1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部，所述半导体衬底表面具有隔离层，所述隔离层顶部表面低于所述鳍部的顶部表面，且覆盖所述鳍部的部分侧壁；
在所述鳍部内形成源漏开口；
对所述隔离层进行非晶化处理，在所述隔离层表面形成保护层；
形成所述保护层之后，在所述源漏开口内形成源漏掺杂层；
对所述源漏掺杂层底部的鳍部进行第一离子注入。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述源漏开口之后，形成所述保护层。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述隔离层进行非晶化处理的过程中，所述源漏开口底部的鳍部也被非晶化处理形成非晶区。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成保护层之后，还包括：去除所述源漏开口底部的非晶区。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层之后，形成所述源漏开口。
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述隔离层进行非晶化处理的过程中，所述鳍部的顶部表面也被非晶化处理形成非晶区。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述源漏开口的步骤包括：去除所述非晶区。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述源漏开口的步骤还包括：去除所述非晶区形成初始开口；刻蚀所述初始开口底部的鳍部，形成所述源漏开口。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述隔离层进行非晶化处理的工艺包括非晶化注入工艺，所述非晶化注入工艺参数包括：注入离子为：硅离子，注入能量为：0.5千电子伏～20千电子伏，注入离子浓度为：1.0e14原子数/平方厘米～1.0e17原子数/平方厘米，注入角度为：0度～15度。
10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为2纳米～30纳米。
11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成保护层之后，形成源漏掺杂层之前，利用清洗液对所述源漏开口的侧壁和底部以及隔离层进行清洗。
12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述清洗液包括：氢氟酸。
13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述源漏掺杂层的工艺包括：选择性外延沉积工艺。
14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺所注入的离子包括：P型离子或N型离子；所述P型离子包括：硼离子；所述N型离子包括：磷离子。
15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺所注入的离子为磷离子时，所述第一离子注入工艺参数包括：第一注入能量为：3千电子伏～15千电子伏，第一注入离子浓度为：1.0e14原子数/平方厘米～1.0e15原子数/平方厘米，第一注入角度为：0度～15度。
16.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：对所述源漏掺杂层的顶部表面进行第二离子注入。
17.如权利要求16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二离子注入的工艺参数包括：所述第二离子注入工艺所注入的离子为砷离子时，第二注入能量为：2千电子伏～5千电子伏，第二注入离子浓度为：1.0e15原子数/平方厘米～5.0e15原子数/平方厘米，第二注入角度为：0度～15度。
18.如权利要求16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底包括NMOS区和PMOS区；对所述NMOS区所述源漏掺杂层底部的鳍部进行第一离子注入以及对所述源漏掺杂层的顶部表面进行第二离子注入前，在PMOS区半导体衬底、鳍部以及隔离层上形成掩膜层。
19.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖鳍部的部分侧壁和顶部表面。
20.一种采用如权利要求1至19任一项方法所形成的半导体结构，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部，所述半导体衬底表面具有隔离层，所述隔离层顶部表面低于所述鳍部的顶部表面，且覆盖所述鳍部的部分侧壁；
位于所述隔离层表面的保护层；
位于所述鳍部上的源漏掺杂区。