技术总结
一种在Ga‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法，属于半导体工艺和器件领域。以在蓝宝石衬底上MOCVD生长的Ga‑极性GaN作为模板，在模板上通过光刻工艺制作图案化的聚乙烯吡咯烷酮膜为掩膜层，在所述掩膜层上用PE‑ALD法选择性生长用于极性变换的Al2O3，PE‑ALD方法可使工艺温度低于掩膜层的熔点，保证掩膜层不变形的同时能制备均匀性好、厚度可精确控制的Al2O3薄膜，剥离掩膜层图案化Al2O3,并通过高温退火对Al2O3进行结晶化处理，最后在裸露的Ga‑极性GaN模板和图案化的Al2O3上使用氢化物气相外延方法进行厚膜GaN生长，有望满足高功率器件需要厚度达1mm的极性交替的GaN要求。
技术研发人员：刘三姐;郑新和;彭铭曾;侯彩霞;王瑾;何荧峰;李美玲
受保护的技术使用者：北京科技大学
文档号码：201710039125
技术研发日：2017.01.19
技术公布日：2017.06.13