1.一种变掺杂变组分AlGaN/GaN中子探测器，其特征在于：该探测器为PIN结构，以自支撑n型GaN作为衬底，在衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术顺序生长变掺杂变组分n型AlGaN N层、未掺杂GaN I层、p型GaN P层；利用电子束蒸发设备在p型GaN层和n型衬底层分别沉积多层金属并退火处理分别形成p型和n型欧姆接触电极，而后利用光刻及磁控溅射技术在p型电极上溅射10BC4形成中子转换层。
2.根据权利要求1所述的变掺杂变组分AlGaN/GaN中子探测器，其制备步骤如下：
1）选取自支撑n型GaN材料做衬底，要求其位错密度低于106cm-2，并且均匀性好，晶向为Ga面（1-110），双面抛光，n型掺杂浓度为5～10×1018cm-3，厚度为150～200μm；
2）在步骤1）中获得的n型GaN衬底上，外延生长Si掺杂n型变掺杂变组分AlGaN/GaN PIN结构中的N层，N层厚度为4～8μm，从衬底往外生长时，n型掺杂浓度由1～10×1018cm-3按指数递减至5～10×1016cm-3，Al组分由0.2～0.3线性递减至0；
3）在步骤2）中获得的N层上继续外延生长厚度为1～3μm的未掺杂的GaN作为PIN结构中的I层；
4）在步骤3）中获得的I层上继续外延生长Mg掺杂厚度为100～500nm的GaN作为PIN结构中的P层，其掺杂浓度为1～5×1019cm-3。
3.根据权利要求1变掺杂变组分AlGaN/GaN中子探测器，其特征在于：所述的p型欧姆接触电极，在步骤4）中获得的p型GaN层上，沉积Ni/Au作为欧姆接触金属，其中Ni的厚度为10～20nm，Au的厚度为50～100nm，而后进行欧姆接触电极退火处理，退火温度为450～550℃，退火时间为600～900s。
4.根据权利要求1变掺杂变组分AlGaN/GaN中子探测器，其特征在于：所述的n型欧姆接触电极，在n型衬底上，沉积Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属，其中Ti的厚度为10～20nm，Al的厚度为30～50nm，Ni的厚度为20～40nm，Au的厚度为50～100nm，而后进行欧姆接触电极退火处理，退火温度为550～650℃，退火时间为400～600s。
5.根据权利要求1变掺杂变组分AlGaN/GaN中子探测器，其特征在于：所述的中子转换层，中子转换材料为10B4C或6LiF，厚度为4～6μm；沉积转换层时腔体的本底真空为1～5×10-5 Pa , 工作压力为1～3Pa，氩气流量为5～20sccm，射频源为100～300W，溅射时间为2000～3000s，反溅偏压为50～150V。