内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的发光显示器的制作方法

文档序号:12679943阅读:168来源:国知局
内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的发光显示器的制作方法与工艺

本发明属于显示技术领域、纳米科学与技术领域、真空科学与技术领域、光电子科学与技术领域、集成电路科学与技术领域以及微电子科学与技术领域的相互交叉领域,涉及到平面场发射发光显示器的制作,具体涉及到碳纳米管阴极的平面场发射发光显示器的制作,特别涉及到一种内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的发光显示器的显示器制作及其制作工艺。



背景技术:

碳纳米管是一种具有独特性质的半导体材料,已被应用于场发射发光显示器中。作为一种冷阴极电子源,碳纳米管是非常胜任的,诸如:鉴于它的耐高温特性,能够极大避免“阴极高温烧毁”现象的出现;鉴于它的场发射特性,能够仅依赖于外加电场就能够为场发射发光显示器源源不断的提供阴极电子;鉴于丝网印刷工艺的成功引入,使得制作大面积的图案形阴极业已变得很容易。在三极结构的场发射发光显示器中,门极结构被成功引入到阳极和阴极之间。由于门极和碳纳米管阴极的有效距离很近,这在能够使得碳纳米管正常发射电子的同时,还能够极大降低场发射发光显示器的功率损耗,同时还能够减小电路驱动成本。但是,在带来上述有利之处的同时,我们也清楚的看到,正是由于门极结构的引入,使得场发射发光显示器的结构和制作变得有些复杂。在三极结构的场发射发光显示器中,也具有很多的技术难题需要解决。例如,第一,门极的调控性能问题。当在门极上施加适当电压后,碳纳米管并不能进行场电子发射;或者,当门极上施加较高电压后,虽然碳纳米管能够发射电子,但碳纳米管发射电子数量的多少并不受门极电压大小的调制;在施加过高门极电压后,会导致门极-阴极二者电学击穿现象的出现。这些情形都表明,门极对碳纳米管层的调控能力很弱。第二,碳纳米管阴极-门极二者的集成制作问题。由于二者的有效距离很小,故而门极结构的制作和碳纳米管阴极结构的制作是相互影响、并相互制约的;碳纳米管层很薄,也很易于受到污染;一个受损伤的碳纳米管冷阴极,是无法承担起为场发射发光显示器提供大量电子的重任的。第三,碳纳米管的电子发射效率问题。在碳纳米管层中,并不是所有的碳纳米管都能够大量发射电子的,有些碳纳米管所发射电子的数量很少,更有部分碳纳米管根本就无法参与场发射,从而导致碳纳米管的电子发射效率很低。这需要从碳纳米层的制作工艺、制作面积、制作结构等多方面加以研究。另外,在场发射发光显示器的制作过程中,不能过于增加场发射发光显示器的制作费用,否则,所研发的场发射发光显示器是无法适应显示技术市场产品的实际要求的。



技术实现要素:

发明目的:为了克服现有技术中存在的缺陷和不足,本发明提供一种响应时间短的、制作工艺稳定的、发光灰度可调节性能优异的、发光亮度高的、制作成本低廉的带有内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的发光显示器。

技术方案:为解决上述技术问题,本发明提供的内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的发光显示器,包括由上抗压平玻合并板、下抗压平玻合并板和透明玻璃框所构成的真空室;在上抗压平玻合并板上有阳极氧化物低阻层、与阳极氧化物低阻层相连的阳极扩张宽厚膜层以及制备在阳极氧化物低阻层上面的荧光粉层;在下抗压平玻合并板上有内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构;位于真空室内的消气剂和黑撑持墙附属元件。

所述的内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的衬底材料为玻璃,可以为钠钙玻璃、硼硅玻璃,也就是下抗压平玻合并板;下抗压平玻合并板上的印刷的绝缘浆料层形成阻光隔断层;阻光隔断层上的印刷的银浆层形成阴极扩张宽厚膜层;阴极扩张宽厚膜层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极等同凹底一层;阴极等同凹底一层为正六棱台形,阴极等同凹底一层的下表面为六棱形平面、位于阴极扩张宽厚膜层上,阴极等同凹底一层的上表面为六棱形平面、且和阴极等同凹底一层的下表面相平行,阴极等同凹底一层中心垂直轴线垂直于下抗压平玻合并板,阴极等同凹底一层的上表面中心位于阴极等同凹底一层中心垂直轴线上,阴极等同凹底一层的下表面中心位于阴极等同凹底一层中心垂直轴线上,阴极等同凹底一层的外侧面为直立的棱筒面;阴极等同凹底一层中存在矩形孔,矩形孔内印刷的银浆层形成阴极一层直立衔接层;阴极一层直立衔接层和阴极扩张宽厚膜层相互连通;阴极等同凹底一层上表面的印刷的银浆层形成阴极一层圆面衔接层;阴极一层圆面衔接层为圆形平面、位于阴极等同凹底一层上表面,阴极一层圆面衔接层的外边缘和阴极等同凹底一层六棱形上表面内切圆的圆边相重合,阴极一层圆面衔接层的圆中心位于阴极等同凹底一层中心垂直轴线上;阴极一层圆面衔接层和阴极一层直立衔接层相互连通;阴极一层圆面衔接层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极等同凹底二层;阴极等同凹底二层的下表面为圆形平面、位于阴极一层圆面衔接层上,阴极等同凹底二层的上表面为圆形平面、且和阴极等同凹底二层的下表面相平行,阴极等同凹底二层中心垂直轴线垂直于下抗压平玻合并板,阴极等同凹底二层中心垂直轴线和阴极等同凹底一层中心垂直轴线相重合,阴极等同凹底二层的上表面中心位于阴极等同凹底二层中心垂直轴线上,阴极等同凹底二层的下表面中心位于阴极等同凹底二层中心垂直轴线上,阴极等同凹底二层的外侧面为向阴极等同凹底二层中心垂直轴线凹陷的内凹面、靠近上表面的部位和阴极等同凹底二层中心垂直轴线的距离小而远离上表面的部位和阴极等同凹底二层中心垂直轴线的距离大;阴极等同凹底二层中存在矩形孔,矩形孔内印刷的银浆层形成阴极二层直立衔接层;阴极二层直立衔接层和阴极一层圆面衔接层相互连通;阴极等同凹底二层上表面的印刷的绝缘浆料层形成阴极等同凹底三层;阴极等同凹底三层为六棱台锥形,阴极等同凹底三层的下表面为六棱形平面、位于阴极等同凹底二层上表面,阴极等同凹底三层的上表面为六棱形平面、且和阴极等同凹底三层的下表面相平行,阴极等同凹底三层中心垂直轴线垂直于下抗压平玻合并板,阴极等同凹底三层中心垂直轴线和阴极等同凹底一层中心垂直轴线相重合,阴极等同凹底三层的上表面中心位于阴极等同凹底三层中心垂直轴线上,阴极等同凹底三层的下表面中心位于阴极等同凹底三层中心垂直轴线上,阴极等同凹底三层六棱形上表面的内切圆圆半径小于阴极等同凹底三层六棱形下表面的内切圆圆半径,阴极等同凹底三层的外侧面为倾斜的棱筒面;阴极等同凹底三层中存在矩形孔,矩形孔内印刷的银浆层形成阴极三层直立衔接层;阴极三层直立衔接层和阴极二层直立衔接层相互连通;阴极等同凹底三层的上表面的印刷的银浆层形成阴极三层棱面衔接层;阴极三层棱面衔接层布满阴极等同凹底三层的六棱形上表面,阴极三层棱面衔接层的外边缘和阴极等同凹底三层六棱形上表面的外边缘相平齐,阴极三层棱面衔接层的棱面中心位于阴极等同凹底三层中心垂直轴线上;阴极三层棱面衔接层和阴极三层直立衔接层相互连通;阴极等同凹底三层外侧面上的印刷的绝缘浆料层形成阴极等同凹底四层;阴极等同凹底四层环绕在阴极等同凹底三层外侧面上,阴极等同凹底四层中心垂直轴线垂直于下抗压平玻合并板,阴极等同凹底四层中心垂直轴线和阴极等同凹底一层中心垂直轴线相重合,阴极等同凹底四层的下表面位于阴极等同凹底三层外侧面上,阴极等同凹底四层的上表面为倾斜的坡面、靠近阴极等同凹底四层中心垂直轴线的部位的高度高而远离阴极等同凹底四层中心垂直轴线的部位的高度低,阴极等同凹底四层的上表面和下表面的界限线与阴极等同凹底三层上表面的外边缘相重合,阴极等同凹底四层上表面的外边缘为环绕阴极等同凹底四层中心垂直轴线的圆环,阴极等同凹底四层的外下侧面为直立的圆筒面,阴极等同凹底四层的外上侧面为向阴极等同凹底四层中心垂直轴线凹陷的内凹面、靠近上表面的部位和阴极等同凹底四层中心垂直轴线的距离小而远离上表面的部位和阴极等同凹底四层中心垂直轴线的距离大,阴极等同凹底四层外上侧面的倾斜度和阴极等同凹底二层外侧面的倾斜度相同,阴极等同凹底四层外上侧面的向内弯曲度和阴极等同凹底二层外侧面的向内弯曲度相同;阴极等同凹底四层上表面的印刷的银浆层形成阴极四层环面衔接层;阴极四层环面衔接层位于阴极等同凹底四层上表面上,阴极四层环面衔接层的内边缘和阴极三层棱面衔接层的外边缘相连接,阴极四层环面衔接层的外边缘和阴极等同凹底四层上表面的外边缘相平齐,阴极四层环面衔接层布满阴极等同凹底四层的上表面;阴极四层环面衔接层和阴极三层棱面衔接层相互连通;阴极三层棱面衔接层和阴极四层环面衔接层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极等同凹底五层;阴极等同凹底二层外侧面上的刻蚀的金属层形成阴极转接电极下层;阴极转接电极下层位于阴极等同凹底二层外侧面上,阴极转接电极下层为凹面形,阴极转接电极下层的凹面下边缘和阴极一层圆面衔接层相连接,阴极转接电极下层的凹面下边缘为环绕阴极等同凹底二层中心垂直轴线的圆环形,阴极转接电极下层的凹面上边缘和阴极等同凹底二层上表面相平齐,阴极转接电极下层的凹面上边缘为环绕阴极等同凹底二层中心垂直轴线的圆环形;阴极转接电极下层和阴极一层圆面衔接层相互连通;阴极等同凹底四层外上侧面的刻蚀的金属层形成阴极转接上层;阴极转接电极上层位于阴极等同凹底四层外上侧面上,阴极转接电极上层为凹面形,阴极转接电极上层和阴极转接电极下层是相互隔离的,阴极转接电极上层的凹面上边缘和阴极四层环面衔接层相连接,阴极转接电极上层的凹面上边缘为环绕阴极等同凹底四层中心垂直轴线的圆环形,阴极转接电极上层的凹面下边缘和阴极等同凹底四层外上侧面的下边缘相平齐,阴极转接电极上层的凹面下边缘为环绕阴极等同凹底四层中心垂直轴线的圆环形;阴极转接电极上层和阴极四层环面衔接层相互连通;阻光隔断层上的印刷的绝缘浆料层形成门极等同凹底一层;门极等同凹底一层的下表面为平面、位于阻光隔断层上;门极等同凹底一层中存在圆形孔,圆形孔内暴露出阴极等同凹底一层、阴极等同凹底二层、阴极等同凹底三层、阴极等同凹底四层、阴极等同凹底五层、阴极转接电极下层和阴极转接电极上层;门极等同凹底一层圆形孔在门极等同凹底一层上、下表面形成的截面为中空圆面;门极等同凹底一层上表面的印刷的银浆层形成门极双凸面电极底层;门极双凸面电极底层为倾斜的向上凸起的凸面形、位于门极等同凹底一层上表面,门极双凸面电极底层的前端和门极等同凹底一层圆形孔的内侧壁相平齐、不向圆形孔突出,门极双凸面电极底层的后端朝向远离圆形孔方向,门极双凸面电极底层的前端高度低而后端高度高;门极等同凹底一层上表面的再次印刷的银浆层形成门极双凸面电极后层;门极双凸面电极后层为倾斜的斜直面形、位于门极等同凹底一层上表面上,门极双凸面电极后层的前端朝向圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向,门极双凸面电极后层的前端高度低而后端高度高,门极双凸面电极后层的前末端和门极双凸面电极底层的后末端相连接;门极双凸面电极后层和门极双凸面电极底层相互连通;门极双凸面电极底层上的印刷的绝缘浆料层形成门极等同凹底二层;门极等同凹底二层侧面上的印刷的银浆层形成门极双凸面电极前层;门极双凸面电极前层为向上凸起的凸面形、位于门极等同凹底二层侧面上;门极双凸面电极前层的前端朝向圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向,门极双凸面电极前层的前端高度高而后端高度低,门极双凸面电极前层的后末端和门极双凸面电极底层相连接;门极双凸面电极前层和门极双凸面电极底层相互连通;门极双凸面电极底层、门极双凸面电极后层和门极双凸面电极前层上的印刷的绝缘浆料层形成门极等同凹底三层;门极等同凹底二层、门极等同凹底三层和门极等同凹底一层上的印刷的银浆层形成门极双凸面电极顶层;门极双凸面电极顶层为倾斜的向上凸起的凸面形,门极双凸面电极顶层的前端和圆形孔的内侧壁相平齐、不向圆形孔突出,门极双凸面电极顶层的后端朝向远离圆形孔方向,门极双凸面电极顶层的前端高度低而后端高度高,门极双凸面电极顶层和门极双凸面电极前层的前末端相连接,门极双凸面电极顶层和门极双凸面电极后层的后末端相连接,门极双凸面电极顶层的弯曲度和门极双凸面电极底层的弯曲度相同,门极双凸面电极顶层的倾斜度和门极双凸面电极底层的倾斜度相同;门极双凸面电极顶层和门极双凸面电极前层相互连通;门极双凸面电极顶层和门极双凸面电极后层相互连通;阻光隔断层上的印刷的绝缘浆料层形成门极等同凹底四层;门极等同凹底四层的下表面为平面、位于阻光隔断层上;门极等同凹底四层上的印刷的银浆层形成门极扩张宽厚膜层;门极扩张宽厚膜层和门极双凸面电极顶层相互连通;门极扩张宽厚膜层和门极双凸面电极后层相互连通;门极双凸面电极顶层上的印刷的绝缘浆料层形成门极等同凹底五层;碳纳米管制备在阴极转接电极下层和阴极转接电极上层上。

所述的内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的固定位置为下抗压平玻合并板;阴极转接电极下层可以为金属银、镍、铜、铝、钼、铬、锡;阴极转接电极上层可以为金属银、镍、铜、铝、钼、铬、锡。

本发明同时提供内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的发光显示器的制作方法,包括以下步骤:

1)下抗压平玻合并板的制作:对平面钠钙玻璃进行划割,形成下抗压平玻合并板;

2)阻光隔断层的制作:在下抗压平玻合并板上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成阻光隔断层;

3)阴极扩张宽厚膜层的制作:在阻光隔断层上印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阴极扩张宽厚膜层;

4)阴极等同凹底一层的制作:在阴极扩张宽厚膜层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成阴极等同凹底一层;

5)阴极一层直立衔接层的制作:在阴极等同凹底一层矩形孔内印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阴极一层直立衔接层;

6)阴极一层圆面衔接层的制作:在阴极等同凹底一层上表面印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阴极一层圆面衔接层;

7)阴极等同凹底二层的制作:在阴极一层圆面衔接层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成阴极等同凹底二层;

8)阴极二层直立衔接层的制作:在阴极等同凹底二层矩形孔内印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阴极二层直立衔接层;

9)阴极等同凹底三层的制作:在阴极等同凹底二层上表面印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成阴极等同凹底三层;

10)阴极三层直立衔接层的制作:在阴极等同凹底三层矩形孔内印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阴极三层直立衔接层;

11)阴极三层棱面衔接层的制作:在阴极等同凹底三层的上表面印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阴极三层棱面衔接层;

12)阴极等同凹底四层的制作:在阴极等同凹底三层外侧面上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成阴极等同凹底四层;

13)阴极四层环面衔接层的制作:在阴极等同凹底四层上表面印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阴极四层环面衔接层;

14)阴极等同凹底五层的制作:在阴极三层棱面衔接层和阴极四层环面衔接层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成阴极等同凹底五层;

15)阴极转接电极下层的制作:在阴极等同凹底二层外侧面上制备出一个金属镍层,刻蚀后形成阴极转接电极下层;

16)阴极转接电极上层的制作:在阴极等同凹底四层外上侧面制备出一个金属镍层,刻蚀后形成阴极转接电极上层;

17)门极等同凹底一层的制作:在阻光隔断层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成门极等同凹底一层;

18)门极双凸面电极底层的制作:在门极等同凹底一层上表面印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成门极双凸面电极底层;

19)门极双凸面电极后层的制作:在门极等同凹底一层上表面再次印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成门极双凸面电极后层;

20)门极等同凹底二层的制作:在门极双凸面电极底层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成门极等同凹底二层;

21)门极双凸面电极前层的制作:在门极等同凹底二层侧面上印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成门极双凸面电极前层;

22)门极等同凹底三层的制作:在门极双凸面电极底层、门极双凸面电极后层和门极双凸面电极前层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成门极等同凹底三层;

23)门极双凸面电极顶层的制作:在门极等同凹底二层、门极等同凹底三层和门极等同凹底一层上印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成门极双凸面电极顶层;

24)门极等同凹底四层的制作:在阻光隔断层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成门极等同凹底四层;

25)门极扩张宽厚膜层的制作:在门极等同凹底四层上印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成门极扩张宽厚膜层;

26)门极等同凹底五层的制作:在门极双凸面电极顶层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成门极等同凹底五层;

27)内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的清洁:对内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的表面进行清洁处理,除掉杂质和灰尘;

28)碳纳米管层的制作:将碳纳米管印刷在阴极转接电极下层和阴极转接电极上层上,形成碳纳米管层;

29)碳纳米管层的处理:对碳纳米管层进行后处理,改善其场发射特性;

30)上抗压平玻合并板的制作:对平面钠钙玻璃进行划割,形成上抗压平玻合并板;

31)阳极氧化物低阻层的制作:对覆盖于上抗压平玻合并板表面的锡铟氧化物膜进行刻蚀,形成阳极氧化物低阻层;

32)阳极扩张宽厚膜层的制作:在上抗压平玻合并板上印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阳极扩张宽厚膜层;

33)荧光粉层的制作:在阳极氧化物低阻层上印刷荧光粉,经烘烤工艺后形成荧光粉层;

34)显示器器件装配:将消气剂安装固定在上抗压平玻合并板的非显示区域;然后,将上抗压平玻合并板、下抗压平玻合并板、透明玻璃框和黑撑持墙装配到一起,用夹子固定;

35)显示器器件封装:对已经装配的显示器器件进行封装工艺形成成品件。

具体地,步骤32是在上抗压平玻合并板的非显示区域印刷银浆,经过烘烤(最高烘烤温度:150ºC,最高烘烤温度保持时间:5分钟)之后,放置在烧结炉中进行烧结(最高烧结温度:532 ºC,最高烧结温度保持时间:10分钟)。

具体地,步骤33是在上抗压平玻合并板的阳极氧化物低阻层上印刷荧光粉,然后放置在烘箱中进行烘烤(最高烘烤温度:135ºC,最高烘烤温度保持时间:8分钟)。

具体地,步骤35是对已装配的显示器器件进行如下的封装工艺:将显示器器件放入烘箱中进行烘烤;放入烧结炉中进行烧结;在排气台上进行器件排气、封离;在烤消机上对消气剂进行烤消,最后加装管脚形成成品件

有益效果:本发明具备以下显著的进步:

除了上面所述的本发明解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的优点外,本发明的内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的发光显示器所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的优点,将结合附图做出进一步详细的说明。

附图说明

图1是本发明实施例中单个内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的纵向结构示意图;

图2是本发明实施例中内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的横向结构示意图;

图3是本发明实施例中内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的发光显示器的结构示意图;

图中:下抗压平玻合并板1、阻光隔断层2、阴极扩张宽厚膜层3、阴极等同凹底一层4、阴极一层直立衔接层5、阴极一层圆面衔接层6、阴极等同凹底二层7、阴极二层直立衔接层8、阴极等同凹底三层9、阴极三层直立衔接层10、阴极三层棱面衔接层11、阴极等同凹底四层12、阴极四层环面衔接层13、阴极等同凹底五层14、阴极转接电极下层15、阴极转接电极上层16、门极等同凹底一层17、门极双凸面电极底层18、门极双凸面电极后层19、门极等同凹底二层20、门极双凸面电极前层21、门极等同凹底三层22、门极双凸面电极顶层23、门极等同凹底四层24、门极扩张宽厚膜层25、门极等同凹底五层26、碳纳米管层27、上抗压平玻合并板28、阳极氧化物低阻层29、阳极扩张宽厚膜层30、荧光粉层31、消气剂32、透明玻璃框33、黑撑持墙34。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明,但本发明并不局限于本实施例。

本实施例的内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的发光显示器如图1、图2和图3所示,包括由上抗压平玻合并板28、下抗压平玻合并板1和透明玻璃框33所构成的真空室;在上抗压平玻合并板28上有阳极氧化物低阻层29、与阳极氧化物低阻层29相连的阳极扩张宽厚膜层30以及制备在阳极氧化物低阻层29上面的荧光粉层31;在下抗压平玻合并板1上有内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构;以及位于真空室内的消气剂32和黑撑持墙34附属元件。

内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的衬底材料为玻璃,可以为钠钙玻璃、硼硅玻璃,也就是下抗压平玻合并板1;下抗压平玻合并板1上的印刷的绝缘浆料层形成阻光隔断层2;阻光隔断层2上的印刷的银浆层形成阴极扩张宽厚膜层3;阴极扩张宽厚膜层3上的印刷的绝缘浆料层形成阴极等同凹底一层4;阴极等同凹底一层4为正六棱台形,阴极等同凹底一层4的下表面为六棱形平面、位于阴极扩张宽厚膜层3上,阴极等同凹底一层4的上表面为六棱形平面、且和阴极等同凹底一层4的下表面相平行,阴极等同凹底一层4中心垂直轴线垂直于下抗压平玻合并板1,阴极等同凹底一层4的上表面中心位于阴极等同凹底一层4中心垂直轴线上,阴极等同凹底一层4的下表面中心位于阴极等同凹底一层4中心垂直轴线上,阴极等同凹底一层4的外侧面为直立的棱筒面;阴极等同凹底一层4中存在矩形孔,矩形孔内印刷的银浆层形成阴极一层直立衔接层5;阴极一层直立衔接层5和阴极扩张宽厚膜层3相互连通;阴极等同凹底一层4上表面的印刷的银浆层形成阴极一层圆面衔接层6;阴极一层圆面衔接层6为圆形平面、位于阴极等同凹底一层4上表面,阴极一层圆面衔接层6的外边缘和阴极等同凹底一层4六棱形上表面内切圆的圆边相重合,阴极一层圆面衔接层6的圆中心位于阴极等同凹底一层4中心垂直轴线上;阴极一层圆面衔接层6和阴极一层直立衔接层5相互连通;阴极一层圆面衔接层6上的印刷的绝缘浆料层形成阴极等同凹底二层7;阴极等同凹底二层7的下表面为圆形平面、位于阴极一层圆面衔接层6上,阴极等同凹底二层7的上表面为圆形平面、且和阴极等同凹底二层7的下表面相平行,阴极等同凹底二层7中心垂直轴线垂直于下抗压平玻合并板1,阴极等同凹底二层7中心垂直轴线和阴极等同凹底一层4中心垂直轴线相重合,阴极等同凹底二层7的上表面中心位于阴极等同凹底二层7中心垂直轴线上,阴极等同凹底二层7的下表面中心位于阴极等同凹底二层7中心垂直轴线上,阴极等同凹底二层7的外侧面为向阴极等同凹底二层7中心垂直轴线凹陷的内凹面、靠近上表面的部位和阴极等同凹底二层7中心垂直轴线的距离小而远离上表面的部位和阴极等同凹底二层7中心垂直轴线的距离大;阴极等同凹底二层7中存在矩形孔,矩形孔内印刷的银浆层形成阴极二层直立衔接层8;阴极二层直立衔接层8和阴极一层圆面衔接层6相互连通;阴极等同凹底二层7上表面的印刷的绝缘浆料层形成阴极等同凹底三层9;阴极等同凹底三层9为六棱台锥形,阴极等同凹底三层9的下表面为六棱形平面、位于阴极等同凹底二层7上表面,阴极等同凹底三层9的上表面为六棱形平面、且和阴极等同凹底三层9的下表面相平行,阴极等同凹底三层9中心垂直轴线垂直于下抗压平玻合并板1,阴极等同凹底三层9中心垂直轴线和阴极等同凹底一层4中心垂直轴线相重合,阴极等同凹底三层9的上表面中心位于阴极等同凹底三层9中心垂直轴线上,阴极等同凹底三层9的下表面中心位于阴极等同凹底三层9中心垂直轴线上,阴极等同凹底三层9六棱形上表面的内切圆圆半径小于阴极等同凹底三层9六棱形下表面的内切圆圆半径,阴极等同凹底三层9的外侧面为倾斜的棱筒面;阴极等同凹底三层9中存在矩形孔,矩形孔内印刷的银浆层形成阴极三层直立衔接层10;阴极三层直立衔接层10和阴极二层直立衔接层8相互连通;阴极等同凹底三层9的上表面的印刷的银浆层形成阴极三层棱面衔接层11;阴极三层棱面衔接层11布满阴极等同凹底三层9的六棱形上表面,阴极三层棱面衔接层11的外边缘和阴极等同凹底三层9六棱形上表面的外边缘相平齐,阴极三层棱面衔接层11的棱面中心位于阴极等同凹底三层9中心垂直轴线上;阴极三层棱面衔接层11和阴极三层直立衔接层10相互连通;阴极等同凹底三层9外侧面上的印刷的绝缘浆料层形成阴极等同凹底四层12;阴极等同凹底四层12环绕在阴极等同凹底三层9外侧面上,阴极等同凹底四层12中心垂直轴线垂直于下抗压平玻合并板1,阴极等同凹底四层12中心垂直轴线和阴极等同凹底一层4中心垂直轴线相重合,阴极等同凹底四层12的下表面位于阴极等同凹底三层9外侧面上,阴极等同凹底四层12的上表面为倾斜的坡面、靠近阴极等同凹底四层12中心垂直轴线的部位的高度高而远离阴极等同凹底四层12中心垂直轴线的部位的高度低,阴极等同凹底四层12的上表面和下表面的界限线与阴极等同凹底三层9上表面的外边缘相重合,阴极等同凹底四层12上表面的外边缘为环绕阴极等同凹底四层12中心垂直轴线的圆环,阴极等同凹底四层12的外下侧面为直立的圆筒面,阴极等同凹底四层12的外上侧面为向阴极等同凹底四层12中心垂直轴线凹陷的内凹面、靠近上表面的部位和阴极等同凹底四层12中心垂直轴线的距离小而远离上表面的部位和阴极等同凹底四层12中心垂直轴线的距离大,阴极等同凹底四层12外上侧面的倾斜度和阴极等同凹底二层7外侧面的倾斜度相同,阴极等同凹底四层12外上侧面的向内弯曲度和阴极等同凹底二层7外侧面的向内弯曲度相同;阴极等同凹底四层12上表面的印刷的银浆层形成阴极四层环面衔接层13;阴极四层环面衔接层13位于阴极等同凹底四层12上表面上,阴极四层环面衔接层13的内边缘和阴极三层棱面衔接层11的外边缘相连接,阴极四层环面衔接层13的外边缘和阴极等同凹底四层12上表面的外边缘相平齐,阴极四层环面衔接层13布满阴极等同凹底四层12的上表面;阴极四层环面衔接层13和阴极三层棱面衔接层11相互连通;阴极三层棱面衔接层11和阴极四层环面衔接层13上的印刷的绝缘浆料层形成阴极等同凹底五层14;阴极等同凹底二层7外侧面上的刻蚀的金属层形成阴极转接电极下层15;阴极转接电极下层15位于阴极等同凹底二层7外侧面上,阴极转接电极下层15为凹面形,阴极转接电极下层15的凹面下边缘和阴极一层圆面衔接层6相连接,阴极转接电极下层15的凹面下边缘为环绕阴极等同凹底二层7中心垂直轴线的圆环形,阴极转接电极下层15的凹面上边缘和阴极等同凹底二层7上表面相平齐,阴极转接电极下层15的凹面上边缘为环绕阴极等同凹底二层7中心垂直轴线的圆环形;阴极转接电极下层15和阴极一层圆面衔接层6相互连通;阴极等同凹底四层12外上侧面的刻蚀的金属层形成阴极转接上层;阴极转接电极上层16位于阴极等同凹底四层12外上侧面上,阴极转接电极上层16为凹面形,阴极转接电极上层16和阴极转接电极下层15是相互隔离的,阴极转接电极上层16的凹面上边缘和阴极四层环面衔接层13相连接,阴极转接电极上层16的凹面上边缘为环绕阴极等同凹底四层12中心垂直轴线的圆环形,阴极转接电极上层16的凹面下边缘和阴极等同凹底四层12外上侧面的下边缘相平齐,阴极转接电极上层16的凹面下边缘为环绕阴极等同凹底四层12中心垂直轴线的圆环形;阴极转接电极上层16和阴极四层环面衔接层13相互连通;阻光隔断层2上的印刷的绝缘浆料层形成门极等同凹底一层17;门极等同凹底一层17的下表面为平面、位于阻光隔断层2上;门极等同凹底一层17中存在圆形孔,圆形孔内暴露出阴极等同凹底一层4、阴极等同凹底二层7、阴极等同凹底三层9、阴极等同凹底四层12、阴极等同凹底五层14、阴极转接电极下层15和阴极转接电极上层16;门极等同凹底一层17圆形孔在门极等同凹底一层17上、下表面形成的截面为中空圆面;门极等同凹底一层17上表面的印刷的银浆层形成门极双凸面电极底层18;门极双凸面电极底层18为倾斜的向上凸起的凸面形、位于门极等同凹底一层17上表面,门极双凸面电极底层18的前端和门极等同凹底一层17圆形孔的内侧壁相平齐、不向圆形孔突出,门极双凸面电极底层18的后端朝向远离圆形孔方向,门极双凸面电极底层18的前端高度低而后端高度高;门极等同凹底一层17上表面的再次印刷的银浆层形成门极双凸面电极后层19;门极双凸面电极后层19为倾斜的斜直面形、位于门极等同凹底一层17上表面上,门极双凸面电极后层19的前端朝向圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向,门极双凸面电极后层19的前端高度低而后端高度高,门极双凸面电极后层19的前末端和门极双凸面电极底层18的后末端相连接;门极双凸面电极后层19和门极双凸面电极底层18相互连通;门极双凸面电极底层18上的印刷的绝缘浆料层形成门极等同凹底二层20;门极等同凹底二层20侧面上的印刷的银浆层形成门极双凸面电极前层21;门极双凸面电极前层21为向上凸起的凸面形、位于门极等同凹底二层20侧面上;门极双凸面电极前层21的前端朝向圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向,门极双凸面电极前层21的前端高度高而后端高度低,门极双凸面电极前层21的后末端和门极双凸面电极底层18相连接;门极双凸面电极前层21和门极双凸面电极底层18相互连通;门极双凸面电极底层18、门极双凸面电极后层19和门极双凸面电极前层21上的印刷的绝缘浆料层形成门极等同凹底三层22;门极等同凹底二层20、门极等同凹底三层22和门极等同凹底一层17上的印刷的银浆层形成门极双凸面电极顶层23;门极双凸面电极顶层23为倾斜的向上凸起的凸面形,门极双凸面电极顶层23的前端和圆形孔的内侧壁相平齐、不向圆形孔突出,门极双凸面电极顶层23的后端朝向远离圆形孔方向,门极双凸面电极顶层23的前端高度低而后端高度高,门极双凸面电极顶层23和门极双凸面电极前层21的前末端相连接,门极双凸面电极顶层23和门极双凸面电极后层19的后末端相连接,门极双凸面电极顶层23的弯曲度和门极双凸面电极底层18的弯曲度相同,门极双凸面电极顶层23的倾斜度和门极双凸面电极底层18的倾斜度相同;门极双凸面电极顶层23和门极双凸面电极前层21相互连通;门极双凸面电极顶层23和门极双凸面电极后层19相互连通;阻光隔断层2上的印刷的绝缘浆料层形成门极等同凹底四层24;门极等同凹底四层24的下表面为平面、位于阻光隔断层2上;门极等同凹底四层24上的印刷的银浆层形成门极扩张宽厚膜层25;门极扩张宽厚膜层25和门极双凸面电极顶层23相互连通;门极扩张宽厚膜层25和门极双凸面电极后层19相互连通;门极双凸面电极顶层23上的印刷的绝缘浆料层形成门极等同凹底五层26;碳纳米管制备在阴极转接电极下层15和阴极转接电极上层16上。

内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的固定位置为下抗压平玻合并板1;阴极转接电极下层15可以为金属银、镍、铜、铝、钼、铬、锡;阴极转接电极上层16可以为金属银、镍、铜、铝、钼、铬、锡。

本实施例的内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的发光显示器的制作方法如下:

1)下抗压平玻合并板的制作:对平面钠钙玻璃进行划割,形成下抗压平玻合并板;

2)阻光隔断层的制作:在下抗压平玻合并板上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成阻光隔断层;

3)阴极扩张宽厚膜层的制作:在阻光隔断层上印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阴极扩张宽厚膜层;

4)阴极等同凹底一层的制作:在阴极扩张宽厚膜层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成阴极等同凹底一层;

5)阴极一层直立衔接层的制作:在阴极等同凹底一层矩形孔内印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阴极一层直立衔接层;

6)阴极一层圆面衔接层的制作:在阴极等同凹底一层上表面印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阴极一层圆面衔接层;

7)阴极等同凹底二层的制作:在阴极一层圆面衔接层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成阴极等同凹底二层;

8)阴极二层直立衔接层的制作:在阴极等同凹底二层矩形孔内印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阴极二层直立衔接层;

9)阴极等同凹底三层的制作:在阴极等同凹底二层上表面印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成阴极等同凹底三层;

10)阴极三层直立衔接层的制作:在阴极等同凹底三层矩形孔内印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阴极三层直立衔接层;

11)阴极三层棱面衔接层的制作:在阴极等同凹底三层的上表面印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阴极三层棱面衔接层;

12)阴极等同凹底四层的制作:在阴极等同凹底三层外侧面上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成阴极等同凹底四层;

13)阴极四层环面衔接层的制作:在阴极等同凹底四层上表面印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阴极四层环面衔接层;

14)阴极等同凹底五层的制作:在阴极三层棱面衔接层和阴极四层环面衔接层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成阴极等同凹底五层;

15)阴极转接电极下层的制作:在阴极等同凹底二层外侧面上制备出一个金属镍层,刻蚀后形成阴极转接电极下层;

16)阴极转接电极上层的制作:在阴极等同凹底四层外上侧面制备出一个金属镍层,刻蚀后形成阴极转接电极上层;

17)门极等同凹底一层的制作:在阻光隔断层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成门极等同凹底一层;

18)门极双凸面电极底层的制作:在门极等同凹底一层上表面印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成门极双凸面电极底层;

19)门极双凸面电极后层的制作:在门极等同凹底一层上表面再次印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成门极双凸面电极后层;

20)门极等同凹底二层的制作:在门极双凸面电极底层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成门极等同凹底二层;

21)门极双凸面电极前层的制作:在门极等同凹底二层侧面上印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成门极双凸面电极前层;

22)门极等同凹底三层的制作:在门极双凸面电极底层、门极双凸面电极后层和门极双凸面电极前层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成门极等同凹底三层;

23)门极双凸面电极顶层的制作:在门极等同凹底二层、门极等同凹底三层和门极等同凹底一层上印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成门极双凸面电极顶层;

24)门极等同凹底四层的制作:在阻光隔断层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成门极等同凹底四层;

25)门极扩张宽厚膜层的制作:在门极等同凹底四层上印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成门极扩张宽厚膜层;

26)门极等同凹底五层的制作:在门极双凸面电极顶层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成门极等同凹底五层;

27)内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的清洁:对内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的表面进行清洁处理,除掉杂质和灰尘;

28)碳纳米管层的制作:将碳纳米管印刷在阴极转接电极下层和阴极转接电极上层上,形成碳纳米管层;

29)碳纳米管层的处理:对碳纳米管层进行后处理,改善其场发射特性;

30)上抗压平玻合并板的制作:对平面钠钙玻璃进行划割,形成上抗压平玻合并板;

31)阳极氧化物低阻层的制作:对覆盖于上抗压平玻合并板表面的锡铟氧化物膜进行刻蚀,形成阳极氧化物低阻层;

32)阳极扩张宽厚膜层的制作:在上抗压平玻合并板上印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阳极扩张宽厚膜层;在上抗压平玻合并板的非显示区域印刷银浆,经过烘烤(最高烘烤温度:150ºC,最高烘烤温度保持时间:5分钟)之后,放置在烧结炉中进行烧结(最高烧结温度:532 ºC,最高烧结温度保持时间:10分钟);

33)荧光粉层的制作:在阳极氧化物低阻层上印刷荧光粉,经烘烤工艺后形成荧光粉层;在上抗压平玻合并板的阳极氧化物低阻层上印刷荧光粉,然后放置在烘箱中进行烘烤(最高烘烤温度:135ºC,最高烘烤温度保持时间:8分钟);

34)显示器器件装配:将消气剂安装固定在上抗压平玻合并板的非显示区域;然后,将上抗压平玻合并板、下抗压平玻合并板、透明玻璃框和黑撑持墙装配到一起,用夹子固定;

35)显示器器件封装:对已经装配的显示器器件进行如下的封装工艺:将显示器器件放入烘箱中进行烘烤;放入烧结炉中进行烧结;在排气台上进行器件排气、封离;在烤消机上对消气剂进行烤消,最后加装管脚形成成品件。

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