技术特征：
技术总结
本发明涉及一种自带VFTO抑制功能的开关，自带VFTO抑制功能的开关包括筒体，筒体内设有动端触座、静端触座，所述开关还包括用于抑制VFTO的磁环单元，筒体的筒壁上于动端触座和/或静端触座的径向外侧设有供母线连接的转接端子，所述转接端子与相应的动端触座或静端触座之间通过径向导电杆连接，所述磁环单元套设在所述径向导电杆上，磁环单元的数量能够在径向导电杆上沿筒体的轴向或径向增加，大大提高了磁环布置的灵活性，合理利用筒体内部的空间，产生的VFTO经过相应的动端触座或静端触座直接传递到径向导电杆上的磁环单元上，抑制效果较好，而且磁环单元布置的位置距离隔离断口较近，有利于减少磁环使用量。
技术研发人员：裴涛;赵海翔;金光耀;柏长宇;郭煜敬;王志刚;李丽娜;叶三排
受保护的技术使用者：平高集团有限公司;国家电网公司;国网山东省电力公司检修公司
技术研发日：2017.05.12
技术公布日：2017.08.18