技术总结
本发明公开一种变掺杂变组分AlGaN/GaN中子探测器，为PIN结构，以自支撑n型GaN作为衬底，在衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术顺序生长变掺杂变组分n型AlGaN层、未掺杂GaN层和p型GaN层；在p型GaN和n型衬底上沉积金属并做退火处理形成欧姆接触电极；在p型GaN层上沉积10BC4或6LiF作为中子转换层。AlGaN/GaN变掺杂变组分结构内部具有内建电场，当中子照射到10BC4或6LiF后发生核反应产生α粒子，α粒子电离AlGaN/GaN产生电子空穴对，该电场驱动电子、空穴分别向n型和p型电极两端定向运动，有利于收集效率的提高和漏电流的减小，从而提高了中子探测器的灵敏度以及探测效率。
技术研发人员：汤彬;朱志甫;邹继军;王盛茂;邓文娟;彭新村
受保护的技术使用者：东华理工大学
文档号码：201710095598
技术研发日：2017.02.22
技术公布日：2017.05.24