本发明涉及发光二极管技术领域，尤其是指一种蓝绿发光二极管及其外延方法。
背景技术：
现有技术中，绿光发光二极管由于波长较长，有源区材料的in组分相对较高，因此有源区内聚集的应力较大，晶体质量相对来说较低。而且由于生长量子阱时的in浓度较高，容易导致in析出，不仅对有源区晶体质量变差，对后续的p型晶体质量也造成影响，导致表面产生彩斑，使得整个器件的发光效率下降。
有鉴于此，本发明研发一种克服所述缺陷的蓝绿发光二极管及其外延方法，本案由此产生。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种蓝绿发光二极管及其外延方法，以提高有源区的晶体质量，从而有效提高内量子效率。
为达成上述目的，本发明的解决方案为：
一种蓝绿发光二极管，包括有源区，该有源区由从下至上依次生成的低温前阱层、量子阱、盖帽层和量子垒多个循环组成，该盖帽层由生长温度阶梯式升温的第一盖帽层、第二盖帽层和第三盖帽层组成。
进一步，低温前阱层、量子阱和第一盖帽层的生长温度为650-800摄氏度，第二盖帽层的生长温度为较第一盖帽层升高大于零摄氏度且小于50摄氏度，第三盖帽层的生长温度为较第一盖帽层升高大于50摄氏度且小于120摄氏度。
进一步，盖帽层的材质为gan、aln、algan、gainn、algainn中的一种。
一种蓝绿发光二极管的外延方法，包括以下步骤：在量子阱上从下至上依次生长第一盖帽层、第二盖帽层和第三盖帽层，生长温度阶梯式升温。
进一步，在量子阱上生长第一盖帽层，生长温度为650-800摄氏度，生长压力为100-400乇，采用无氢气环境下，生长一层厚度小于5埃的第一盖帽层；
在第一盖帽层上生长第二盖帽层，生长温度升高至中高温度，生长温度为较第一盖帽层升高大于零摄氏度且小于50摄氏度，降低生长压力，较第一盖帽层降低大于零且小于100乇，采用无氢气环境下，降低生长速率至低于0.2埃/s生长一层厚度小于3埃的第二盖帽层；
在第二盖帽层上生长第三盖帽层，生长温度为较第一盖帽层升高大于50摄氏度且小于120摄氏度，采用少氢气环境下，提高生长速率至第二盖帽层生长速率的2倍以上，生长一层厚度小于7埃的第三盖帽层。
进一步，量子阱上生长在低温前阱层上，低温前阱层的生长温度为650-800摄氏度，生长压力为100-400乇。
进一步，在第三盖帽层上生长量子垒，量子垒的生长温度为650-800摄氏度。
进一步，盖帽层的材质为gan、aln、algan、gainn、algainn中的一种。
采用上述方案后，本发明在有源区量子阱和量子垒之间生成盖帽层，盖帽层采用阶梯式升温生长第一盖帽层、第二盖帽层和第三盖帽层，使得量子阱的in被盖帽层盖得更好，减小后续外延量子垒时发生in析出的情况，使得量子垒的生长温度可以升得更高，提高有源区的晶体质量，有效地增加发光二极管内量子效率。
附图说明
图1是本发二极管的结构示意图；
图2是本发明有源区的结构示意图；
图3是本发明的生长曲线图。
标号说明
衬底1缓冲层2
非故意掺杂层3第一型导电层4
有源区5低温前阱层51
量子阱52盖帽层53
第一盖帽层531第二盖帽层532
第三盖帽层533量子垒54
电子阻挡层6第二型导电层7
欧姆接触层8电流扩展层9。
具体实施方式
以下结合附图及具体实施例对本发明做详细描述。
请参阅图1至图3所述，本发明揭示的一种蓝绿发光二极管，在衬底1上生长缓冲层2，在缓冲层2上生长非故意掺杂层3，非故意掺杂层3材质为gan，在非故意掺杂层3上生长第一型导电层4，第一型导电层4材质为gan，在第一型导电层4上生长有源区5，在有源区5上生长电子阻挡层6，电子阻挡层6材质为algan，在电子阻挡层6上生长第二型导电层7，第二型导电层7材质为gan，在第二型导电层7上生长欧姆接触层8，在欧姆接触层8上生长电流扩展层9，电流扩展层9的材质为ito。
如图2所述，有源区5由从下至上依次生成的低温前阱层51、量子阱52、盖帽层53和量子垒54多个循环组成，该盖帽层由生长温度阶梯式升温的第一盖帽层531、第二盖帽层532和第三盖帽层533组成。盖帽层53的材质为gan、aln、algan、gainn、algainn中的一种。
低温前阱层51、量子阱52、第一盖帽层531和量子垒54的生长温度为650-800摄氏度，即有源区mqw的通常生长温度。第二盖帽层532的生长温度为较第一盖帽层531升高大于零摄氏度且小于50摄氏度，第三盖帽层533的生长温度为较第一盖帽层531升高大于50摄氏度且小于120摄氏度。
本发明还揭示一种蓝绿发光二极管的外延方法，包括以下步骤：
一，在量子阱52上生长第一盖帽层531，生长温度为650-800摄氏度，生长压力为100-400乇，采用无氢气环境下，生长一层厚度小于5埃的第一盖帽层531；量子阱52上生长在低温前阱层51上，低温前阱层51的生长温度为650-800摄氏度，生长压力为100-400乇。通过步骤一尽量将in保留在量子阱里面，但由于in的特性，依然会有些in会析出，因此采用下一步骤二。
二，在第一盖帽层531上生长第二盖帽层532，生长温度升高，生长温度为较第一盖帽层531升高大于零摄氏度且小于50摄氏度，降低生长压力，较第一盖帽层531降低大于零且小于100乇，采用无氢气环境下，降低生长速率至低于0.2埃/s生长一层厚度小于3埃的第二盖帽层532。采用该低速中温的生长方法，通过提高温度使得表面in析出严重的区域in可以扩散或逃逸；通过降低生长速率，使得盖帽层界面上的晶体质量逐步得到改善。为了使得后续量子垒获得更好的晶体质量。
三，在第二盖帽层532上生长第三盖帽层533，生长温度为较第一盖帽层531升高大于50摄氏度且小于120摄氏度，采用少氢气环境下，提高生长速率至第二盖帽层532生长速率的2倍以上，生长一层厚度小于7埃的第三盖帽层533。通过第三盖帽层的生长，使得温度可以较容易地过渡到较高温度生长量子垒，且避免温度升高过高导致的in析出。保证了有源区的晶体质量，有效提高内量子效率。
四，在第三盖帽层533上生长量子垒54，量子垒54的生长温度为650-800摄氏度，即有源区mqw的通常生长温度。
本发明在有源区量子阱52和量子垒54之间生成盖帽层53，盖帽层53采用阶梯式升温生长第一盖帽层531、第二盖帽层532和第三盖帽层533，使得量子阱52的in被盖帽层盖得更好，减小后续外延量子垒54时发生in析出的情况，使得量子垒54的生长温度可以升得更高，提高有源区5的晶体质量，有效地增加发光二极管内量子效率。