本发明涉及一种光提取层与其形成方法和有机发光二极管结构。
背景技术
有机发光二极管(organiclightemittingdiode，oled)为采用发光性的有机化合物的发光组件，具有自发光特性，且其薄型化、显示质量以及省电特性皆优于液晶显示器(liquidcrystaldisplay，lcd)。由于有机发光二极管具有广视角、高反应速度、超薄等特性，使得有机发光二极管面板应用范围越来越广泛。
为了进一步改善有机发光二极管的各项特性，相关领域莫不费尽心思开发。如何能提供一种具有较佳特性的有机发光二极管，实属当前重要研发课题，也成为当前相关领域亟需改进的目标。
技术实现要素：
本发明的一目的在于提供一种形成光提取层的方法，借此形成光提取层，其可以用来增强有机发光二极管结构的出光效率。
根据本发明一实施方式提供的一种形成光提取层的方法，包含以下步骤。首先，在第一基板上形成阻挡层。接着，在阻挡层与第一基板中形成多个开口。然后，在开口中填充散射材料。再来，移除阻挡层，同时在第一基板上遗留散射材料。接着，平坦化基板与散射材料。最后，将第二基板接合于第一基板上。
在本发明的一个或多个实施方式中，在移除阻挡层的步骤中，阻挡层为通过剥离方式移除。
根据本发明另一实施方式提供的光提取层，光提取层包含第一基板、第二基板以及多个散射结构。第一基板具有多个凹槽。第二基板设置于第一基板上，其中第一基板直接接触第二基板，且第一基板与第二基板的材质相同。散射结构分别设置于不同凹槽中。
在本发明的一个或多个实施方式中，凹槽的深度为20微米至50微米。
在本发明的一个或多个实施方式中，凹槽的线宽为150微米至400微米。
在本发明的一个或多个实施方式中，凹槽的线距为150微米至350微米。
在本发明的一个或多个实施方式中，散射结构为透明有机材质混入多个金属氧化物微颗粒，其中金属氧化物微颗粒的尺寸为0.5微米至4微米，金属氧化物微颗粒在散射结构的重量百分浓度为5％至10％。
在本发明的一个或多个实施方式中，金属氧化物微颗粒的材质为氧化铝或氧化锆。
在本发明的一个或多个实施方式中，第一基板与第二基板的材质为玻璃。
根据本发明又一实施方式提供的有机发光二极管结构，有机发光二极管结构包含前述的光提取层、第一电极层、发光结构以及第二电极层。第一电极层设置于光提取层上。发光结构设置于第一电极层上。第二电极层设置于发光结构上。
设置于凹槽中的散射结构将可以使发光结构所发射的光线在经过时产生散射效应，于是这些光线的方向将能被导正，因而避免这些光线在经过第一基板与空气的交界面时因为全反射而无法射出第一基板。于是，有机发光二极管结构的出光效率将能有效增强。
进一步来说，因为第一基板直接接触第二基板，且第一基板与第二基板的材质相同，所以发光结构所发射的光线在经过第一基板与第二基板之间的交界面时不会产生不必要的折射或全反射，因而避免出光效率受到干扰的情况，进而进一步增强有机发光二极管结构的出光效率。
另外，因为第二基板直接接触第一基板，且第二基板为平整的基板，所以当第一电极层形成于第二基板上时，第一电极层为行成于一个平整的平面上。如此一来，第一电极层的制造良率将能有效提升，进而避免产生短路现象或电阻上升等不良现象。
附图说明
图1至图7绘示依照本发明一实施方式的光提取层在不同工艺步骤时的剖面示意图。
图8绘示依照本发明一实施方式的光提取层的俯视示意图。
图9绘示依照本发明一实施方式的有机发光二极管结构的剖面视示意图。
图10绘示依照传统有机发光二极管结构与本发明不同实施例的有机发光二极管结构的辉度-线宽图。
图11绘示依照传统有机发光二极管结构与本发明不同实施例的有机发光二极管结构的另一辉度-线距图。
图12绘示依照本发明另一实施方式的光提取层的俯视示意图。
图13绘示依照传统有机发光二极管结构与本发明不同实施例的有机发光二极管结构的又一辉度-线距图。
具体实施方式
以下将以附图公开本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些公知惯用的结构与组件在附图中将以简单示意的方式绘示。
图1至图7绘示依照本发明一实施方式的光提取层100在不同工艺步骤时的剖面示意图。本发明不同实施方式提供一种形成光提取层100的方法，借此形成光提取层100，其可以用来增强有机发光二极管结构的出光效率。
如图1所绘示，提供第一基板110。
具体而言，第一基板110的材质为透明绝缘材质。上述的第一基板110的材质可为玻璃。第一基板110的厚度可为约0.5毫米。
如图2所绘示，在第一基板110上形成阻挡层120。
具体而言，阻挡层120的材质可为高分子材质。上述的阻挡层120的材质可为聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane，pdms)。阻挡层120的厚度可为约300微米。
在本实施方式中，阻挡层120为利用旋涂机涂布于第一基板110上，其中旋涂机的转速为控制于300rpm并维持10秒。
如图3所绘示，在阻挡层120与第一基板110中形成多个开口120o，因而在第一基板110中形成多个凹槽120g。具体而言，凹槽120g的深度可为20微米至50微米，凹槽120g的线宽可为150微米至400微米，凹槽120g的线距可为150微米至350微米。
在本实施方式中，开口120o为通过激光雕刻技术直接雕刻在阻挡层120上，且激光的能量为16瓦特，但并不限于此。在其他实施方式中，开口120o可以通过曝光显影与蚀刻的方式形成。
如图4所绘示，在开口120o中填充散射材料130，因此散射材料130也填充于凹槽120g中。
具体而言，散射材料130为透明有机材质均匀混入多个金属氧化物微颗粒。透明有机材质可为su-8有机溶液。金属氧化物微颗粒的材质可为氧化铝或氧化锆。金属氧化物微颗粒的尺寸可为0.5微米至4微米。金属氧化物微颗粒在散射材料130的重量百分浓度可为5％至10％。
在本实施方式中，首先先将散射材料130滴在第一基板110与阻挡层120上，接着使用旋涂机进行旋涂，其中旋涂机的转速为控制于300rpm并维持10秒，因而使散射材料130高度均匀。接着，以摄氏95度对于第一基板110、阻挡层120与散射材料130进行烘烤10分钟。然后，使用紫外线灯固化散射材料130。最后，以摄氏95度对于第一基板110、阻挡层120与散射材料130进行烘烤10分钟。
如图5所绘示，移除阻挡层120，同时遗留至少部分散射材料130于第一基板110上。具体而言，遗留的散射材料130至少位于凹槽120g中。
在本实施方式中，阻挡层120为通过剥离方式移除。于是，主要为位于开口120o中的散射材料130遗留下来。
如图6所绘示，平坦化第一基板110与散射材料130，因而形成散射结构131于凹槽120g中。具体而言，平坦化时研磨台的转速维持150rpm，且研磨时间为20分钟。
如图7所绘示，将第二基板140接合于第一基板110上，于是形成光提取层100。具体而言，第二基板140与第一基板110的材质相同。第二基板140的材质为透明绝缘材质。前述的第二基板140的材质可为玻璃。
在本实施方式中，使用封装胶191粘合固定第二基板140与第一基板110的两端侧面，其中封装胶的材质为聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane，pdms)，于是第二基板140直接接触第一基板110。在其他实施方式中，可以利用阳极接合工艺接合第二基板140与第一基板110。
图8绘示依照本发明一实施方式的光提取层100的俯视示意图。如图8所绘示，散射结构131为长条状，且平均分布于第一基板110中。
如图7与图8所绘示，本发明另一实施方式提供一种光提取层100。光提取层100包含第一基板110、第二基板140以及多个散射结构131。第一基板110具有多个凹槽120g。第二基板140设置于第一基板110上，其中第一基板110直接接触第二基板140，且第一基板110与第二基板140的材质相同。散射结构131分别设置于不同凹槽120g中。
具体而言，凹槽120g的深度可为20微米至50微米，凹槽120g的线宽可为150微米至400微米，凹槽120g的线距可为150微米至350微米。
具体而言，散射结构131为透明有机材质混入多个金属氧化物微颗粒。金属氧化物微颗粒的材质为氧化铝或氧化锆。金属氧化物微颗粒的尺寸为0.5微米至4微米。金属氧化物微颗粒在散射结构的重量百分浓度为5％至10％。
具体而言，第一基板110与第二基板140的材质为玻璃。
图9绘示依照本发明一实施方式的有机发光二极管结构200的剖面视示意图。如图9所绘示，本发明不同实施方式提供一种有机发光二极管结构200。有机发光二极管结构200包含光提取层100、第一电极层210、发光结构220以及第二电极层230。第一电极层210设置于光提取层100上。发光结构220设置于第一电极层210上。第二电极层230设置于发光结构220上。
设置于凹槽120g中的散射结构131将可以使发光结构220所发射的光线在经过时产生散射效应，于是这些光线的方向将能被导正，因而避免这些光线在经过第一基板140与空气的交界面时因为全反射而无法射出第一基板140。于是，有机发光二极管结构200的出光效率将能有效增强。
进一步来说，因为第一基板110直接接触第二基板140，且第一基板110与第二基板140的材质相同，所以发光结构220所发射的光线在经过第一基板110与第二基板140之间的交界面时不会产生不必要的折射或全反射，因而避免出光效率受到干扰的情况，进而进一步增强有机发光二极管结构200的出光效率。
另外，因为第二基板140直接接触第一基板110，且第二基板140为平整的基板，所以当第一电极层210形成于第二基板140上时，第一电极层210为行成于一个平整的平面上。如此一来，第一电极层210的制造良率将能有效提升，进而避免产生短路现象或电阻上升等不良现象。
图10绘示依照传统有机发光二极管结构与本发明不同实施例的有机发光二极管结构200的辉度-线宽图。如图10所绘示，直线410代表传统有机发光二极管结构(即其没有包含光提取层100)的出光亮度，点420代表有机发光二极管结构200在凹槽120g的线宽为150微米且线距为250微米时的出光亮度，点430代表有机发光二极管结构200在凹槽120g的线宽为250微米且线距为250微米时的出光亮度，点440代表有机发光二极管结构200在凹槽120g的线宽为350微米且线距为250微米时的出光亮度，点450代表有机发光二极管结构200在凹槽120g的线宽为450微米且线距为250微米时的出光亮度。比对直线410与点420、430、440、450后可以发现，使用光提取层100的确可以有效提升有机发光二极管结构200的出光亮度。在此同时，当凹槽120g的线距为250微米时，凹槽120g的线宽为350微米可以使有机发光二极管结构200具有最佳的出光亮度。
图11绘示依照传统有机发光二极管结构与本发明不同实施例的有机发光二极管结构的另一辉度-线距图。如图11所绘示，直线510代表传统有机发光二极管结构(即其没有包含光提取层100)的出光亮度，点520代表有机发光二极管结构200在凹槽120g的线宽为350微米且线距为125微米时的出光亮度，点530代表有机发光二极管结构200在凹槽120g的线宽为350微米且线距为150微米时的出光亮度，点540代表有机发光二极管结构200在凹槽120g的线宽为350微米且线距为200微米时的出光亮度，点550代表有机发光二极管结构200在凹槽120g的线宽为350微米且线距为250微米时的出光亮度，点560代表有机发光二极管结构200在凹槽120g的线宽为350微米且线距为300微米时的出光亮度，点570代表有机发光二极管结构200在凹槽120g的线宽为350微米且线距为350微米时的出光亮度。比对直线510与点520、530、540、550、560、570后可以发现，使用光提取层100的确可以有效提升有机发光二极管结构200的出光亮度。在此同时，当凹槽120g的线宽为350微米时，凹槽120g的线距为150微米可以使有机发光二极管结构200具有最佳的出光亮度。
图12绘示依照本发明另一实施方式的光提取层101的俯视示意图。如图12所绘示，散射结构131为点状，且平均分布于第一基板110中。
图13绘示依照传统有机发光二极管结构与本发明不同实施例的有机发光二极管结构的又一辉度-线距图。如图13所绘示，点620代表有机发光二极管结构200在其光提取层101的凹槽120g的线宽为350微米且线距为125微米时的出光亮度，点630代表有机发光二极管结构200在其光提取层101的凹槽120g的线宽为350微米且线距为150微米时的出光亮度，点640代表有机发光二极管结构200在其光提取层101的凹槽120g的线宽为350微米且线距为175微米时的出光亮度，点650代表有机发光二极管结构200在其光提取层101的凹槽120g的线宽为350微米且线距为225微米时的出光亮度，点660代表有机发光二极管结构200在其光提取层101的凹槽120g的线宽为350微米且线距为250微米时的出光亮度，点670代表有机发光二极管结构200在其光提取层101的凹槽120g的线宽为350微米且线距为300微米时的出光亮度。比对点620、630、640、650、660、670后可以发现，当光提取层101的凹槽120g的线宽为350微米时，凹槽120g的线距为175微米可以使有机发光二极管结构200具有最佳的出光亮度。
设置于凹槽120g中的散射结构131将可以使发光结构220所发射的光线在经过时产生散射效应，于是这些光线的方向将能被导正，因而避免这些光线在经过第一基板140与空气的交界面时因为全反射而无法射出第一基板140。于是，有机发光二极管结构200的出光效率将能有效增强。
进一步来说，因为第一基板110直接接触第二基板140，且第一基板110与第二基板140的材质相同，所以发光结构220所发射的光线在经过第一基板110与第二基板140之间的交界面时不会产生不必要的折射或全反射，因而避免出光效率受到干扰的情况，进而进一步增强有机发光二极管结构200的出光效率。
另外，因为第二基板140直接接触第一基板110，且第二基板140为平整的基板，所以当第一电极层210形成于第二基板140上时，第一电极层210为行成于一个平整的平面上。如此一来，第一电极层210的制造良率将能有效提升，进而避免产生短路现象或电阻上升等不良现象。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围内。