技术特征：
技术总结
本申请实施例提供了一种3D NAND存储器阶梯结构关键尺寸的量测方法，该量测方法包括：在存储单元的非字线区设置关键尺寸量测区；在字线区形成多级阶梯结构，同时在所述量测区形成多个周期性排布的独立阶梯结构，其中，形成在所述量测区内的独立阶梯结构与形成在字线区内的阶梯结构具有相同的关键尺寸；采用光学关键尺寸测量方法对所述量测区内的周期性分布的阶梯结构进行关键尺寸测量，得到的测量结果用于表征字线区阶梯结构的关键尺寸。该测量方法能够实现对3D NAND存储器阶梯结构关键尺寸的快速无损量测。因而该方法可以用于3D NAND存储器的字线区阶梯形貌刻蚀工艺的在线监测。
技术研发人员：陈子琪
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2017.08.31
技术公布日：2018.01.12