技术总结
本发明涉及半导体光电子器件领域，并且更特别地，涉及一种新型的可调谐垂直腔面发射激光器的制备方法。针对现有技术中可调谐垂直腔面发射激光器制造工艺成品率低，价格高昂的技术问题，本发明提出了一种新型的可调谐垂直腔面发射激光器的制备方法。通过利用黑蜡作为支撑层结合ELO工艺剥离外延层；避免了等离子体刻蚀的操作步骤，显著降低了可调谐垂直腔面发射激光器的制造成本，提高了制造成品率。
技术研发人员：关赫;陶明亮;杜永乾
受保护的技术使用者：西北工业大学
文档号码：201710045602
技术研发日：2017.01.20
技术公布日：2017.05.24