图案化方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开一种图案化方法，其利用存储阵列区内及周边区内具有不同的图案密度，所产生的蚀刻负载效应，而能够在各向异性蚀刻存储阵列区内的第一硬掩模层时，周边区内的第一硬掩模层不需覆盖住。

技术研发人员：张峰溢;李甫哲;郭明峰;蔡建成
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
技术研发日：2017.07.04
技术公布日：2019.01.15