技术总结
本发明公布了一种高迁移率沟道双纳米线场效应晶体管及其制备方法。首先在Fin条底部、顶部和侧壁形成锗扩散阻挡层，对锗硅Fin条进行氧化，利用锗硅在氧化硅上氧化时趋于形成纳米线结构的特点，在Fin条顶部和底部分别形成纳米线结构；同时，利用锗聚集技术，使锗向Fin条顶部和底部扩散，提高沟道中锗组分，进而提高载流子迁移率，从而提高驱动电流。另外，双纳米线结构可以在提高驱动电流的同时节省芯片面积。
技术研发人员：安霞;张冰馨;胡向阳;黎明;黄如;张兴
受保护的技术使用者：北京大学
文档号码：201710156417
技术研发日：2017.03.16
技术公布日：2017.06.27