技术总结
一种二极管(102)，包括：形成p‑n结的第一掺杂半导体部位和第二掺杂半导体部位，第一部位(126)的第一部分(124)布置在第一部位(126)的第二部分(132)和第二部位(120)之间；介电部位(130)，该介电部位(130)覆盖第二部位(120)的侧壁和第一部位(126)的第一部分(124)的侧壁；第一电极(142)，该第一电极抵靠介电部位的外侧壁以及抵靠第一部位的第二部分的侧壁(134)而布置，仅通过与所述侧壁接触而电连接到第一部位，并且穿过第一部位的整个厚度；第二光学反射电极(144)，该第二光学反射电极电连接到第二部位，使得第二部位布置在第二电极和第一部位之间。
技术研发人员：休伯特·波诺;乔纳森·加西亚;伊凡-克里斯托夫·罗宾;
受保护的技术使用者：原子能和替代能源委员会;
文档号码：201680061766
技术研发日：2016.10.20
技术公布日：2018.06.08