本发明涉及有机光电技术领域，具体涉及一种有机发光器件。
背景技术
近年来，有机发光二极管(oled:organiclightemittingdiode)作为一种新型和有前途的显示技术逐渐进入人们的视野。它与传统的显示技术相比，在电压特性、发光亮度、发光效率、器件重量、响应速度以及观赏视角等方面具有显著优势，并因其低成本潜力，拥有广阔市场前景。
通常，oled具有层状或层压结构。例如，典型的oled具有阳极/有机发光层/阴极多层结构。oled还可具有各种其它结构，例如阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极多层结构或阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极多层结构。
但是传统的oled显示器件多存在发光效率和使用寿命的问题，主要有如下几个原因：一方面取决于所用有机发光材料的发光性能，及各层组合材料之间的匹配度；一方面取决于激子利用率，由于在有机光电材料中空穴和电子的传输速度不同，常规器件结构很容易出现载流子注入不平衡的问题，导致电子和空穴复合效率低和复合区域的偏移，从而导致有机电致发光器件的发光效率低下、寿命低；另一方面，有机电致发光器件的封装方式多为薄膜封装，在此过程中，封装薄膜可能会产生细小的通道，使得环境中的水分和氧气接触到oled显示器件。而上层的阴极往往采用活性较高的金属，与水分和氧气接触后极易产生器件的失效。
随着市场对oled器件要求的进一步提高，寻求更高发光效率、更长寿命、更低成本的oled器件成为发展的趋势，所以开发出一种性能更加优异的有机发光器件，成为一种亟待解决的问题。
技术实现要素：
本发明的目的是提供了一种可实现更高发光效率和使用寿命的有机发光器件。
本发明提供一种有机发光器件，依次包括基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层、电子注入层和阴极，其中
所述第一电子传输层包含由式(1)表示的氮杂咔唑类化合物，和
所述第二电子传输层包含由式(2)表示的三嗪类化合物：
其中，r1、r2独立的选自取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c3～c30的杂芳基中的一种；x1～x4独立的选自碳原子或氮原子；l选自单键、取代或未取代的c6～c30的芳基中的一种，
其中，ar1、ar2、ar3独立的选自取代或未取代的c6～c65的芳基、取代或未取代的c3～c65的杂芳基中的一种，且至少一个选自如下基团：
其中，r3、r4独立的选自取代或未取代的c1～c10的烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c6～c30的杂芳基中的一种；r5选自氢原子、取代或未取代的c1～c10的烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基中的一种。
优选的，所述式(1)中的x2、x3中至少一个为氮原子，x1、x4为碳原子。
优选的，所述第一电子传输层包含的氮杂咔唑类化合物的通式如(1-1)或(1-2)所示：
l选自单键、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的屈基、取代或未取代的三亚苯基中的一种。
优选的，所述式(1)中r1、r2独立的选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的吩恶嗪基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的吩恶噻基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的菲啰啉基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的苊基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的苯并吡咯基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的一种。
优选的，所述式(2)中ar1、ar2、ar3至少一个选自如下基团：
其中，r3、r4独立的选自甲基、乙基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的菲啰啉基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的苯并吡咯基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的吲哚基中的一种；r5选自氢原子、甲基、乙基、异丙基或叔丁基。
优选的，所述式(2)中的ar1、ar2、ar3至少一个选自如下基团：
其中，r3、r4独立的选自甲基、乙基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲啰啉基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的吲哚基中的一种；r5选自氢原子、甲基、乙基、异丙基或叔丁基。
优选的，所述式(2)中ar2、ar3相同，选自如下基团：
其中，r3、r4独立的选自甲基、乙基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基中的一种；r5选自氢原子、甲基、乙基、异丙基或叔丁基。
优选的，所述式(2)中的ar1选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的吩恶嗪基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的吩恶噻基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的菲啰啉基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的苊基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的苯并吡咯基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的一种。
再优选的，所述氮杂咔唑类化合物选自下述化合物中的一种：
再优选的，所述三嗪类化合物选自下述化合物中的一种：
本发明的有益效果：
本发明提供的一种有机发光器件，此器件为双层电子传输器件结构，包含具有氮杂咔唑类化合物作第一电子传输层和三嗪类化合物作为第二电子传输层。
本发明的第一电子传输层包含氮杂咔唑类化合物，此化合物不仅具有氮杂咔唑基团，还有苯并咪唑基团。一方面，氮杂咔唑基团具有很高的三重态能级(2.96ev)和稳定的能级，不但保留了咔唑基团的高三线态，还向基团中引入了不饱和的c＝n双键，提高了电子传输能力，通过与不同的基团键连可以实现对材料载流子传输能力的调节；一方面，苯并咪唑类基团是一种具有很好的刚性平面结构和丰富的π电子云密度以及优良的电子离域环境的特殊分子，而且苯并咪唑上芳环的π-π堆积会使具有该类基团的化合物具有更强的稳定性；另一方面，苯并咪唑基团与氮杂咔唑基团结合形成的一种电子传输材料，增加了共轭体系，较大的分子量提高了化合物的玻璃化温度，尤其中间使用一系列芳基相连，连续的π共轭体系带来较好的电子流动性，从而具有高的电子迁移率。
本发明的第二电子传输层包含三嗪类化合物，此化合物具有与芴类结构相连的特点。一方面，三嗪基团尤其是1,3,5-三嗪基团结构较稳定，耐酸碱及耐高温，具有高的玻璃化温度；三嗪基团作为典型的强吸电子基团，以其为中心结构的化合物具有高的电子迁移率和较低的能级。一方面，芴类基团是三维立体的空间结构，可以有效的防止分子间的聚集，使其不易结晶；芴类基团中易修饰、强刚性的优点使化合物结构稳定。另一方面，三嗪基团与芴类基团结合形成的一种含芴类结构的三嗪化合物，尤其是二者之间由苯环或联苯环连接，增加了共轭体系，拥有可伸展的三维结构，连续的π共轭体系带来较好的电子流动性，从而具有高的电子迁移率；并且，二者的结合使得载流子传输平衡。
本发明所述的有机发光器件通过将上述第一电子传输层和第二电子传输层进行组合，从而提高电子传输速率，提高激子在发光层的生成率和利用率，避免了载流子在发光层的不平衡，避免电子传输层与发光层界面的热积聚导致的器件寿命恶化，从而降低了器件的开启电压，提高了器件的发光效率和使用寿命。
本发明所述的有机发光器件使用的化合物原料易得，合成简单，易操作。
附图说明
图1是一种有机发光器件截面图。
其中，基板1/阳极2/空穴注入层3/空穴传输层4/发光层5/第一电子传输层6/第二电子传输层7/电子注入层8/阴极9。
具体实施方式
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。
本发明所述烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基，其可以为直链烷基、支链烷基、环烷基，实例可包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、环戊基、环己基等，但不限于此。
本发明所述芳基是指芳烃分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称，其可以为单环芳基或稠环芳基，实例可包括苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基或芘基等，但不限于此。
本发明所述杂芳基是指芳基中的一个或多个芳核碳被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫或氮原子，所述杂芳基可以为单环杂芳基或稠环杂芳基，实例可包括吡啶基、吡咯基、吡啶基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基等，但不限于此。
本发明所述取代的烷基、取代的烷氧基、取代的芳基、取代的芳胺基、取代的杂芳基中，所述取代基独立地选自氘、c1-c10烷基、氰基、硝基、c6-c24芳基或c3-c20杂芳基。
本发明提供了一种有机发光器件，依次包括基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层、电子注入层和阴极，其中
所述第一电子传输层包含由式(1)表示的氮杂咔唑类化合物，和
所述第二电子传输层包含由式(2)表示的三嗪类化合物：
其中，r1、r2独立的选自取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c3～c30的杂芳基中的一种；x1～x4独立的选自碳原子或氮原子；l选自单键、取代或未取代的c6～c30的芳基中的一种，
其中，ar1、ar2、ar3独立的选自取代或未取代的c6～c65的芳基、取代或未取代的c3～c65的杂芳基中的一种，且至少一个选自如下基团：
其中，r3、r4独立的选自取代或未取代的c1～c10的烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c6～c30的杂芳基中的一种；r5选自氢原子、取代或未取代的c1～c10的烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基中的一种。
优选的，所述式(1)中的x2、x3中至少一个为氮原子，x1、x4为碳原子。
优选的，所述第一电子传输层包含的氮杂咔唑类化合物的通式如(1-1)或(1-2)所示：
l选自单键、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的屈基、取代或未取代的三亚苯基中的一种。
优选的，所述式(1)中r1、r2独立的选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的吩恶嗪基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的吩恶噻基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的菲啰啉基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的苊基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的苯并吡咯基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的一种。
优选的，所述式(2)中ar1、ar2、ar3至少一个选自如下基团：
其中，r3、r4独立的选自甲基、乙基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的菲啰啉基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的苯并吡咯基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的吲哚基中的一种；r5选自氢原子、甲基、乙基、异丙基或叔丁基。
优选的，所述式(2)中的ar1、ar2、ar3至少一个选自如下基团：
其中，r3、r4独立的选自甲基、乙基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲啰啉基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的吲哚基中的一种；r5选自氢原子、甲基、乙基、异丙基或叔丁基。
优选的，所述式(2)中ar2、ar3相同，选自如下基团：
其中，r3、r4独立的选自甲基、乙基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基中的一种；r5选自氢原子、甲基、乙基、异丙基或叔丁基。
优选的，所述式(2)中的ar1选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的吩恶嗪基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的吩恶噻基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的菲啰啉基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的苊基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的苯并吡咯基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的一种。
最优选的，所述氮杂咔唑类化合物选自下述化合物中的一种：
最优选的，所述三嗪类化合物选自下述化合物中的一种：
本发明所述的式(1)化合物，可以通过以下合称路线合成：
其中，r1、r2独立的选自取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c3～c30的杂芳基中的一种；x1～x4独立的选自碳原子或氮原子；l选自单键、取代或未取代的c6～c30的芳基中的一种。
按照本发明，中间体a按照如下所示方法制备得到：
溴代的氮杂咔唑在氮气保护，醋酸钯、三叔丁基膦为催化剂，叔丁基醇钠为碱，溶剂为甲苯的条件下，与溴代物反应经由c-n偶联反应，得到中间体a；
按照本发明，中间体b按照如下所示方法制备得到：
2-氯苯并咪唑在氮气保护，醋酸钯、三叔丁基膦为催化剂，叔丁基醇钠为碱，溶剂为甲苯的条件下，与溴代物反应经由c-n偶联反应，得到中间体b；
按照本发明，中间体c按照如下所示方法制备得到：
中间体b在氮气保护，四三苯基膦钯为催化剂，碳酸钾为碱，四氢呋喃为溶剂的条件下，与二硼酸化合物通过c-c偶联反应得到中间体c；
按照本发明，化合物i按照如下所示方法制备得到：
中间体c在氮气保护，四三苯基膦钯为催化剂，碳酸钾为碱，四氢呋喃为溶剂的条件下，与二硼酸化合物通过c-c偶联反应得到化合物i。
本发明所述的式(2)化合物，可以通过以下合称路线合成：
其中，ar1、ar2、ar3独立的选自取代或未取代的c6～c65的芳基、取代或未取代的c3～c65的杂芳基中的一种，且至少一个选自如下基团：
其中，r3、r4独立的选自取代或未取代的c1～c10的烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c6～c30的杂芳基中的一种；r5选自氢原子、取代或未取代的c1～c10的烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基中的一种。
上述合成是以2,4,6-三氯-1,3,5-三嗪为起始原料，经由一系列c-c偶联得到目标产物i，推荐使用suzuki偶联反应，氮气保护下，以四三苯基膦钯为催化剂，碳酸钾为碱，四氢呋喃为溶剂，回流进行反应。
本发明所述的的器件结构最优选如图1所示：基板1/阳极2/空穴注入层3/空穴传输层4/发光层5/第一电子传输层6/第二电子传输层7/电子注入层8/阴极9。其中，基板1是透明的玻璃、塑料或石英；阳极2是透明的氧化铟锡ito或氧化铟锌izo；第一电子传输层6采用具有单极性电子传输特性的材料，用于电子的传输，利于空穴和电子在发光层的有效复合,其膜厚控制在
本发明所述有机电致发光器件可广泛应用于面板显示、照明oled、柔性oled、电子纸、有机感光体或有机薄膜晶体管等领域。
实施例1：化合物1-a1的合成
中间体a1-1的合成
将三叔丁基膦(4.4ml的1.0m的甲苯溶液，1.48g，0.05mmol)、醋酸钯(0.4g，1.83mmol)和叔丁醇钠(22.8g，238mmol)添加至7-溴-5h-吡啶并[4,3-b]吲哚(45.2g，183mmol)和碘苯(37.7g，185mmol)在脱气甲苯(1l)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热2小时。将该反应混合物冷却至室温，用甲苯稀释并且经由硅藻土过滤。将该滤液用水稀释，并用甲苯提取，并且合并有机相，将其在真空下进行蒸发。将该残余物经由硅胶进行过滤，并重结晶。得到中间体a1-1(47.2g，产率为80％)。
质谱m/z：323.23(计算值：323.19)。理论元素含量(％)c17h11n2br：c,63.18；h,3.43；br,24.72；n,8.67实测元素含量(％)：c,63.19；h,3.45；br,24.72；n,8.64。上述结果证实获得产物为目标产品。
中间体b1-1的合成
将三叔丁基膦(4.4ml的1.0m的甲苯溶液，1.48g，0.05mmol)、醋酸钯(0.4g，1.83mmol)和叔丁醇钠(22.8g，238mmol)添加至2-氯苯并咪唑(27.8g，183mmol)和碘苯(37.7g，185mmol)在脱气甲苯(1l)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热2小时。将该反应混合物冷却至室温，用甲苯稀释并且经由硅藻土过滤。将该滤液用水稀释，并用甲苯提取，并且合并有机相，将其在真空下进行蒸发。将该残余物经由硅胶进行过滤，并重结晶。得到中间体b1-1(33.5g，产率为80％)。
质谱m/z：228.73(计算值：228.68)。理论元素含量(％)c13h9n2cl：c,68.28；h,3.97；cl,15.50；n,12.25实测元素含量(％)：c,68.27；h,3.97；cl,15.52；n,12.24。上述结果证实获得产物为目标产品。
中间体c1-1的合成
取中间体b1-1(9.6g，42.4mmol)加入到三口瓶中，加入thf100ml，氮气保护，-78℃搅拌30分钟，然后加入正丁基锂(2.5m)21ml，反应1小时，再加入硼酸三异丙酯7g，低温反应1小时，逐渐恢复室温。后处理过程，体系中加入2m盐酸使溶液ph值为4-5，静置分液，水层用乙酸乙酯萃取，合并有机层，旋干，得中间体c1-1(8.2g，产率80％)。
质谱m/z：242.16(计算值：242.09)。理论元素含量(％)c13h11bn2o2：c,65.59；h,4.66；b,4.54；n,11.77；o,13.44实测元素含量(％)：c,65.58；h,4.66；b,4.55；n,11.77；o,13.44。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物1-a1的合成
将三叔丁基膦(4.4ml的1.0m的甲苯溶液，1.48g，0.05mmol)、醋酸钯(0.4g，1.83mmol)和叔丁醇钠(22.8g，238mmol)添加至中间体a1-1(60.4g，187mmol)和中间体c1-1(44.3g，183mmol)在脱气甲苯(1l)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热2小时。将该反应混合物冷却至室温，用甲苯稀释并且经由硅藻土过滤。将该滤液用水稀释，并用甲苯提取，并且合并有机相，将其在真空下进行蒸发。将该残余物经由硅胶进行过滤，并重结晶。得到化合物1-a1(67.8g，产率为85％)。
质谱m/z：436.53(计算值：436.51)。理论元素含量(％)c30h20n4：c,82.55；h,4.62；n,12.84实测元素含量(％)：c,82.53；h,4.61；n,12.86。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例2：化合物1-b2的合成
中间体a1-1的合成
将三叔丁基膦(4.4ml的1.0m的甲苯溶液，1.48g，0.05mmol)、醋酸钯(0.4g，1.83mmol)和叔丁醇钠(22.8g，238mmol)添加至7-溴-5h-吡啶并[4,3-b]吲哚(45.2g，183mmol)和碘苯(37.7g，185mmol)在脱气甲苯(1l)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热2小时。将该反应混合物冷却至室温，用甲苯稀释并且经由硅藻土过滤。将该滤液用水稀释，并用甲苯提取，并且合并有机相，将其在真空下进行蒸发。将该残余物经由硅胶进行过滤，并重结晶。得到中间体a1-1(47.2g，产率为80％)。
质谱m/z：323.23(计算值：323.19)。理论元素含量(％)c17h11n2br：c,63.18；h,3.43；br,24.72；n,8.67实测元素含量(％)：c,63.19；h,3.45；br,24.72；n,8.64。上述结果证实获得产物为目标产品。
中间体b2-1的合成
将三叔丁基膦(4.4ml的1.0m的甲苯溶液，1.48g，0.05mmol)、醋酸钯(0.4g，1.83mmol)和叔丁醇钠(22.8g，238mmol)添加至2-氯苯并咪唑(27.8g，183mmol)和2-溴萘(38.3g，185mmol)在脱气甲苯(1l)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热2小时。将该反应混合物冷却至室温，用甲苯稀释并且经由硅藻土过滤。将该滤液用水稀释，并用甲苯提取，并且合并有机相，将其在真空下进行蒸发。将该残余物经由硅胶进行过滤，并重结晶。得到中间体b2-1(40.7g，产率为80％)。
质谱m/z：278.73(计算值：278.74)。理论元素含量(％)c17h11n2cl：c,73.25；h,3.98；cl,12.72；n,10.05实测元素含量(％)：c,73.25；h,3.96；cl,12.74；n,10.05。上述结果证实获得产物为目标产品。
中间体c2-1的合成
将三叔丁基膦(4.4ml的1.0m的甲苯溶液，1.48g，0.05mmol)、醋酸钯(0.4g，1.83mmol)和叔丁醇钠(22.8g，238mmol)添加至中间体b2-1(50.8g，183mmol)和1,4-苯二硼酸(30.2g，183mmol)在脱气甲苯(1l)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热2小时。将该反应混合物冷却至室温，用甲苯稀释并且经由硅藻土过滤。将该滤液用水稀释，并用甲苯提取，并且合并有机相，将其在真空下进行蒸发。将该残余物经由硅胶进行过滤，并重结晶。得到中间体c2-1(67.8g，产率为85％)。
质谱m/z：314.13(计算值：314.15)。理论元素含量(％)c19h15bn2o2：c,72.64；h,4.81；b,3.44；n,8.92；o,10.19实测元素含量(％)：c,72.64；h,4.83；b,3.44；n,8.92；o,10.17。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物1-b2的合成
将三叔丁基膦(4.4ml的1.0m的甲苯溶液，1.48g，0.05mmol)、醋酸钯(0.4g，1.83mmol)和叔丁醇钠(22.8g，238mmol)添加至中间体a1-1(60.4g，187mmol)和中间体c2-1(57.5g，183mmol)在脱气甲苯(1l)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热2小时。将该反应混合物冷却至室温，用甲苯稀释并且经由硅藻土过滤。将该滤液用水稀释，并用甲苯提取，并且合并有机相，将其在真空下进行蒸发。将该残余物经由硅胶进行过滤，并重结晶。得到化合物1-b2(82.3g，产率为80％)。
质谱m/z：562.53(计算值：562.66)。理论元素含量(％)c40h26n4：c,85.38；h,4.66；n,9.96实测元素含量(％)：c,85.37；h,4.67；n,9.96。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例3：化合物2-a1的合成
中间体a1-1的合成
取3,5-二氯联苯(9.4g，42.4mmol)加入到三口瓶中，加入thf100ml，氮气保护，-78℃搅拌30分钟，然后加入正丁基锂(2.5m)21ml，反应1小时，再加入硼酸三异丙酯14g，低温反应1小时，逐渐恢复室温。后处理过程，体系中加入2m盐酸使溶液ph值为4-5，静置分液，水层用乙酸乙酯萃取，合并有机层，旋干，得中间体a1-1(8.2g，产率80％)。
质谱m/z：242.16(计算值：242.09)。理论元素含量(％)c12h12b2o4：c,59.60；h,5.00；b,8.94；o,26.46实测元素含量(％)：c,59.61；h,5.02；b,8.94；o,26.43。上述结果证实获得产物为目标产品。
中间体a1-2的合成
将四三苯基膦钯(2.1g，1.83mmol)和碳酸钾(75.7g，549mmol)添加至中间体a1-1(44.3g，183mmol)和2-溴-9,9-二甲基芴(50.3g，185mmol)在脱气四氢呋喃(500ml)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热4小时。趁热抽滤，得到大量固体，用溶剂溶解固体，之后浓缩，经由硅胶柱层析得到中间体a1-2(50.0g，理论值70％)。
质谱m/z：390.25(计算值：390.28)。理论元素含量(％)c27h23bo2：c,83.09；h,5.94；b,2.77；o,8.20实测元素含量(％)：c,83.07；h,5.94；b,2.77；o,8.22。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物2-a1的合成
将四三苯基膦钯(2.1g，1.83mmol)和碳酸钾(75.7g，549mmol)添加至中间体a1-2(150g，384mmol)和2,4-二溴-6-苯基-1,3,5-三嗪(41.3g，183mmol)在脱气四氢呋喃(500ml)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热4小时。趁热抽滤，得到大量固体，用溶剂溶解固体，之后浓缩，经由硅胶柱层析得到化合物2-a1(92.9g，理论值60％)。
质谱m/z：846.05(计算值：846.07)。理论元素含量(％)c63h47n3：c,89.43；h,5.60；n,4.97实测元素含量(％)：c,89.43；h,5.63；n,4.94。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例4：化合物2-a27的合成
将四三苯基膦钯(2.1g，1.83mmol)和碳酸钾(75.7g，549mmol)添加至2-萘硼酸(31.5g，183mmol)和2,4,6-三氯-1,3,5-三嗪(41.8g，185mmol)在脱气四氢呋喃(500ml)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热4小时。趁热抽滤，得到大量固体，用溶剂溶解固体，之后浓缩，经由硅胶柱层析得到2,4-二氯-6-(萘-2-基)-1,3,5-三嗪(35.3g，理论值70％)。
将实施例1中的2-溴-9,9-二甲基芴换成等摩尔的2-叔丁基-7-溴-9,9-二甲基芴，2,4-二溴-6-苯基-1,3,5-三嗪换成等摩尔的2,4-二氯-6-(萘-2-基)-1,3,5-三嗪，其他步骤均与实施例1的合成相同，得到目标产物化合物a27。质谱m/z：1255.57(计算值：1255.58)。理论元素含量(％)c95h73n3：c,90.80；h,5.86；n,3.34实测元素含量(％)：c,90.82；h,5.82；n,3.36。上述结果证实获得产物为目标产品。
比较例1
将透明阳极电极ito基板在异丙醇中超声清洗15分钟，并暴露在紫外光下30分钟，随后用plasma处理10分钟。随后将处理后的ito基板放入蒸镀设备。首先蒸镀一层60nm的npb-dpa作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，之后蒸镀20nm的npb作为空穴传输层，蒸镀速度为0.1nm/s，然后是发光层的蒸镀，混合蒸镀adn/dpavbi，掺杂浓度为2wt％，基质材料的蒸镀速度为0.1nm/s，掺杂材料蒸镀速率为0.002nm/s，蒸镀厚度为35nm，随后蒸镀30nm的alq3作为电子传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，在电子传输层上依次真空蒸镀lif和al作为阴极，厚度为200nm。
应用实施例：
将透明阳极电极ito基板在异丙醇中超声清洗15分钟，并暴露在紫外光下30分钟，随后用plasma处理10分钟。随后将处理后的ito基板放入蒸镀设备。首先蒸镀一层60nm的npb-dpa作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，之后蒸镀20nm的npb作为空穴传输层，蒸镀速度为0.1nm/s，然后是发光层的蒸镀，混合蒸镀adn/dpavbi，掺杂浓度为2wt％，基质材料的蒸镀速度为0.1nm/s，掺杂材料蒸镀速率为0.002nm/s，蒸镀厚度为35nm，之后蒸镀30nm的所述氮杂咔唑类化合物作为第一电子传输层，随后蒸镀30nm的所述三嗪类化合物与liq共蒸发(50:50wt％)作为第二电子传输层，蒸镀速率为0.05nm/s，在电子传输层上依次真空蒸镀lif和al作为阴极，厚度为200nm。
表1
以上结果表明，使用本发明化合物的有机发光器件与比较例1相比，表现出高效率、低驱动电压的优点，是性能良好的有机发光器件。
显然，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于所述技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。