检测方法、制造和形成半导体封装的方法与流程

本发明构思的示例实施方式涉及检测方法、检测系统和/或使用其制造扇出型封装(fan-outpackage)的方法。

背景技术：

由于半导体芯片已经被高度集成，半导体芯片的尺寸可以减小。然而，半导体芯片上的凸块之间的距离会由国际标准协会诸如联合电子设备工程委员会(jedec)的国际标准来设定。因此，会难以调整半导体芯片的凸块的数量。此外，由于半导体芯片的尺寸减小，半导体芯片的操纵和测试会是困难的。此外，其上安装半导体芯片的板(board)会基于半导体芯片的尺寸而多样化。为了解决这些，已经发展了扇出型封装。

扇出型封装工艺可以包括在其上安装半导体芯片的基板上形成绝缘层和互连线的封装。在形成绝缘层和互连线的工艺之后，可以进行检测过程以检查在绝缘层和互连线处是否发生缺陷。扇出型封装工艺的条件可以通过检测过程改善(或可选地，优化)，并且扇出型封装的缺陷是否发生可以在早期阶段通过检测过程检查。

技术实现要素：

本发明构思的示例实施方式可以提供能够检测缺陷的检测方法和/或检测系统。

本发明构思的示例实施方式还可以提供一种制造半导体封装的方法，其能够在早期阶段检测缺陷。

在一示例实施方式中，一种检测方法可以包括：生成第一布局数据，第一布局数据包括关于第一图案组的第一形状的信息；生成第二布局数据，第二布局数据包括关于第二图案组的第二形状的信息；获得目标图像，该目标图像包括第一图案组和第二图案组的图像；以及基于第一布局数据、第二布局数据和目标图像来检测缺陷图案，其中第一图案组、第二图案组和缺陷图案是在相对于基板的顶表面的不同高度处的图案。

在一示例实施方式中，一种检测系统可以包括：图像测量装置，配置为测量形成在基板上的图案的图像；存储装置，配置为存储初始布局数据，初始布局数据包括关于图案的形状的信息；以及数据处理器，配置为从图像测量装置获得图案的图像、基于图像和初始布局数据从所述图像检测缺陷图案并将关于缺陷图案的形状的信息添加到初始布局数据中以生成布局数据。

在一示例实施方式中，一种制造半导体封装的方法可以包括：在基板上形成第一图案组；测量第一图案组的第一图像；基于第一图像生成第一布局数据，该第一布局数据包括关于第一图案组的形状的信息；形成覆盖基板上的第一图案组的层间层；在层间层上形成第二图案组；测量第二图案组的第二图像；基于第二图像生成第二布局数据，该第二布局数据包括关于第二图案组的形状的信息；测量包括第一图像和第二图像的目标图像；以及基于第一布局数据、第二布局数据和目标图像从所述目标图像检测缺陷图案，该缺陷图案在自基板起的位于第一图案组与第二图案组之间的高度处。

一种形成半导体封装的方法包括：基于半导体封装中的第一半导体封装中的第一互连和与其相关的第一缺陷的测量来生成第一布局数据；基于半导体封装中的第一半导体封装中的第二互连和与其相关的第二缺陷的测量来生成第二布局数据，第二互连通过第二互连和第一互连之间的层间层中的通路连接到第一互连，使得第二布局数据不包括第一互连和与其相关的第一缺陷；以及基于第一布局数据和第二布局数据检测与通路相关的第三缺陷。

附图说明

鉴于附图和伴随的详细描述，本发明构思的示例实施方式将变得更加明显。

图1是示出根据本发明构思的一些示例实施方式的检测系统的示意图。

图2是示出图1的图像测量装置的一部分的透视图。

图3是示出根据本发明构思的一些示例实施方式的检测方法的流程图。

图4是详细地示出图3的操作s20的流程图。

图5是详细地示出图3的操作s40的流程图。

图6a是示出其上形成第一图案组的基板的俯视图。

图6b是沿图6a的线a-a'截取的剖视图。

图7a至图7d是示出图3的操作s20的俯视图。

图8a是示出其上形成第二图案组的基板的俯视图。

图8b是沿图8a的线a-a'截取的剖视图。

图9a至图9d是示出图3的操作s40的俯视图。

图10至图12是示出图3的操作s50和操作s60的俯视图。

图13是示出使用根据本发明构思的一些示例实施方式的检测方法制造半导体封装的方法的流程图。

图14a是示出根据本发明构思的一些示例实施方式的封装基板的俯视图。

图14b是沿图14a的线a-a'截取的剖视图。

图15是与图14a的线a-a'对应的剖视图，用于示出使用根据本发明构思的一些示例实施方式的检测方法制造的半导体封装。

具体实施方式

在下文，将参照附图详细描述本发明构思的一些示例实施方式。

图1是示出根据本发明构思的一些实施方式的检测系统的示意图，图2是示出图1的图像测量装置的一部分的透视图。

参照图1和图2，检测系统1000可以包括：平台400，基板100装载于平台400上；图像测量装置200，用于测量形成在基板100上的图案的图像；以及计算机300，存储和处理从图像测量装置200获得的图像数据。图像测量装置200可以是用于非破坏性测试的装置。

图像测量装置200可以包括：第一光源210和第二光源220，将光照射到基板100的顶表面上；反射部分230，控制光路；光接收部分240，接收从基板100的顶表面反射的光；以及图像传感器250，利用从基板100的顶表面反射的光产生图像。

光接收部分240可以包括至少一个透镜并可以设置在基板100的顶表面上方。第一光源210可以设置在基板100的顶表面之上并可以与光接收部分240横向地间隔开。在一些示例实施方式中，第一光源210可以具有围绕光接收部分240的侧壁的环形形状。从第一光源210发射的第一光l1可以被控制为在向基板100的顶表面倾斜的方向上入射在基板100的顶表面上。第一光l1可以从基板100的顶表面反射和/或散射，并且第一光l1的散射光l1'可以通过光接收部分240提供到图像传感器250。当反射部分230设置在散射光l1'的光路上时，散射光l1'可以穿过反射部分230从而被提供到图像传感器250。

反射部分230可以设置在基板100与图像传感器250之间。第二光源220可以与反射部分230横向地间隔开。从第二光源220发射的第二光l2可以由反射部分230控制从而在与基板100的顶表面垂直的方向上入射在基板100的顶表面上。换言之，反射部分230可以控制第二光l2的光路。当光接收部分240设置在从反射部分230反射的第二光l2的光路上时，第二光l2可以通过光接收部分240在垂直方向上入射在基板100的顶表面上。第二光l2可以从基板100的顶表面反射，并且第二光l2的反射光l2'可以穿过反射部分230从而被提供到图像传感器250。当光接收部分240设置在反射光l2'的光路上时，反射光l2'可以以列出的次序穿过光接收部分240和反射部分230，然后可以被提供到图像传感器250。图像传感器250可以通过使用第一光l1的散射光l1'和第二光l2的反射光l2'来生成形成在基板100上的图案的图像。

图像测量装置200可以是包括第一光学系统和第二光学系统的混合光学装置，第一光学系统通过使用第一光源210来测量形成在基板100上的图案的图像，第二光学系统通过使用第二光源220来测量形成在基板100上的图案的图像。

第一光源210可以是暗场照明，第二光源220可以是亮场照明。第二光学系统的焦深可以大于第一光学系统的焦深。

计算机300可以处理从图像传感器250获得的图像数据。计算机300可以包括处理各种数据的数据处理器310、存储各种数据的存储装置320、输入/输出(i/o)单元330和接口单元340。

存储装置320可以包括在其中存储库(library)的硬盘和/或非易失性半导体存储器件(例如闪存器件、相变存储器件和/或磁存储器件)。后面将描述数据处理器310和存储装置320的详细功能。

i/o单元330可以包括键盘、小键盘和显示装置中的至少一个。从图像传感器250获得的图像数据可以通过接口单元340传输到计算机300。此外，由计算机300处理的数据可以通过接口单元340传输到图像传感器250。接口单元340可以包括电缆元件、无线元件和通用串行总线(usb)中的至少一种。

数据处理器310、存储装置320、i/o单元330和接口单元340可以通过数据总线彼此连接。

在下文将描述使用检测系统1000的检测方法。

图3是示出根据本发明构思的一些示例实施方式的检测方法的流程图。图4是详细地示出图3的操作s20的流程图，图5是详细地示出图3的操作s40的流程图。图6a是示出其上形成第一图案组的基板的俯视图，图6b是沿图6a的线a-a'截取的剖视图。图7a至图7d是示出图3的操作s20的俯视图。图8a是示出其上形成第二图案组的基板的俯视图，图8b是沿图8a的线a-a'截取的剖视图。图9a至图9d是示出图3的操作s40的俯视图。图10至图12是示出图3的操作s50和操作s60的俯视图。

参照图3、图6a和图6b，在操作s10中，可以提供包括第一图案组130的基板100。基板100可以是半导体基板，或者可以是其中安装有半导体芯片的封装基板。第一图案组130可以包括形成在基板100上的第一图案110和第一缺陷图案120。第一缺陷图案120可以是在形成第一图案110的工艺期间可能发生的任何缺陷。

参照图3和图4，在操作s20中，计算机300可以生成第一布局数据。第一布局数据可以包括关于第一图案组130的形状的信息。在一些示例实施方式中，包括第一图案组130的基板100可以被提供到参照图1描述的检测系统1000的平台400上。图像测量装置200可以测量第一图案组130的图像，并且计算机300可以通过使用第一图案组130的图像来生成第一布局数据。

具体地，参照图4和图7a，在操作s22中，计算机300可以获得第一图案组130的第一图像img1。第一图像img1可以是使用图像测量装置200的第一光源210测量的图像。换言之，第一图像img1可以是由使用暗场照明的第一光学系统测量的暗场图像。计算机300的数据处理器310可以从图像测量装置200获得第一图像img1。

参照图4和图7b，在操作s24中，计算机300可以获得第一初始布局数据p_layout1。第一初始布局数据p_layout1可以包括关于第一图案110的形状的信息。第一初始布局数据p_layout1可以是包括关于第一图案110的平面形状的信息的设计布局。第一初始布局数据p_layout1可以包括适当格式(例如gdsii)的数据，其用于限定形成在基板100上的第一图案110。计算机300的存储装置320可以存储第一初始布局数据p_layout1并且计算机300的数据处理器310可以从存储装置320获得第一初始布局数据p_layout1。在一些示例实施方式中，第一初始布局数据p_layout1可以在进行测量之前被提供到存储装置320。

参照图4和图7c，在操作s26中，计算机300可以通过将第一初始布局数据p_layout1与第一图像img1比较而从第一图像img1检测第一缺陷图案120。检测第一缺陷图案120可以包括选择第一图像img1的与第一初始布局数据p_layout1中的关于形状的信息不一致的部分作为第一缺陷图案120的图像。数据处理器310可以比较分别从图像测量装置200和存储装置320获得的第一图像img1和第一初始布局数据p_layout1。此外，数据处理器310可以选择第一图像img1的与第一初始布局数据p_layout1中的关于形状的信息不一致的部分作为第一缺陷图案120的图像。数据处理器310可以从第一缺陷图案120的图像获得关于第一缺陷图案120的形状的信息。在一些示例实施方式中，第一缺陷图案120的形状可以由第一缺陷图案120的图像来限定。

参照图4和图7d，在操作s28中，计算机300可以通过将关于第一缺陷图案120的形状的信息添加到第一初始布局数据p_layout1中来生成第一布局数据layout1。第一布局数据layout1可以是包括关于第一图案110的平面形状的信息和关于第一缺陷图案120的平面形状的信息的设计布局。第一布局数据layout1可以包括与第一初始布局数据p_layout1相同的格式(例如gdsii)的数据。第一布局数据layout1可以存储在存储装置320中。

参照图3、图8a和图8b，在操作s30中，可以提供包括堆叠在第一图案组130上的第二图案组170的基板100。基板100可以包括提供在基板100的顶表面上以覆盖第一图案组130的层间层180以及形成在层间层180上的第二图案组170。第二图案组170可以包括形成在层间层180上的第二图案150和第二缺陷图案160。第二缺陷图案160可以是在形成第二图案150的工艺期间可能发生的任何缺陷。

基板100还可以包括穿过层间层180以将第一图案110连接到第二图案150的通路图案132以及在层间层180中产生的缺陷图案140。层间层180可以是透明层或半透明层。在一些示例实施方式中，第一图案110和第二图案150可以是导电图案，并且层间层180可以是透明绝缘层或半透明绝缘层。通路图案132可以是用于将第一图案110电连接到第二图案150的导电图案，并且缺陷图案140可以是形成在层间层180中的空隙(void)。

参照图3和图5，在操作s40中，计算机300可以生成第二布局数据。第二布局数据可以包括关于第二图案组170的形状的信息。在一些示例实施方式中，包括第一图案组130和第二图案组170的基板100可以被提供到参照图1描述的检测系统1000的平台400上。图像测量装置200可以测量第二图案组170的图像，并且计算机300可以通过使用第二图案组170的图像来生成第二布局数据。

具体地，参照图5和图9a，在操作s42中，计算机300可以获得第二图案组170的第二图像img2。第二图像img2可以是使用图像测量装置200的第一光源210测量的图像。换言之，第二图像img2可以是由使用暗场照明的第一光学系统测量的暗场图像。在这种情况下，即使层间层180是透明层或半透明层，第一图案组130的形状也可以不投影到第二图像img2。换言之，第二图像img2可以不包括第一图案组130的图像。计算机300的数据处理器310可以从图像测量装置200获得第二图像img2。

参照图5和图9b，在操作s44中，计算机300可以获得第二初始布局数据p_layout2。第二初始布局数据p_layout2可以包括关于第二图案150的形状的信息。第二初始布局数据p_layout2可以是包括关于第二图案150的平面形状的信息的设计布局。第二初始布局数据p_layout2可以包括适当格式(例如gdsii)的数据，用于限定形成在基板100上的第二图案150。计算机300的存储装置320可以存储第二初始布局数据p_layout2，并且计算机300的数据处理器310可以从存储装置320获得第二初始布局数据p_layout2。在一些示例实施方式中，存储装置320可以在测量操作之前存储第二初始布局数据p_layout2。

参照图5和图9c，在操作s46中，计算机300可以通过将第二初始布局数据p_layout2与第二图像img2比较而从第二图像img2检测第二缺陷图案160。检测第二缺陷图案160可以包括选择第二图像img2的与第二初始布局数据p_layout2中的关于形状的信息不一致的部分作为第二缺陷图案160的图像。数据处理器310可以比较分别从图像测量装置200和存储装置320获得的第二图像img2和第二初始布局数据p_layout2。此外，数据处理器310可以选择第二图像img2的与第二初始布局数据p_layout2中的关于形状的信息不一致的部分作为第二缺陷图案160的图像。数据处理器310可以从第二缺陷图案160的图像获得关于第二缺陷图案160的形状的信息。

参照图5和图9d，在操作s48中，计算机300可以通过将关于第二缺陷图案160的形状的信息添加到第二初始布局数据p_layout2中来生成第二布局数据layout2。第二布局数据layout2可以是包括关于第二图案150的平面形状的信息和关于第二缺陷图案160的平面形状的信息的设计布局。第二布局数据layout2可以包括与第二初始布局数据p_layout2相同的格式(例如gdsii)的数据。第二布局数据layout2可以存储在存储装置320中。

参照图3和图10，在操作s50中，计算机300可以获得包括第一图案组130和第二图案组170的图像的目标图像img_t。在一些示例实施方式中，包括第一图案组130和第二图案组170的基板100可以被提供到参照图1描述的检测系统1000的平台400上。图像测量装置200可以在参照图5和图9a描述的测量第二图案组170的第二图像img2之前或之后测量包括第一图案组130和第二图案组170的图像的目标图像img_t。

目标图像img_t可以是使用图像测量装置200的第二光源220测量的图像。换言之，目标图像img_t可以是由使用亮场照明的第二光学系统测量的亮场图像。在这种情况下，当层间层180是透明层或半透明层时，提供在第二图案组170下面的图案(即第一图案组130和缺陷图案140)可以被反射或投影到目标图像img_t，并可以显示在目标图像img_t中。换言之，目标图像img_t可以包括第二图案组170的图像、以及设置在第二图案组170下面的第一图案组130和缺陷图案140的图像。计算机300的数据处理器310可以从图像测量装置200获得目标图像img_t。

参照图3和图12，在操作s60中，计算机300可以通过将目标图像img_t与图7d和图9d的第一布局数据layout1和第二布局数据layout2比较而从目标图像img_t检测缺陷图案140。检测缺陷图案140可以包括选择目标图像img_t的与第一布局数据layout1和第二布局数据layout2中的关于形状的信息不一致的部分作为缺陷图案140的图像。数据处理器310可以从存储装置320获得第一布局数据layout1和第二布局数据layout2。数据处理器310可以将目标图像img_t与第一布局数据layout1和第二布局数据layout2的每个比较。如图12所示，数据处理器310可以选择目标图像img_t的与第一布局数据layout1和第二布局数据layout2中的关于形状的信息不一致的部分作为缺陷图案140的图像。

参照图3、图11和图12，根据一些示例实施方式，数据处理器310可以将第一布局数据layout1与第二布局数据layout2合并以生成图11所示的第三布局数据layout3。第三布局数据layout3可以是通过将第一图案组130和第二图案组170的平面形状彼此合并而实现的复合设计布局。第三布局数据layout3可以包括与第一布局数据layout1和第二布局数据layout2相同的格式(例如gdsii)的数据。第三布局数据layout3可以存储在存储装置320中。数据处理器310可以将第三布局数据layout3与目标图像img_t比较。此外，如图12所示，数据处理器310可以选择目标图像img_t的与第三布局数据layout3中的关于形状的信息不一致的部分作为缺陷图案140的图像。因此，缺陷图案140可以从目标图像img_t检测。

通常，当层间层180具有透明或半透明性质时，会难以通过光学装置检测层间层180中产生的缺陷(例如空隙)。例如，如果使用暗场照明系统测量层间层180的暗场图像，则暗场图像会具有仅设置在层间层180的表面上的图案(例如第二图案组170)的形状。换言之，缺陷的形状不能显示在暗场图像上。或者，如果使用亮场照明系统测量层间层180的亮场图像，则亮场图像会包括缺陷的形状，并且还会包括设置在层间层180下面的图案(例如第一图案组130)的形状。换言之，会难以从亮场图像中选择缺陷。

根据本发明构思的一些示例实施方式，可以使用包括第一图案110和第一缺陷图案120的第一图案组130的暗场图像(即第一图像img1)生成包括关于第一图案组130的形状的信息的第一布局数据layout1。类似地，可以使用包括第二图案150和第二缺陷图案160的第二图案组170的暗场图像(即第二图像img2)生成包括关于第二图案组170的形状的信息的第二布局数据layout2。

当层间层180具有透明或半透明性质时，目标图像img_t可以是包括第一图案组130的形状、第二图案组170的形状以及层间层180中产生的缺陷图案140的形状的亮场图像。在这种情况下，目标图像img_t可以与第一布局数据layout1和第二布局数据layout2比较，并且目标图像img_t的与第一布局数据layout1和第二布局数据layout2中的关于形状的信息不一致的部分可以被选择作为缺陷图案140的图像。因此，可以容易地检测缺陷图案140。

换言之，本发明构思的示例实施方式可以提供能够通过使用光学装置而容易地检测透明或半透明的层间层中产生的缺陷的检测方法和检测系统。

图13是示出使用根据本发明构思的一些示例实施方式的检测方法制造半导体封装的方法的流程图。图14a是示出根据本发明构思的一些示例实施方式的封装基板的俯视图，图14b是沿图14a的线a-a'截取的剖视图。图15是与图14a的线a-a'对应的剖视图，用于示出使用根据本发明构思的一些示例实施方式的检测方法制造的半导体封装。

参照图14a和图14b，可以提供基板100。基板100可以是其中安装有半导体芯片的封装基板。基板100可以包括：支撑基板10，包括穿透支撑基板10的多个腔12；半导体芯片14，分别提供在腔12中；以及模制层20，提供在支撑基板10的一个表面上以覆盖半导体芯片14。模制层20可以延伸到腔12中从而设置在支撑基板10与半导体芯片14之间。基板100可以包括基板焊盘18和器件焊盘16，基板焊盘18用于将支撑基板10电连接到与其对应的互连线，器件焊盘16用于将半导体芯片14的每个电连接到与其对应的互连线。互连线将在后面描述。基板100还可以包括设置在支撑基板10与模制层20之间的附加基板焊盘18。

参照图13和图15，第一绝缘层22可以形成在基板100上。第一绝缘层22可以形成在支撑基板10的与模制层20相反的表面上，并可以覆盖基板焊盘18和器件焊盘16。第一绝缘层22可以与模制层20的延伸到腔12中的部分接触。第一绝缘层22可以是透明或半透明的层并可以包括例如光敏材料。通路24可以形成在第一绝缘层22中。通路24可以穿过第一绝缘层22从而连接到基板焊盘18和器件焊盘16。

在操作s100中，第一图案组130可以形成在包括第一绝缘层22的基板100上。第一图案组130可以包括第一图案110和第一缺陷图案120，如参照图6a和图6b所述。第一图案110可以是电连接到通路24中的对应的一个或多个通路的互连线图案，并且第一缺陷图案120可以是在形成第一图案110的工艺期间可能发生的任何缺陷。

在操作s110中，在形成第一图案组130之后，计算机300可以测量第一图案组130的第一图像img1。首先，包括第一图案组130的基板100可以提供到参照图1描述的检测系统1000的平台400上。在这种情况下，基板100可以以基板100的其上形成有第一图案组130的表面面向图像测量装置200的这样的方式提供在平台400上。如参照图7a所述，第一图像img1可以是使用图像测量装置200的第一光源210测量的图像。换言之，第一图像img1可以是由使用暗场照明的第一光学系统测量的暗场图像。因此，形成在第一图案组130下面的图案的形状可以不被投影或反射到第一图像img1。

在操作s120中，参照图1描述的计算机300的数据处理器310可以被驱动以产生包括关于第一图案组130的形状的信息的第一布局数据。具体地，再次参照图4和图7a，在操作s22中，数据处理器310可以从图像测量装置200获得第一图像img1。再次参照图4和图7b，在操作s24中，数据处理器310可以获得包括关于第一图案110的形状的信息的第一初始布局数据p_layout1。例如，计算机300的存储装置320可以存储第一初始布局数据p_layout1，并且计算机300的数据处理器310可以从存储装置320获得第一初始布局数据p_layout1。再次参照图4和图7c，在操作s26中，数据处理器310可以将第一初始布局数据p_layout1与第一图像img1比较以从第一图像img1检测第一缺陷图案120。数据处理器310可以选择第一图像img1的与第一初始布局数据p_layout1中的关于形状的信息不一致的部分作为第一缺陷图案120的图像，因此第一缺陷图案120可以从第一图像img1检测出。数据处理器310可以从第一缺陷图案120的图像获得关于第一缺陷图案120的形状的信息。再次参照图4和图7d，在操作s28中，数据处理器310可以将关于第一缺陷图案120的形状的信息添加到第一初始布局数据p_layout1中以生成第一布局数据layout1。第一布局数据layout1可以存储在存储装置320中。

再次参照图13和图15，在测量第一图案组130的第一图像img1之后，在操作s130中，覆盖第一图案组130的层间层180可以形成在基板100上。如参照图8a和图8b所述，层间层180可以是具有透明或半透明的性质的绝缘层。层间层180可以包括光敏材料。层间层180可以包括与第一绝缘层22基本上相同的材料。通路图案132可以形成在层间层180中。通路图案132可以穿过层间层180从而电连接到第一图案组130(例如第一图案110)。缺陷图案140可能在形成层间层180的工艺期间形成在层间层180中。缺陷图案140可以是例如空隙。

在操作s140中，第二图案组170可以形成在层间层180上。第二图案组170可以包括第二图案150和第二缺陷图案160，如参照图8a和图8b所述。第二图案150可以是电连接到通路图案132的互连线图案，并且第二缺陷图案160可以是在形成第二图案150的工艺期间可能发生的任何缺陷。

在操作s150中，在形成第二图案组170之后，计算机300可以测量第二图案组170的第二图像img2。在一些示例实施方式中，包括第二图案组170的基板100可以被提供到参照图1描述的检测系统1000的平台400上。在这种情况下，基板100可以以基板100的其上形成有第二图案组170的表面面向图像测量装置200的这样的方式提供在平台400上。如参照图9a所述，第二图像img2可以是使用图像测量装置200的第一光源210测量的图像。换言之，第二图像img2可以是由使用暗场照明的第一光学系统测量的暗场图像。因此，形成在第二图案组170下面的图案(例如第一图案组130和缺陷图案140)的形状不会投影到第二图像img2或被包括在第二图像img2中。

在操作s160中，参照图1描述的计算机300的数据处理器310可以被驱动以产生包括关于第二图案组170的形状的信息的第二布局数据。具体地，再次参照图5和图9a，在操作s42中，数据处理器310可以从图像测量装置200获得第二图像img2。再次参照图5和图9b，在操作s44中，数据处理器310可以获得包括关于第二图案150的形状的信息的第二初始布局数据p_layout2。计算机300的存储装置320可以存储第二初始布局数据p_layout2，并且计算机300的数据处理器310可以从存储装置320获得第二初始布局数据p_layout2。再次参照图5和图9c，在操作s46中，数据处理器310可以将第二初始布局数据p_layout2与第二图像img2比较以从第二图像img2检测第二缺陷图案160。数据处理器310可以选择第二图像img2的与第二初始布局数据p_layout2中的关于形状的信息不一致的部分作为第二缺陷图案160的图像，因此第二缺陷图案160可以从第二图像img2检测出。数据处理器310可以从第二缺陷图案160的图像获得关于第二缺陷图案160的形状的信息。再次参照图5和图9d，在操作s48中，数据处理器310可以将关于第二缺陷图案160的形状的信息添加到第二初始布局数据p_layout2中以生成第二布局数据layout2。第二布局数据layout2可以存储在存储装置320中。

在操作s170中，在形成第二图案组170之后，计算机300可以测量包括第一图案组130和第二图案组170的图像的目标图像img_t。目标图像img_t可以在测量第二图案组170的第二图像img2之前或之后被测量。如参照图10所述，目标图像img_t可以是使用图像测量装置200的第二光源220测量的图像。换言之，目标图像img_t可以是由使用亮场照明的第二光学系统测量的亮场图像。因此，提供在第二图案组170下面的图案(例如第一图案组130和缺陷图案140)的形状可以被投影或反射到目标图像img_t。换言之，目标图像img_t可以包括第二图案组170的图像以及设置在第二图案组170下面的第一图案组130和缺陷图案140的图像。

在操作s180中，参照图1描述的计算机300的数据处理器310可以将目标图像img_t与第一布局数据layout1和第二布局数据layout2比较以从目标图像img_t检测缺陷图案140。数据处理器310可以从图像测量装置200获得目标图像img_t，并可以从存储装置320获得第一布局数据layout1和第二布局数据layout2。数据处理器310可以选择目标图像img_t的与第一布局数据layout1和第二布局数据layout2中的关于形状的信息不一致的部分作为缺陷图案140的图像，因此缺陷图案140可以从目标图像img_t检测出。

在操作s190中，数据处理器310可以被驱动以检查缺陷图案140的尺寸(例如位置或尺寸)是否在允许的范围内。

在操作s200中，如果缺陷图案140的尺寸超过允许的范围，则计算机300可以产生警报。

否则，在操作s210中，如果缺陷图案140的尺寸在允许的范围内，则计算机200可以进行随后的一个或更多个后续工艺以建立封装。

例如，第二绝缘层26可以形成在具有第二图案组170的基板100上。第二绝缘层26可以是透明或半透明的层并可以包括例如光敏材料。第二绝缘层26可以包括与层间层180基本上相同的材料。第二绝缘层26可以具有暴露第二图案组170的至少一部分(即第二图案150的至少一部分)的开口。凸块28可以提供在开口中。凸块28可以被提供以将第二图案组170(即第二图案150)电连接到外部端子或外部系统。因此，可以制造其中安装有半导体芯片14的扇出型封装。

本发明构思的示例实施方式可以提供能够通过使用光学装置而容易地检测透明或半透明的层间层中产生的缺陷的检测方法和/或检测系统。此外，本发明构思的示例实施方式还可以提供制造半导体封装的方法，其能够在早期阶段检测可能在制造半导体封装的工艺中发生的缺陷。

尽管已经参照一些示例实施方式描述了本发明构思的示例实施方式，但是对于本领域技术人员来说将是明显的，可以进行各种改变和修改而没有脱离本发明构思的示例实施方式的精神和范围。因此，应当理解，以上示例实施方式不是限制性的，而是说明性的。因此，本发明构思的示例实施方式的范围将要由权利要求书及其等同物的最宽可允许解释来确定，而不应被之前的描述约束或限制。

本专利申请要求于2016年7月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0084327号的优先权，其公开内容通过引用整体地结合于此。