层序列的生长方向定向。尤其，后侧设置在半导体层序列的生长衬底的相对置的侧上，即背离生长衬底的一侧上。

所得出的转换半导体芯片能够分别至少包括电接触件和另一电接触件。电接触件用于电接触转换半导体芯片。尤其，电接触件是p型端子接触件，即电接触半导体层序列的至少一个p型半导体层的接触件。尤其，另一电接触件是n型端子接触件，即电接触半导体层序列的至少一个n型半导体层的接触件。电接触件例如能够具有如下金属中的至少一种：金、银、钛、铂、钯、铜、镍、铟、铑、铬、铝或钨。所述金属例如能够通过蒸镀、溅射或电化学沉积方法、例如电镀来沉积。

尤其，电接触件通过至少一个绝缘层彼此分开，以便防止短路。电接触件和/或另一电接触件能够成形为层。

生长工艺尤其能够在晶片复合件中进行。换言之，，生长衬底以晶片的形式提供，例如蓝宝石晶片的形式提供，半导体层序列大面积地生长在生长衬底上。生长的半导体层序列能够在另一方法步骤中分割成单独的半导体芯片，尤其转换半导体芯片，其中通过分割能够形成半导体芯片的侧面。

根据至少一个实施方式，所述方法具有方法步骤e)，将转换层施加到打薄的生长衬底上。尤其，将转换层整面地施加到打薄的生长衬底上。尤其，以直接机械接触的方式施加到打薄的生长衬底上。

尤其，转换层设计用于：将由半导体层序列发射的初级辐射至少部分地转换成与初级辐射不同的次级辐射。

例如，初级辐射能够具有出自紫外至绿色波长范围中的波长范围，而次级辐射能够具有出自蓝色至红外波长范围中的波长范围。特别优选的是，初级辐射和次级辐射能够叠加地产生白色的发光印象。对此，初级辐射能够产生蓝色的发光印象并且次级辐射能够产生黄色的发光印象，所述黄色的发光印象能够通过黄色波长范围中的次级辐射的光谱分量和/或绿色和红色波长范围中的光谱分量形成。

根据至少一个实施方式，初级辐射选自蓝色光谱范围、尤其440nm至480nm的光谱范围。根据至少一个实施方式，次级辐射选自515nm至560nm和/或600nm至750nm之间的波长范围中。转换层具有转换材料，所述转换材料尤其设立为用于：在转换半导体芯片运行时，至少部分地吸收由半导体层序列、即半导体层序列的有源区域发射的初级辐射，并且作为具有至少部分与初级辐射不同的波长范围的次级辐射发射。转换层能够构成为层薄膜或层系统。在此，借助层系统表示：转化层由具有不同转换材料的子层组成，其中在各个子层中存在不同组成的转换材料。

转换材料能够是发光材料。发光材料能够分布在基体材料中。尤其，将聚合物或陶瓷材料用作为基体材料。基体材料能够选自：硅氧烷，氧化物，丙烯酸酯，硅酮，甲基丙烯酸酯，酰亚胺，碳酸酯，烯烃，苯乙烯，聚氨酯，它们的衍生物以及它们的混合物、共聚物和化合物。这些化合物以单体，低聚物或聚合物的形式存在。例如，基体材料能够包括或者是环氧树脂，聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)，聚苯乙烯，聚碳酸酯，聚丙烯酸酯，聚氨酯或有机硅树脂，如聚硅氧烷或由上述材料构成的混合物。

转换材料能够选自：石榴石，焙砂(calsine)，量子点和稀土掺杂的正硅酸盐。

石榴石例如能够是钇铝石榴石，简称yag。所述石榴石尤其用铈掺杂。

焙砂例如能够是ca1-xeuxalsin3，其中x＝0-0.2。尤其，ca能够至少部分地通过锶和/或钡取代。

稀土掺杂的正硅酸盐例如能够是sr2sio4:eu。

根据至少一个实施方式，转换层附加地能够包括填料，例如金属氧化物，即例如二氧化钛、二氧化锆、氧化锌、氧化铝、硫酸钡盐和/或玻璃颗粒。填料能够设立用于：至少部分地散射由半导体芯片发射的初级辐射，和/或散射被吸收到半导体层序列中的辐射。

转换层在方法步骤e)中能够以液态形式施加。这尤其表示：固态的转换材料分散在基体材料的液相中，并且这两者共同地施加。可能地，液态基体材料和转换材料例如能够施加在具有有源区域的半导体层序列上。尤其，基体材料和转换材料能够直接施加到生长衬底上。

根据至少一个实施方式，借助于注塑、喷射覆层或灌封来进行步骤d)。尤其，转换层作为膏、粒料、液体或溶液施加。替选地，转换层也能够被层压。

根据至少一个实施方式，所述方法包括方法步骤f)，分割至少一个打薄的生长衬底和半导体层序列，以产生至少两个光电子转换半导体芯片。然而，尤其，形成多于两个转换半导体芯片，例如多于100或200个转换半导体芯片。

根据至少一个实施方式，借助于锯割、隐形切割、激光切割、激光分离或刻划和折断来进行步骤f)。

刻划和折断尤其表示：至少将生长衬底机械地、例如借助于金刚石刮刀或借助于激光器至少进行刻划并且随后折断。

根据至少一个实施方式，在步骤d)之后进行附加的步骤d1)，切开生长衬底至少或刚好直至半导体层序列，以形成第一中间空间。在此，在步骤e)中将转换层附加地设置在第一中间空间中。换言之，在此，生长衬底在侧视图中竖直地切开至少或刚好直至半导体层序列。这尤其表示：半导体层序列尤其未被损坏。于是，当转换半导体芯片未被分割时，形成第一中间空间，即在相邻的所得出的转换半导体芯片之间的空间。将转换层在步骤e)中附加地设置在所述第一中间空间中。尤其，转换层形状配合地和/或直接地、即以直接机械接触的方式覆盖第一中间空间。第一中间空间仅延伸穿过生长衬底，即不延伸穿过半导体层序列。在步骤f)之后，尤其使用下述光电子转换半导体芯片，所述转换半导体芯片具有侧壁，所述侧壁不具有转换层。

替选地或附加地，在步骤d)之后能够进行附加的步骤d2)，切开生长衬底和半导体层序列直至电接触件，以形成第二中间空间。替选地，尤其当相邻的半导体芯片在分割之前不具有共同的电接触件时，代替切开直至电接触件，切开能够进行直至电介质或金属层，，因为所述电接触件例如事先已经被切开。尤其，电接触件或电介质作为层成形。转换层在步骤e)中于是附加地设置在该第二中间空间中，其中在步骤f)之后产生光电子转换半导体芯片，所述光电子转换半导体芯片具有侧壁，所述侧壁至少部分地借助转换层覆盖。换言之，在此，，生长衬底在侧视图中竖直完全地分开半导体层序列。在此，形成第二中间空间。不切开至少一个电接触件、电介质或金属层。在第二中间空间中，转换层尤其以直接机械接触的方式和/或形状配合地设置。借助侧壁在此和在下文中表示：相应的转换半导体芯片的侧面，即生长衬底和半导体层序列的侧面。所述侧面借助转换层至少部分地覆盖。尤其，生长衬底和半导体层序列的侧面完全地借助转换层覆盖。尤其，第一接触件的侧面不具有转换层，所述第一接触件尤其作为层成形。

替选地或附加地，在步骤d)之后进行附加的步骤d4)，切开生长衬底、半导体层序列和电接触件，以形成第三中间空间，，其中将转换层在步骤e)中附加地设置在第三中间空间中，其中在步骤f)之后产生光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片具有侧壁，所述侧壁借助转换层完全覆盖。替选地，尤其当相邻的半导体芯片在分割之前不具有共同的电接触件时，代替电接触件能够切开电介质或金属层，因为事先已经切开所述电接触件。换言之，在此，生长衬底和半导体层序列和电接触件或电介质或金属层被完全地切开，所述电接触件设置在半导体层序列的后侧上。由此，在相邻的转换半导体芯片之间形成中间空间，在此称作为第三中间空间。所述第三中间空间用转换层在步骤e)中完全地填充，，尤其形状配合地填充。由此，在直接工艺处理中能够产生转换半导体芯片，所述转换半导体芯片借助转换层覆盖所述侧壁、即生长衬底的和半导体层序列的和电接触件的侧面，而且借助转换层覆盖生长衬底的表面。尤其，转换层完全地设置在转换半导体芯片的侧壁上。

根据至少一个实施方式，在一个工艺中，首先形成第一中间空间，随后形成第二中间空间，并且最后形成第三中间空间。换言之，中间空间依次在一个工艺中形成。

根据至少一个实施方式，在步骤d)之后和/或在步骤d4)之前进行附加的步骤d3)，至少将生长衬底和半导体层序列和电接触件施加到临时载体上，其中在步骤d4)中首先切开生长衬底，，随后切开半导体层序列，并且随后切开电接触件，其中临时载体未被切开，即以未分开的方式存在。替选地，代替电接触件能够存在电介质或金属层，所述金属层在步骤d3)中施加并且在步骤d4)中切开。尤其，临时载体在步骤e)或f)之后再次移除。临时载体例如能够为薄膜(英文：foil)、电路板或通常为板，所述板以塑料材料、金属、陶瓷材料或半导体材料形成。临时载体尤其设置到半导体层序列的或电接触件的背离生长衬底的一侧上。

根据至少一个实施方式，在步骤d)之前，即在打薄生长衬底之前，切开电接触件和半导体层序列并且至少部分地切开生长衬底。切开从背离生长衬底的一侧起进行。换言之，首先切开电接触件、随后切开半导体层序列并且随后至少部分地切开衬底。替选地，代替电接触件也能够存在电介质或金属层，所述电介质或金属层随后被切开。在随后的方法步骤d)中，磨掉生长衬底直至该切开的区域。借此，，能够产生半导体芯片，所述半导体芯片彼此分开。尤其，所述半导体芯片不具有转换层。

根据至少一个实施方式，转换层在转换半导体芯片的侧壁上具有1μm至1mm、尤其20μm至400μm的层厚度。替选地或附加地，转换层在生长衬底上能够具有20μm至400μm的层厚度。尤其，转换层在生长衬底上和在侧壁上的层厚度是相同的。

根据至少一个实施方式，在步骤f)之后进行附加的步骤g)和/或h)。步骤g)包括测试光电子转换半导体芯片。借此尤其表示：对转换半导体芯片测试其功能性或可操作性。方法步骤h)包括封装光电子转换半导体芯片、尤其用于销售的封装。

此外，提出一种转换半导体芯片的复合件。用于制造转换半导体芯片的方法优选制造转换半导体芯片的复合件。这就是说，全部针对方法公开的特征也针对转换半导体芯片的复合件公开，并且反之亦然。

借助复合件在此尤其表示晶片复合件。尤其，在此，多个所产生的或制造的转换半导体芯片设置在共同的载体衬底或生长衬底上。尤其，将多于100个转换半导体芯片设置在所述共同的衬底上。

根据至少一个实施方式，转换半导体芯片的复合件分别包括：具有至少一个n型半导体层和至少一个p型半导体层的半导体层序列。在至少一个n型半导体层和至少一个p型半导体层之间设置有有源层。有源层设立用于发射初级辐射。替选地，转换半导体芯片的复合件包括共同的半导体层序列。分别将生长衬底设置在共同的或每个半导体层序列下游，尤其直接设置在共同的或每个半导体层序列下游。转换半导体芯片的复合件分别包括电接触件或包括共同的接触件，所述接触件电接触至少一个p型半导体层，并且分别电接触另一电接触件或共同的电接触件，所述电接触件至少电接触n型半导体层。这两个接触件尤其设置在共同的或相应的半导体层序列的背离生长衬底的后侧上。转换半导体芯片尤其为转换倒装芯片。转换半导体芯片在转换半导体芯片的复合件中具有共同的转换层。共同的转换层直接设置在相应的生长衬底下游。换言之，共同的转换层包覆各个转换半导体芯片。转换层能够具有1μm至1mm、尤其20μm至400μm的层厚度。

换言之，在此，提出一种转换半导体芯片的复合件，其中转换半导体芯片尚未分开或分割，进而至少经由共同的转换层彼此连接。

尤其，转换半导体芯片除了共同的转换层之外能够具有共同的半导体层序列和/或电接触件，使得例如仅切开共同的生长衬底，以形成相应的转换半导体芯片的生长衬底。替选地，每个转换半导体芯片具有自身的生长衬底，自身的半导体层序列和/或自身的电接触件，使得它们仅还经由共同的转换层彼此连接。

根据至少一个实施方式，共同的转换层至少覆盖生长衬底的表面和相应的生长衬底的侧面。尤其，转换层形状配合地覆盖相应的生长衬底的表面和侧面。

根据至少一个实施方式，共同的转换层附加地设置在半导体层序列的相应的侧面上和/或各个转换半导体芯片的电接触件的侧面上。尤其，共同的转换层形状配合地覆盖半导体层序列的侧面。

发明人认识到：通过在完成工艺处理的转换半导体芯片之内施加转换层，不需要将芯片不必要地单独设置用于施加转换层。这节约了时间和成本。

附图说明

从下面结合附图描述的实施例中得出另外的优点、有利的实施方式和改进形式。

附图示出：

图1a至6e、8a至8d、9a至9d和10a至10d分别示意性地示出根据一个实施方式的用于制造转换半导体芯片的方法的侧视图，和

图7a至7c示意性地示出根据一个实施方式的转换半导体芯片的复合件的侧视图。

在实施例和附图中，相同的、同类的或起相同作用的元件能够分别设有相同的附图标记。示出的元件和其彼此间的大小比例不能够视为是合乎比例的，更确切地说，为了更好的可视性和/或为了更好的理解能够夸大地示出个别元件、即例如层、构件、器件和区域。

具体实施方式

图1a和1b示出根据一个实施方式的用于制造光电子转换半导体芯片61、62的方法的示意侧视图。图1a示出方法步骤a)。提供生长衬底1。生长衬底1尤其是蓝宝石衬底。图1b示出方法步骤b)。在方法步骤b)中将半导体层序列2施加、尤其生长到生长衬底1上。尤其，直接地施加半导体层序列2，即以直接机械接触的方式施加到生长衬底1上。半导体层序列2尤其设置在生长衬底1的后侧12上。半导体层序列2能够包括氮化铝层。

下面在图2a至6e和8a至9d中描述的、用于制造转换半导体芯片的方法示例性地示出两个转换半导体芯片的制造。然而，这种在此描述的方法不是仅限制于制造两个转换半导体芯片，而是能够借助该方法尤其同时地制造多于两个转换半导体芯片。

在图2a至7c中描述的转换半导体芯片能够具有绝缘层(在此未示出)。尤其，绝缘层设置在第一接触件3和另一接触件8之间，以避免短路。

图2a至2d示意地示出根据一个实施方式的用于制造光电子转换半导体芯片61、62的方法。

图2a示出生长衬底1，在所述生长衬底上生长半导体层序列2。此外，图2a示出在此作为层成形的电接触件3以及另一电接触件8，所述另一电接触件伸入到n型半导体层序列23中。图2a示出制造方法直至方法步骤c)(直至方法步骤c)示出制造方法)。随后，如在图2b中示出那样，通过打薄生长衬底进行方法步骤d)。换言之，在此减小生长衬底的层厚度。随后，如在图2c中示出的那样，施加转换层4。转换层4尤其整面地直接施加到生长衬底1上。随后，进行方法步骤f)，在所述方法步骤中进行分割，以产生光电子转换半导体芯片，在此示例地制造两个光电子转换半导体芯片61、62。所得出的转换半导体芯片61、62尤其是结构相同的。转换半导体芯片61、62具有转换层4、生长衬底1、半导体层序列2和电接触件3。替选地或附加地，也还能够设置有后侧接触件5或另一接触件8。分割7能够借助于锯割、隐形切割或激光切割进行。随后，在方法步骤f)之后，能够测试和封装所分割的转换半导体芯片61、62(在此未示出)。

尤其，借助图2a至2d的方法提供转换半导体芯片，所述转换半导体芯片分别具有转换层4，所述转换层尤其形状配合地覆盖生长衬底1的表面。相应的转换半导体芯片61、62的侧壁13不被转换层4覆盖，即不具有转换层4。

图3a至3d示意性地示出根据一个实施方式的用于制造转换半导体芯片61、62的方法。图3a对应于图2a。随后，进行方法步骤d)，即因此打薄生长衬底1(图3b)。随后，至少切开生长衬底1。尤其，在侧视图中，竖直地切开直至半导体层序列2。由此，如在图3b或3c中示出的，形成第一中间空间9。在该第一中间空间9中在随后的方法步骤e)中能够设置转换层4。在随后的方法步骤f)中，如在图3d中示出的，进行分割，并且产生转换半导体芯片61、62，所述转换半导体芯片分别具有转换层4，所述转换层至少部分地覆盖侧壁13。

尤其，覆盖生长衬底1的侧面14。半导体层序列2的和电接触件3的侧面尤其不具有转换层4。尤其，在此涉及结构相同的转换半导体芯片61、62。

图4a至4d示意地示出根据一个实施方式的用于制造转换半导体芯片61、62的方法。图4a对应于图2a和3a。随后，，在图4b中示出：至少切开打薄的生长衬底1和半导体层序列2。切开进行直至电接触件3。换言之，不切开电接触件3。借此，在相邻的半导体芯片61、62之间构成第二中间空间10。在图4c中示出，转换层4施加在生长衬底1的表面上并且所述转换层附加地设置在第二中间空间10中。转换层4因此覆盖生长衬底的侧面14和半导体层序列2的侧面15。如在图4d中示出的，于是在分割之后能够产生转换半导体芯片61、62，所述转换半导体芯片借助转换层4形状配合地覆盖生长衬底1的侧面14和半导体层序列2的侧面15。电接触件3的侧面16尤其不具有转换层4。

图5a至5d示意性地示出根据一个实施方式的用于制造转换半导体芯片61、62的方法。图5a对应于图2a至4a。在图5b中示出方法步骤d4)。在方法步骤d4)中，切开生长衬底1、半导体层序列2和电接触件3。借此，在相邻的转换半导体芯片61、62之间构成第三中间空间11。在随后的方法步骤e)中，施加转换层4并且也堆积在该第三中间空间11中。在方法步骤f)中进行分割之后，借此能够产生转换半导体芯片61、62，所述转换半导体芯片在生长衬底1的侧面14上、在半导体层序列2的侧面15上和在电接触件3的侧面16上具有转换层4。换言之，在此能够提供转换半导体芯片61、62，所述转换半导体芯片具有转换层4，所述转换层形状配合地包覆生长衬底1和半导体层序列2还有电接触件3。借此，有利地，初级辐射不能够从半导体层序列2的或生长衬底1的侧面14、15中射出，进而所有初级辐射穿过转换层4，进而能够至少部分地转换成次级辐射。

图6a至6e示意性地示出根据一个实施方式的用于制造转换半导体芯片61、62的方法。图6a对应于图2a至5a。在图6b中示出：首先切开电接触件3、随后切开半导体层序列2并且随后至少部分地切开生长衬底1。代替电接触件3，能够存在电介质17a或金属层17b，所述电介质或金属层被切开(在此未示出)。随后，进行方法步骤d)，即打薄生长衬底1。尤其，将生长衬底1磨薄直至达到生长衬底1的切开的部分。借此，能够产生分开的半导体芯片，但是所述半导体芯片仍不具有转换层4(图6c)。所述分开的半导体芯片能够设置到临时载体上(在此未示出)。随后，如在图6d中示出，能够施加转换层4。转换层4堆积在生长衬底1的表面上和第三中间空间11中。借此，在分割之后能够提供转换半导体芯片61、62，所述转换半导体芯片具有转换层4，所述转换层覆盖生长衬底1的表面和半导体芯片的侧壁，即生长衬底1的侧面14，半导体层序列2的侧面15和/或电接触件3的侧面16。尤其，转换层4形状配合地覆盖侧面和表面。在电接触件3和转换层4之间能够存在电介质17a或金属层17b(在此未示出)。

图7a至7c分别示出转换半导体芯片的复合件的示意侧视图。转换半导体芯片61、62的复合件在此以两个转换半导体芯片61、62为例示出。替选地，多于两个转换半导体芯片能够形成转换半导体芯片的复合件。图7a对应于图3c。图7b对应于图4c。图7c对应于图5c。图7a、b和c示出半导体层序列2，在其下游设有结构化的生长衬底和共同的转换层4。共同的转换层4直接覆盖相应的生长衬底1。图7a至7c的转换半导体芯片的复合件彼此的区别在于：图7a的复合件具有第一中间空间9，图7b的复合件具有第二中间空间10，，和图7c的复合件具有在相邻的半导体芯片之间的第三中间空间11。第一中间空间9通过结构化的生长衬底1形成。第二中间空间10通过结构化的生长衬底1和结构化的半导体层序列2形成。第三中间空间11通过结构化的生长衬底1、结构化的半导体层序列2和结构化的电接触件3形成。在电接触件3和转换层4之间尤其能够存在电介质17a或金属层17b(在此未示出)。通过共同的转换层4以复合件将转换半导体芯片61、62彼此连接。

换言之，图7a的转换半导体芯片61、62的复合件具有共同的半导体层序列2、至少一个共同的电接触件3和共同的转换层4。图7a的转换半导体芯片61、62分别具有生长衬底1。

换言之，图7b的转换半导体芯片61、62的复合件具有至少一个共同的电接触件3和/或共同的转换层4。例如，当电接触件事先已经被切开时，复合件不具有共同的电接触件3。图7b的转换半导体芯片61、62分别具有生长衬底1和分别具有半导体层序列2。

换言之，图7c的转换半导体芯片61、62具有共同的转换层4。图7c的转换半导体芯片61、62分别具有生长衬底1，分别具有半导体层序列2和分别具有至少一个电接触件3。

图8a至8d示意性地示出根据一个实施方式的用于制造转换半导体芯片61、62的方法。除了相邻的半导体芯片61、62具有另外的层，即例如电介质17a或金属层17b(在此未示出)，图8a至8d基本上对应于图4a至4d。所述另外的层能够用于保护转换半导体芯片61、62。尤其，相邻的转换半导体芯片61、62的电接触件3和另一接触件8通过电介质17a彼此分开。于是，层的切开不进行至电接触件3，或穿过电接触件3，如这在图4a至4d中示出的，而是切开直至电介质17a(图8b)或穿过电介质17a(图8d)。

图9a至9d示意性地示出根据一个实施方式的用于制造转换半导体芯片61、62的方法。除了相邻的半导体芯片61、62具有另外的层，即例如电介质17a或金属层17b(在此未示出)，图9a至9d基本上对应于图5a至5d。所述另外的层能够用于保护转换半导体芯片61、62。尤其，相邻的半导体芯片61、62的电接触件3和另一接触件8通过电介质17a彼此分开。于是，层的切开不进行至穿过电接触件3，如这在图5a至5d中示出，而是穿过电介质17a(图9b)。

图10a至10d示意性地示出根据一个实施方式的用于制造转换半导体芯片61、62的方法。图10a至10c基本上对应于图2a至2c。在此，与图2a至2d的方法的区别在于，光电子半导体器件从背离生长衬底的一侧、即从p型半导体层经由有源层分割直至n型半导体层。所形成的中间空间或沟槽也能够被电介质或金属(在此未示出)包覆。附加地或替选地，分离或分割仅能够至少进行直至生长衬底。

结合附图描述的实施例和其特征根据另外的实施例也能够彼此组合，即使这些组合未明确地在附图中示出也如此。此外，结合附图描述的实施例能够具有根据概述部分中描述的附加的或替选的特征。

本发明不通过根据实施例进行的描述局限于此。更确切地说，本发明包括每个新特征以及特征的任意的组合，这尤其包含在权利要求中的特征的任意的组合，即使所述特征或所述组合自身没有明确地在专利权利要求中或实施例中说明时也如此。

本专利申请要求德国专利申请102015109413.4的优先权，其公开内容通过参考并入本文。

附图标记列表

1生长衬底

2半导体层序列

3电接触件

4转换层

5后侧接触件

7分割

8另一接触件

9第一中间空间

10第二中间空间

11第三中间空间

12半导体层序列的背离的后侧

13侧壁

14相应的生长衬底的侧面

15半导体层序列的侧面

16电接触件的侧面

17a电介质

17b金属层

21p型半导体层

22有源层

23n型半导体层

61，62光电子转换半导体芯片