本发明属于硅片生产技术领域，尤其是涉及一种去除电极面氧化层的方法。
背景技术：
在硅片生产技术中，目前大多数采用物理方法(打砂)或者化学方法来去除电极面的氧化层。
在打砂的过程中，存在如下问题：
1.打砂压力过大会导致硅片破裂，打砂压力过小会导致氧化层残留；
2.打砂压力还要与链速进行匹配，工艺窗口很小。
用化学方法去除电极面氧化层，存在如下问题：
1.通常要结合物理方法，设计的工艺变量较多，工艺过程复杂，并且产能低下，生产稳定性控制困难；
2.破片率高，反应过程的均一性难控制；
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种利用化学方法去除硅片电极面氧化层的方法改善现有去除电极面氧化层工艺变量多，工艺窗口小，反应过程均一性差的问题。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种去除电极面氧化层的方法，包括用氟化铵腐蚀液浸泡硅片，所述氟化铵腐蚀液包括饱和氟化铵溶液和氢氟酸，所述饱和氟化铵溶液与所述氢氟酸的体积比为7:1-12:1。
进一步地，所述饱和氟化铵溶液与所述氢氟酸的体积比为10:1。
进一步地，所述用氟化铵腐蚀液浸泡硅片的时间为10-30min。
进一步地，所述用氟化铵腐蚀液浸泡硅片的反应温度为23℃-27℃。
进一步地，所述用氟化铵腐蚀液浸泡硅片的反应温度为25℃。
进一步地，还包括用氟化铵腐蚀液浸泡硅片后，先用纯水清洗，再用超声清洗。
本发明具有的优点和积极效果是：
1.采用化学方法去除硅片表面氧化层，无机械应力，降低硅片破片率；
2.去除硅片表面氧化层的方法整体工艺过程简洁，设计的工艺变量少，工艺窗口足够大，方便扩大产能并且便于生产的稳定控制；
3.采用氟化铵腐蚀液浸泡硅片后先用纯水清洗，再用超声清洗，并且反应过程中采用常温条件，便于控制均一性。
具体实施方式
实施例1
本实例一种去除电极面氧化层的方法，包括如下步骤：清洗槽内放置氟化铵腐蚀液，其中，氟化铵腐蚀液包括饱和氟化铵溶液和氢氟酸，饱和氟化铵溶液10l,氢氟酸1l,将装满gpp硅片的花篮放置到清洗槽中，用氟化铵腐蚀液浸泡硅片的时间为20s，用氟化铵腐蚀液浸泡硅片的反应温度为25℃；氟化铵腐蚀液浸泡后的硅片，采用机械手抓取花篮，放置到纯水清洗槽内，用纯水清洗不少于50s，去除硅片表面残留的氟化铵腐蚀液，避免将氟化铵腐蚀液带入到下一道工序；采用纯水清洗后的硅片，用机械手抓取花篮放置到超声清洗槽内，超声清洗的功率是1.8kw，频率为40khz，所有与液体接触硅片表面都被清洗干净，不会产生机械磨损或者化学腐蚀。
本实例去除硅片表面氧化层的方法整体工艺过程简洁，设计的工艺变量少，工艺窗口足够大，采用常温条件，便于控制均一性，方便扩大产能并且便于生产的稳定控制，在对本实例的硅片进行长达12小时的处理后，硅片表面仍然完好无损，均一性大于99％，硅片无机械应力，硅片破片率为0，清洁度大于99％。
实施例2
本实例一种去除电极面氧化层的方法，包括如下步骤：清洗槽内放置氟化铵腐蚀液，其中，氟化铵腐蚀液包括饱和氟化铵溶液和氢氟酸，饱和氟化铵溶液7l,氢氟酸1l,将装满gpp硅片的花篮放置到清洗槽中，用氟化铵腐蚀液浸泡硅片的时间为30s，用氟化铵腐蚀液浸泡硅片的反应温度为25℃；氟化铵腐蚀液浸泡后的硅片，采用机械手抓取花篮，放置到纯水清洗槽内，用纯水清洗不少于50s，去除硅片表面残留的氟化铵腐蚀液，避免将氟化铵腐蚀液带入到下一道工序；采用纯水清洗后的硅片，用机械手抓取花篮放置到超声清洗槽内，超声清洗的功率是1.8kw，频率为40khz，所有与液体接触硅片表面都被清洗干净，不会产生机械磨损或者化学腐蚀。
本实例去除硅片表面氧化层的方法整体工艺过程简洁，设计的工艺变量少，工艺窗口足够大，采用常温条件，便于控制均一性，方便扩大产能并且便于生产的稳定控制，在对本实例的硅片进行长达12小时的处理后，硅片表面仍然完好无损，均一性大于98％，硅片无机械应力，硅片破片率为0，清洁度大于99.1％。
实施例3
本实例一种去除电极面氧化层的方法，包括如下步骤：清洗槽内放置氟化铵腐蚀液，其中，氟化铵腐蚀液包括饱和氟化铵溶液和氢氟酸，饱和氟化铵溶液12l,氢氟酸1l,将装满gpp硅片的花篮放置到清洗槽中，用氟化铵腐蚀液浸泡硅片的时间为20s，用氟化铵腐蚀液浸泡硅片的反应温度为25℃；氟化铵腐蚀液浸泡后的硅片，采用机械手抓取花篮，放置到纯水清洗槽内，用纯水清洗不少于50s，去除硅片表面残留的氟化铵腐蚀液，避免将氟化铵腐蚀液带入到下一道工序；采用纯水清洗后的硅片，用机械手抓取花篮放置到超声清洗槽内，超声清洗的功率是1.8kw，频率为40khz，所有与液体接触硅片表面都被清洗干净，不会产生机械磨损或者化学腐蚀。
本实例去除硅片表面氧化层的方法整体工艺过程简洁，设计的工艺变量少，工艺窗口足够大，采用常温条件，便于控制均一性，方便扩大产能并且便于生产的稳定控制，在对本实例的硅片进行长达8小时的处理后，gpp硅片表面仍然完好无损，均一性大于99％，gpp硅片无机械应力，gpp硅片破片率为0.1％，清洁度大于99％。
本发明的有益效果是：
1.采用化学方法去除硅片表面氧化层，无机械应力，降低硅片破片率；
2.去除硅片表面氧化层的方法整体工艺过程简洁，设计的工艺变量少，工艺窗口足够大，方便扩大产能并且便于生产的稳定控制；
3.采用氟化铵腐蚀液浸泡硅片后先用纯水清洗，再用超声清洗，便于控制均一性。
以上对本发明的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。