技术特征：
技术总结
本发明提供一种激光退火方法，所述方法包括:提供半导体晶圆，所述半导体晶圆至少包括第一区域和第二区域；通过激光束斑扫描所述半导体晶圆进行激光退火；其中，所述激光束斑扫描所述第一区域时边缘排除的尺寸，与扫描所述第二区域时边缘排除的尺寸不同；其中，所述激光束斑扫描所述第一区域时相邻两次扫描的间隔时间，与扫描所述第二区域时相邻两次扫描的间隔时间不同。根据本发明提供的激光退火方法，半导体晶圆至少包括第一区域和第二区域，扫描第一区域时边缘排除的尺寸与扫描第二区域时边缘排除的尺寸不同，扫描第一区域时相邻两次扫描的间隔时间与扫描第二区域时相邻两次扫描的间隔时间不同，从而避免半导体晶圆发生破损，提高产品良率。
技术研发人员：沈耀庭
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.02.07
技术公布日：2018.08.14