基板处理装置及半导体器件的制造方法与流程

本发明涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序。

背景技术：

作为在半导体器件的制造工序中使用的基板处理装置的一个方式，例如存在具有预真空锁(load lock)室的装置(例如专利文献1)。

专利文献1：日本特开2001-345279号公报

在半导体器件中使用了多种基板。例如存在直径为200mm的基板、直径为300mm的基板。为了对上述基板进行处理，以往开发了200mm基板专用的装置和300mm专用的装置。

随着近年来的IoT(Internet of Things：物联网)市场的扩张，期望多个品种的基板处理。然而,由于基板处理装置的占用面积(footprint)大、且价格昂贵，在筹备多个专用装置这一点上存在极限。

技术实现要素：

因此，本发明的目的在于，提供一种能够不受限于基板的种类地进行基板处理的技术。

根据本发明的一个方式，提供一种基板处理装置的技术，该基板处理装置具有：

预真空锁室，其具有对基板进行支承的第一支承部和第二支承部；

第一搬运机构，其具有从所述预真空锁室的一侧向所述预真空锁室的内外搬运所述基板的镊钳；

第二搬运机构，其具有从所述预真空锁室的另一侧向所述预真空锁室的内外搬运所述基板的镊钳；以及

反应器，其对所述基板进行处理，其中，

所述第一支承部具有第一支承机构，该第一支承机构在与所述臂的进入方向正交的那侧的宽度以第一宽度分离，

所述第二支承部具有第二支承机构，该第二支承机构以比所述第一宽度小的第二宽度分离。

发明效果

根据本发明，能够提供能够不受限于基板种类地进行基板处理的技术。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的基板处理装置的概要结构例的说明图。

图2是表示本发明的实施方式的基板处理装置的概要结构例的说明图。

图3是对本发明的实施方式的预真空锁室进行说明的说明图。

图4是对本发明的实施方式的预真空锁室进行说明的说明图。

图5是对本发明的实施方式的预真空锁室进行说明的说明图。

图6是对本发明的实施方式的RC进行说明的说明图。

图7是对本发明的实施方式的控制器进行说明的说明图。

图8是对本发明的实施方式的基板处理流程进行说明的说明图。

图9是对本发明的实施方式的预真空锁室进行说明的说明图。

图10是对比较例的预真空锁室进行说明的说明图。

图11是对比较例的预真空锁室进行说明的说明图。

其中，附图标记说明如下：

10基板处理装置、200晶片(基板)、280控制器、RCa～RCd反应器、311第一晶片支承部、321第二晶片支承部

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。

本发明的第一实施方式

首先，对本发明的第一实施方式进行说明。

以下，参照附图对本发明的第一实施方式进行说明。

(基板处理装置)

首先，利用图1及图2对本实施方式的基板处理装置10进行说明。

图1是本实施方式的集群(cluster)式的基板处理装置10的横向剖视图。图2是本实施方式的集群式的基板处理装置10的纵向剖视概要图。

此外，在应用本发明的基板处理装置10中，作为对作为基板的晶片200进行搬运的搬运器而使用FOUP(Front Opening Unified Pod(前端开口片盒)：以下称为盒)100。本实施方式的集群式的基板处理装置10的搬运装置分为真空侧和大气侧。

另外，在以下说明中，前后左右以图1为基准。将图1中示出的X1的方向设为右，将X2的方向设为左，将Y1的方向设为前，将Y2的方向设为后。

(真空侧的结构)

如图1及图2所示，基板处理装置10具备能够耐受真空状态等的不足大气压的压力(负压)的第一搬运室103。第一搬运室103的框体101在俯视时例如为五边形，且形成为上下两端封闭的箱状。

在第一搬运室103内设置有在负压下对晶片200进行移载的第一晶片移载机(第一搬运机构)112。第一晶片移载机112构成为通过第一晶片移载机升降器115能够维持第一搬运室103的气密性地升降。

在框体101的五个侧壁中位于前侧的侧壁分别经由闸阀126、127而连结有预真空锁室122、123。预真空锁室122、123构成为能够同时使用搬入晶片200的功能和搬出晶片200的功能，并且分别由能够耐受负压的构造构成。后文中对预真空锁室122、123的详情进行叙述。

在第一搬运室103的框体101的五个侧壁中位于后侧(背面侧)的四个侧壁经由闸阀150～153而分别相邻连结有对基板进行期望的处理的第一反应器～第四反应器RCa～RCd。

在预真空锁室122、123的前侧经由闸阀128、129而连结有能够在真空以及大气压的状态下对晶片200进行搬运的第二搬运室121。在第二搬运室121设置有对晶片200进行移载的第二晶片移载机(第二搬运机构)124。第二晶片移载机124构成为借助设置于第二搬运室121内的第二晶片移载机升降器131而升降，并且构成为借助线性致动器132而在左右方向上往返移动。

在第二搬运室121的框体125的前侧设置有用于将晶片200相对于第二搬运室121搬入搬出的基板搬入搬出口134、以及盒开启器108。隔着基板搬入搬出口134在盒开启器108的相反侧、即框体125的外侧设置有装载端口105。

此外，第一晶片移载机112是能够更换对晶片200进行支承的镊钳112a的结构。例如，当对300mm的晶片进行搬运时，将镊钳112a更换为作为第一真空搬运镊钳的应对真空的300mm晶片搬运用镊钳，当对200mm的晶片进行搬运时，将镊钳112a更换为作为第二真空搬运镊钳的应对真空的200mm用晶片搬运用镊钳。第二晶片移载机124也一样，当对300mm的晶片进行搬运时，将镊钳124a更换为作为第一大气搬运镊钳的应对大气的300mm晶片搬运用镊钳，当对200mm的晶片进行搬运时，将镊钳124a更换为作为第二大气搬运镊钳的应对大气的200mm用晶片搬运用镊钳。

在本实施例中，将直径大的晶片200称为晶片200L、且将直径小的晶片称为晶片200S。晶片200L例如为300mm的晶片，晶片200S例如为200mm的晶片。

(预真空锁室)

接下来，主要利用图3对本实施方式的预真空锁室的结构进行说明。图3是图2的α-α’处的纵向剖视图。此处，以预真空锁室122为例进行说明。此外，镊钳从近前侧向里侧、或者从里侧向近前侧方向移动。

预真空锁室122具有框体300。在框体300中的、与框体101相邻的壁设置有用于对晶片200进行搬入搬出的搬入搬出口。同样地，在与框体125相邻的壁也设置有用于对晶片200进行搬入搬出的搬入搬出口。

在框体300的内部设置有舟皿(boat)301，在舟皿301设置有第一晶片支承部(第一支承部)311和第二晶片支承部(第二支承部)321。舟皿301以使镊钳能够在Y方向上进入的方式在框体101、框体125各自的方向上开放。舟皿301支承于舟皿支承机构303。支承机构303将框体300的底壁304贯穿、且由升降机构305支承。升降机构305使舟皿301升降。

第一晶片支承部311具有在舟皿301的侧壁302以多层而固定的支承机构。支承机构构成为包括固定于一方的侧壁302的支承机构311R、以及固定于另一方的侧壁302的支承机构311L。

支承机构311L、311R沿Y方向延伸。而且，在X方向上从侧壁302朝向框体300的中央侧(例如虚线306侧)延伸。

支承机构311R和支承机构311L构成为分离距离m(第一距离)。距离m构成为比第一真空搬运镊钳的宽度、以及第一大气搬运镊钳的宽度大。

例如，如图4所记载，晶片200L的端部(边缘)由支承机构311R、支承机构311L支承。本图中的晶片200L例如为300mm的晶片。

第二晶片支承部321具有在侧壁302以多层而固定的支承机构。支承机构构成为包括固定于一方的侧壁302的支承机构321R、以及固定于另一方的侧壁302的支承机构321L。

支承机构321L、321R沿Y方向延伸。而且，在X方向上从侧壁302朝向框体300的中央侧(例如虚线306)延伸。

支承机构321R和支承机构321L构成为分离距离n(第二距离)。距离n构成为比第二真空搬运镊钳的宽度、以及第二大气搬运镊钳的宽度大。第二距离(宽度)为小于第一距离的距离。

支承机构311L、311R和支承机构321L、321R在垂直方向上交替且独立地配置为多层。

例如图5所记载，晶片200S的端部(边缘)由支承机构321R、支承机构321L支承。

在框体300的顶部307设置有用于将压力调整用的非活性气体向框体300内供给的非活性气体供给孔308。在非活性气体供给孔308设置有非活性气体供给管331。在非活性气体供给管331从上游按顺序设置有非活性气体源332、质量流量控制器333、阀334，由此对向框体300内供给的非活性气体的供给量进行控制。非活性气体采用对形成于晶片200上的膜无影响的气体。例如采用氦气(He)、氮气(N2)、氩气(Ar)。

预真空锁室的非活性气体供给部330构成为主要包括非活性气体供给管331、质量流量控制器333、阀334。此外，非活性气体供给部中可以包括非活性气体源332、气体供给孔308。

在框体300的底壁304设置有用于对框体300内的环境气体进行排放的排气孔309。在排气孔309设置有排气管341。在排气管341从上游按顺序设置有作为压力控制器的APC(Auto Pressure Controller：自动压力控制器)342、泵343。

预真空锁室的气体排放部340构成为主要包括排气管341、APC342。此外，气体排放部中可以包括泵343、排气孔309。

通过气体供给部330、气体排放部340的协作而对预真空锁室的环境气体进行控制。

接下来，对支承机构311L、311R和支承机构321L、321R在垂直方向上交替且独立地配置的优点进行说明。

首先，利用图10对第一比较例进行说明。利用图10来说明对晶片200L和晶片200S使用共同的支承构造的情况。为了便于说明，对晶片200L和晶片200S分别进行记载。

在图10的比较例中，利用支承部410对晶片200进行支承。支承部410具有支承机构411。支承机构411构成为包括固定于一方的侧壁302的支承机构411R、以及固定于另一方的侧壁302的支承机构411L。

支承机构411L、411R从侧壁302向斜下方延伸。如图10所记载的那样，采用兼作晶片200L和晶片200S的支承机构的结构，在支承机构411R、411L各自的靠近中央线306的前端部对晶片200S进行支承，在支承机构411R、411L中的靠近侧壁302的根部412对晶片200L进行支承。

但是，发明人进行了锐意研究的结果发现，在这种构造的情况下，当在晶片200L与支承机构411接触的部位412产生微粒时，微粒有可能向支承机构411的前端、下方的支承机构411的方向扩散。这是因为，在晶片因晶片的自重等而挠曲的情况下，支承机构411与晶片的接触面积在接触部位412增加。如通常已知的那样，微粒的产生量与晶片的接触面积成正比例增加，因此微粒在这种机构中增加。因此，有可能导致成品率降低。

对此，在本实施方式的构造的情况下，如图4所记载的那样，由于始终对晶片200的边缘进行支承，因此，即使晶片200挠曲，接触面积也不增加。因此，能够抑制微粒的产生、成品率降低。

假设即使在接触部位312产生微粒，也能够利用正下方的支承机构321在根部322捕获该微粒，因此，由比根部322更靠下方的支承机构311支承的晶片200L不会受到微粒的影响。

接下来，作为第二比较例，利用图11进行说明。图11中，并非交替地配置晶片200L的支承机构311R、311L和晶片200S的支承机构321R、321L，而是形成为分别集中配置晶片200L的支承机构311R、311L和晶片200S的支承机构321R、321L的构造。

在图11中，501表示垂直方向上的上下的支承机构311之间的空间，502表示垂直方向上的上下的支承机构321之间的空间。在各空间501、502滞留有因晶片的接触而产生的微粒。

如前所述，在预真空锁室中交替地更换真空环境气体和待机环境气体。此时，通过气体供给部330、气体排放部340的协作，以使微粒不向框体300内扩散通过缓慢且恒定量地供给/排放非活性气体来对环境气体进行控制。

但是，空间501为容易对环境气体进行排放的构造，与此相对，空间502从支承构造321的前端至侧壁302为止的距离较长，因此是难以对环境气体进行排放的构造。因此，在供给/排放规定流量的非活性气体的情况下，难以对空间502的环境气体进行排放。为了对空间502的环境气体进行排放，还考虑增加供给流量和排气流量并增加非活性气体的流速而对空间502的环境气体进行排放，但能够想到流速具有较大流势的非活性气体与支承机构321的前端碰撞而引起紊流的情况。在该情况下，空间501、空间502中的微粒有可能向框体300内扩散。而且，作为其他方法，还能想到维持前述的规定流量、且直至对空间502的环境气体进行排放为止而花费时间来对环境气体进行排放，但由此会耗费环境气体的置换时间，因此生产量会下降。

对此，在本实施方式的构造的情况下，如图4所记载，在均匀地配置各构造的基础上，进一步使支承机构311与支承机构312之间的空间313的上方开放。即，形成为容易排放空间312的环境气体的构造。因此，不会使生产量下降，实现了微粒少的构造。

此外，作为不会受到存在于其他支承机构的微粒的影响的方法，当使处理从晶片200L向晶片200S切换时，能够想到利用维护人员的手对预真空锁室进行清洁等方法。然而，预真空锁室的构造复杂，尤其是支承机构311与支承机构321之间狭窄，因此存在各支承机构的上表面的清洁不够充分的问题。而且，由于每当进行清洁时停机时间都会增加，所以存在处理效率变差的问题。对此，若是本实施方式的构造，则受到微粒影响的情况较少，并且停机时间不会变长。

在此，对于支承机构311和支承机构321的配置的组合而言，优选将支承机构311配置于最上方。由于将支承机构311配置于最上方，所以不会阻碍非活性气体从支承机构311至支承机构321的流动，能够形成无紊流的气流。假设在将支承机构321配置于最上方的情况下，供给的非活性气体首先与支承机构321碰撞，于是会引起紊流。引起的紊流会使得微粒向框体300内扩散。

与之相对，通过如上所述那样将支承机构311配置于最上方，能够形成无紊流的非活性气体的气流而抑制微粒的扩散。

(反应器)

接下来，主要利用图6对作为对本实施方式的基板进行处理的处理炉的反应器的结构进行说明。图6是本实施方式的基板处理装置10所具备的反应器的横截面概要图。

此处，在本实施方式中，第一反应器～第四反应器RCa～RCd分别同样地构成。以下，将第一反应器～第四反应器RCa～RCd统称为“RC”。

(容器)

如图示例子那样，RC具备容器202。在容器202内形成有对硅晶片等晶片200进行处理的处理空间205、以及当将晶片200向处理空间205搬运时晶片200通过的搬运空间206。容器202构成为包括上部容器202a和下部容器202b。在上部容器202a与下部容器202b之间设置有分隔板208。

在下部容器202b的侧面设置有与闸阀151相邻的基板搬入搬出口，晶片200经由基板搬入搬出口而在基板搬入搬出口与框体101之间移动。在下部容器202b的底部设置有多个升降销207。而且，下部容器202b接地。

在处理空间205配置有对晶片200进行支承的基板支承部210。基板支承部210主要具有：基板载置面211，其供晶片200载置；基板载置台212，其在表面具有基板载置面211；以及作为加热源的加热器213，其设置于基板载置台212内。在基板载置台212，供升降销207贯穿的贯穿孔214分别设置于与升降销207对应的位置。

基板载置台212由轴217支承。轴217将容器202的底部贯穿，并且在容器202的外部与升降部218连接。

在处理空间205的上部(上游侧)，设置有作为气体分散机构的喷头230。在喷头230的盖231设置有气体导入孔231a。贯穿孔231a与后述的气体供给管242连通。

喷头230具备作为用于使气体分散的分散机构的分散板234。该分散板234的上游侧为缓冲空间232，下流侧为处理空间205。在分散板234设置有多个贯穿孔234a。

上部容器202a具有凸缘，在凸缘上载置、固定有支承块233。支承块233具有凸缘233a，在凸缘233a上载置、固定有分散板234。而且，盖231固定于支承块233的上表面。

(供给部)

共用气体供给管242与喷头230的盖231连接以便于与在盖231设置的气体导入孔231a连通。在共用气体供给管242连接有第一气体供给管243a、第二气体供给管244a、第三气体供给管245a。第二气体供给管244a与共用气体供给管242连接。

(第一气体供给系统)

在第一气体供给管243a从上游方向按顺序设置有第一气体源243b、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)243c、以及作为开闭阀的阀243d。

第一气体源243b是含有第一元素的第一气体(也称为“含第一元素气体”。)源。含第一元素气体是原料气体、即处理气体的一种。此处，第一元素例如为硅(Si)。即，含第一元素气体例如为含硅气体。具体而言，作为含硅气体而使用六氯乙硅烷(Si2Cl6，也称为HCD)气体。

第一气体供给系统243(也称为含硅气体供给系统)构成为主要包括第一气体供给管243a、质量流量控制器243c、阀243d。

(第二气体供给系统)

在第二气体供给管244a从上游方向按顺序设置有第二气体源244b、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)244c、以及作为开闭阀的阀244d。

第二气体源244b是含有第二元素的第二气体(以下，也称为“含第二元素气体”)源。含第二元素气体为处理气体的一种。此外，可以考虑将含第二元素气体作为反应气体或者改性气体。第二气体例如为氧气(O2)。例如，在对晶片200L进行处理时使用。

第二气体供给系统244(也称为含氧气供给系统)构成为主要包括第二气体供给管244a、质量流量控制器244c、阀244d。

(第三气体供给系统)

在第三气体供给管245a从上游方向按顺序设置有第三气体源245b、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)245c、以及作为开闭阀的阀245d。

第三气体源245b为含有与第二元素不同的第三元素的气体的气体源。含第三元素气体为处理气体的一种。此外，可以考虑将含第三元素气体作为反应气体或者改性气体。第三气体例如为氨气(NH3)。例如在对晶片200S进行处理时使用。

第三气体供给系统245构成为主要包括第三气体供给管245a、质量流量控制器245c、阀245d。

(排气系统)

对容器202的环境气体进行排放的排气系统具有与容器202连接的多个排气管。具有：排气管(第一排气管)262，其与处理空间205连接；以及排气管(第二排气管)261，其与搬运空间206连接。另外，在各排气管261、262的下流侧连接有排气管(第三排气管)268。

排气管261设置于搬运空间206的侧方或者下方。在排气管261设置有泵264(TMP，Turbo Molecular Pump：涡轮分子泵)。在排气管261中且在泵264的上游侧设置有作为搬运空间用第一排气阀的阀265。

排气管262设置于处理空间205的侧方。在排气管262设置有作为将处理空间205内控制为规定的压力的压力控制器的APC(Auto Pressure Controller)266。APC266具有能够调整开度的阀体(未图示)，根据来自控制器280的指示而对排气管262的导通性进行调整。另外，在排气管262中且在APC266的上游侧设置有阀267。将排气管262和阀267、APC266统一称为处理室排气系统。

在排气管268设置有DP(Dry Pump：干泵)269。如图所示，在排气管268从其上游侧连接有排气管262、排气管261，在它们的下游还设置有DP269。DP269分别经由排气管262、排气管261而对缓冲空间232、处理空间205以及搬运空间206各自的环境气体进行排放。

(控制器)

接下来，利用图7对控制器280的详情进行说明。基板处理装置10具有对基板处理装置10的各部分的动作进行控制的控制器280。

作为控制部(控制单元)的控制器280构成为具备CPU(Central Processing Unit：中央处理器)280a、RAM(Random Access Memory：随机存取器)280b、作为存储部的存储装置280c、I/O端口280d的计算机。RAM280b、存储装置280c、I/O端口280d构成为能够经由内部总线280f而与CPU280a进行数据交换。根据还作为CPU280a的一种功能的发送接收指示部280e的指示而进行基板处理装置10内的数据的发送接收。

例如构成为触摸面板等的搬入搬出装置281、外部存储装置282能够与控制器280连接。而且，设置有经由网络而与上位装置270连接的接收部283。

存储装置280c例如由闪存、HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动)等构成。在存储装置280c内以能够读出的方式储存有对基板处理装置的动作进行控制的控制程序、记载有后述的基板处理的次序及条件等的工艺配方、后述的表等。此外，工艺配方组合为使控制器280执行后述的基板处理工序中的各次序且能够获得规定结果，该工艺配方作为程序而发挥功能。以下，还将该工艺配方、控制程序等简单地统称为程序。此外，当在本说明书中使用程序之类的词语时，有时仅包括工艺配方单体、有时仅包括控制程序单体、或者有时包括其双方。另外，RAM280b构成为暂时对由CPU280a读出的程序、数据等进行保有的存储区域(工作区域)。

I/O端口280d与各闸阀151、设置于后述的反应器的升降机构218、各压力调整器、各泵、升降器等、基板处理装置10的各结构连接。

CPU280a构成为读出并执行来自存储装置280c的控制程序，并且根据从搬入搬出装置281的操作命令的输入等而从存储装置280c读出工艺配方。而且，CPU280a构成为能够根据读出的工艺配方的内容而对闸阀151的开闭动作、晶片移载机112、124的动作、升降机构218的升降动作、各泵的接通断开控制、质量流量控制器的流量调整动作、阀等进行控制。作为工艺配方而对与各晶片对应的配方进行记录。例如，对在晶片200L上形成SiO膜的第一配方进行存储，对在晶片200S上形成SiN膜的第二配方进行存储。上述配方构成为当从上位装置等接收到对各晶片分别进行处理的指示时读出该配方。

例如，若接收到向反应器RC输入第一种类的晶片200L的指示，则读出第一配方。在将晶片200L载置于第一支承机构311之后，若将晶片200L输入至反应器RC，则根据第一配方对晶片进行处理。

另外，若接收到向反应器RC输入第二种类的晶片200S的指示，则读出第二配方。在将晶片200S载置于第二支承机构321之后，若将晶片200S输入至反应器RC，则根据第二配方对晶片进行处理。

此外，对于控制器280而言，利用对上述程序进行储存的外部存储装置(例如、硬盘等磁盘、DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器等半导体存储器)282将程序安装于计算机等，由此能够构成本实施方式的控制器280。此外，用于向计算机供给程序的方法并不局限于经由外部存储装置282而供给的情况。例如，可以利用互联网、专用回线等通信单元而不经由外部存储装置282地供给程序。此外，存储装置280c、外部存储装置282构成为计算机可读取的记录介质。以下，还将上述介质简单地统称为记录介质。此外，在本说明书中，在使用记录介质之类的词语的情况下，有时仅包括存储装置280c单体、有时仅包括外部存储装置282单体、或者有时包括其双方。

(基板处理工序)

接下来，作为半导体制造工序的一道工序，对利用上述结构在晶片200上形成薄膜的工序进行说明。此外，在以下说明中，构成基板处理装置的各部分的动作由控制器280控制。

首先，说明对晶片200L进行处理的情况。在预真空锁室122中，将晶片载置于第一支承部310。在RC中，作为含第一元素气体(第一处理气体)而使用使HCD气化所得的HCD气体，作为含第二元素气体(第二处理气体)而使用O2气体，通过交替地供给上述气体，在晶片200上作为含硅膜而形成氧化硅(SiO)膜。以下，对形成例进行说明。

接下来，利用图8对膜处理流程的详情进行说明。

(S202)若将晶片200L搬入至容器202内，则使移载机112向容器202外避让，将闸阀151关闭而将容器202内密闭。然后，通过使基板载置台212上升而将晶片200载置于设置在基板载置台212的基板载置面211上，并且通过使基板载置台212上升而使晶片200上升至前述的处理空间205内的处理位置(基板处理位置)。

若在将晶片200搬入至搬运空间205之后使其上升至处理空间205内的处理位置，则使得阀266和阀267形成为关闭状态。由此，将搬运空间205与TMP264之间、以及TMP264与排气管268之间切断而使基于TMP264向搬运空间205的排气结束。另一方面，将阀277和阀267打开，由此使处理空间205与APC266之间连通、且使APC266与DP269之间连通。APC266通过对排气管262的导通性进行调整而对基于DP269的处理空间205的排气流量进行控制，并将处理空间205维持为规定的压力(例如10-5～10-1Pa的高真空)。

像这样，在S202中，将处理空间205内控制为规定的压力，并且将晶片200L的表面温度控制为规定的温度。温度例如为室温以上500℃以下，优选为室温以上且400℃以下。可以考虑将压力设为例如50Pa～5000Pa。

(S204)在S202之后执行S204的成膜工序。在成膜工序中，根据工艺配方对第一气体供给系统243进行控制而将第一气体向处理空间205供给，并且对排气系统进行控制而针对处理空间进行排气、成膜处理。此外，在此，可以对第二气体供给系统244进行控制，使第二气体与第一气体同时存在于处理空间而进行CVD处理、或者交替地供给第一气体和第二气体而进行循环处理。

(S206)在S206中，按照与上述的S202相反的次序将处理完毕的晶片200L向容器202外搬出。然后，按照与S202相同的次序将接下来的正在待机的未处理的晶片200L向容器202内搬入。然后，针对搬入的晶片200执行S204。

接下来，说明对晶片200S进行处理的情况。当对晶片200S进行处理时，首先更换镊钳等而形成为能够对晶片200S进行处理的状态。若变为能够处理的状态，则将晶片200S载置于预真空锁室122的第二支承部320。在移载至RC之后，作为含第一元素气体(第一处理气体)而使用使HCD气化所得的HCD气体，作为含第三元素气体(第三处理气体)而使用NH3气体，通过交替地供给上述气体，在晶片200上作为含硅膜而形成氮化硅(SiN)膜。

(效果)

以上对本发明的实施方式进行了说明，以下列举通过本发明而导出的具有代表性的效果。

(a)即便是不同种类的基板，也能够利用一个基板处理装置来应对。

(b)即便是不同种类的基板，也能够使得彼此不会给对方造成不良影响。

本发明的第二实施方式

在第二实施方式中，对晶片200L进行搬运的镊钳的宽度构成为比水平方向上的支承机构311之间的宽度n小。除此之外，与第一实施方式均相同。

图9是对镊钳112a的宽度构成为比水平方向上的支承机构311之间的宽度n小的情况下的效果进行说明的说明图。此处，以镊钳112a为例进行说明。

作为镊钳112a拾取晶片的方法，存在先使镊钳在晶片下方待机、接下来使镊钳上升的方法。在这种方法的情况下，需要使镊钳待机。

出于这种情况，在形成为使图11这样的支承机构311、支承机构321分别连续的构造的情况下，在各支承机构之间需要镊钳的待机空间。

与之相对，在本实施方式中，将支承机构311和支承机构321在高度方向上交替地配置为多层，因此，如图9所记载的那样，能够在支承机构311R与支承机构311L之间确保供拾取晶片200L时的第二镊钳(例如镊钳112a)待机的空间。

因此，与连续地配置图11那样的支承机构的情况相比，能够减小高度方向上的容积。

其他实施方式

以上虽然对本发明的实施方式进行了具体说明，但并不限定于此，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变更。

另外，例如，在上述的各实施方式中，举出了在基板处理装置所进行的成膜处理中作为含第一元素气体而使用HCD气体、且作为含第二元素气体而使用O2气体，通过交替地供给上述气体而在晶片200上形成SiO膜的情况下的例子，并举出了通过交替地供给含第一元素气体和含第三元素气体而在晶片200上形成SiN膜的例子，但本发明并不限定于此。即，成膜处理中所使用的处理气体并不局限于HCD气体、O2气体等，也可以使用其他种类的气体而形成其他种类的薄膜。而且，即使在使用3种以上的处理气体的情况下，若交替地供给这些处理气体而进行成膜处理，则也能够应用本发明。具体而言，作为第一元素，可以不是Si，例如可以是钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)等各种元素。另外，作为第二元素，可以不是O，例如可以是氮(N)等。另外，虽然针对晶片200L和晶片200S而将第一元素气体设为相同的气体，但并不局限于此，也可以是性质完全不同的气体。

另外，例如，在上述的各实施方式中，作为基板处理装置所进行的处理而举出了成膜处理的例子，但本发明并不限定于此。即，除了在各实施方式中作为例子而举出的成膜处理以外，本发明还能够应用于各实施方式中举例示出的薄膜以外的成膜处理。

另外，基板处理的具体内容是任意的，不仅能够应用于进行成膜处理的情况，而且还能够应用于退火处理、扩散处理、氧化处理、氮化处理、光刻处理等其他基板处理的情况。而且，本发明还能够应用于其他基板处理装置，例如能够应用于退火处理装置、蚀刻装置、氧化处理装置、氮化处理装置、曝光装置、涂敷装置、干燥装置、加热装置、利用等离子体的处理装置等其他基板处理装置。另外，上述装置可以混合存在于本发明中。另外，可以将某实施方式的结构的一部分替换为其他实施方式的结构，另外，还可以在某实施方式的结构的基础上追加其他实施方式的结构。另外，对于各实施方式的结构的一部分，还可以进行其他结构的追加、删除、置换。