技术特征：
技术总结
本发明提供一种相变存储器及其形成方法，其中，相变存储器的形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成加热层；在所述加热层侧壁表面形成相变层，所述加热层仅侧壁与所述相变层接触。在所述加热层侧壁表面形成相变层，由于在加热层的形成工艺中，能够使加热层的厚度较小，小于加热层表面的最小尺寸。由于加热层的厚度较小，所述相变层位于所述加热层侧壁表面，则可以使所述相变层与所述加热层的接触面积较小。所述相变层与所述加热层的接触面积小，在读写数据时发生相变的相变层材料较少，从而能够缩短相变时间，进而增加相变存储器的读写速度。
技术研发人员：张超;周儒领;张庆勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2017.03.17
技术公布日：2018.10.09