半导体封装结构的制作方法

本发明涉及封装技术领域，尤其涉及一种半导体封装结构，例如一种具有高可靠性的堆叠的扇出封装结构。

背景技术：

近年来，由于电子产品已变得越来越多功能并且尺寸已按比例缩小，因此希望半导体设备的制造商将更多的元件形成于单块半导体晶圆上，从而可以使得含有这些元件的电子产品更加紧凑。作为对此种希望的响应，已经发展了PoP(Package-on-Package，封装上封装或称堆叠封装)技术和WLP(Wafer Level Package，晶圆级封装)技术。PoP技术使得两个或者更多的封装能够使用标准界面来安装(即堆叠)在彼此的顶上，从而能够在他们之间路由信号。此种方式允许电子产品具有更高的元件密度，电子产品诸如为移动电话、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)及数码相机。另外，在WLP中，晶粒可以与封装具有相同的尺寸。

但是，在利用PoP及/或WLP技术来制造半导体封装时，可能出现一些问题。例如，在此类半导体封装中，位于相邻的堆叠的封装之间的重分布层结构(有时也称为互连层结构)的侧壁/边缘暴露于外部环境中。如此，重分布层结构(Redistribution layer，RDL)会因为防潮性差而容易被损伤。另外，在执行切割工艺以产生单个的封装结构之后，在半导体晶粒与RDL之间或者在模塑料与RDL结构之间可能出现脱层，从而降低半导体封装结构的可靠性、良品率及生产量。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明实施例提供了一种半导体封装结构，可以提高可靠性。

本发明实施例提供了一种半导体封装结构，包括：第一半导体晶粒，具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面；第一模塑料，围绕该第一半导体晶粒；第一重分布层结构，设置在该第一半导体晶粒的该第二表面上并且在该第一模塑料上横向延伸；以及第一保护层，覆盖该第一重分布层结构的侧壁。

其中，该第一保护层为模塑料。

其中，进一步包括：第二半导体晶粒，设置在该第一重分布层结构上并且具有第三表面与相对于该第三表面的第四表面，其中该第一重分布层结构位于该第一半导体晶粒与该第二半导体晶粒之间；以及第二模塑料，围绕该第二半导体晶粒。

其中，该第一保护层为该第二模塑料的延伸部，并且该第一保护层还覆盖该第一模塑料的侧壁。

其中，进一步包括：第二重分布层结构，设置在该第二半导体晶粒的该第四表面上并且在该第二模塑料上横向延伸。

其中，该第二重分布层的侧壁与该第一重分布层的侧壁未垂直对齐。

其中，进一步包括：多个导电结构，设置在该第二重分布层结构上并且电性耦接至该第二重分布层结构；以及多个通孔，穿过该第二模塑料并且电性耦接在该第一重分布层结构与该第二重分布层结构之间。

其中，进一步包括：第三半导体晶粒，设置在该第二重分布层结构上并且具有第五表面与相对于该第五表面的第六表面；以及第三模塑料，围绕该第三半导体晶粒。

其中，该第一保护层还覆盖该第二重分布层结构的侧壁。

其中，该第一保护层为该第三模塑料的延伸部，并且该第一保护层还覆盖该第二模塑料的侧壁。

其中，进一步包括：第二保护层，覆盖该第二重分布层结构的侧壁、该第二模塑料的侧壁以及该第一保护层的侧壁。

其中，进一步包括：第三重分布层结构，设置在该第三半导体晶粒的该第六表面上并且在该第三模塑料上横向延伸。

其中，该第三重分布层的侧壁与该第一重分布层的侧壁及该第二重分布层结构的侧壁未垂直对齐。

其中，进一步包括：多个导电结构，设置在该第三重分布层结构上并且电性耦接至该第三重分布层结构；以及多个通孔，穿过该第三模塑料并且电性耦接在该第二重分布层结构与该第三重分布层结构之间。

其中，进一步包括：第二保护层，覆盖该第二重分布层结构的侧壁并且设置在该第二模塑料上。

其中，该第一保护层为该第二模塑料的延伸部，且该第二保护层为该第三模塑料的延伸部。

其中，进一步包括：背面膜，设置在该第一半导体晶粒的该第一表面上。

本发明实施例提供了一种半导体封装结构，包括：第一半导体晶粒，具有第一表面与相对于该第一表面的第二表面；第一重分布层结构，设置在该第一半导体晶粒的该第二表面上；第二半导体晶粒，设置在该第一重分布结构上并且具有第三表面与相对于该第三表面的第四表面，其中该第二半导体晶粒的尺寸小于该第一半导体晶粒的尺寸，该第一重分布层结构的部分自该第二半导体晶粒露出；以及模塑料，设置在该第一重分布层结构的露出的部分上，并且围绕该第二半导体晶粒，其中该模塑料具有覆盖第一重分布层结构的侧壁的延伸部。

其中，该模塑料的该延伸部覆盖该第一半导体晶粒的侧壁的部分或者全部。

其中，进一步包括：第二重分布层结构，设置在该第二半导体晶粒的该第二表面上并且在该模塑料上横向延伸。

其中，该第二重分布层结构的侧壁与该第一重分布层结构的侧壁不垂直对齐。

其中，进一步包括：多个导电结构，设置在该第二重分布层结构上并且电性耦接至该第二重分布层结构；以及多个通孔，穿过该第二模塑料并且电性耦接在该第一重分布层结构与该第二重分布层结构之间。

其中，进一步包括：背面膜，设置在该第一半导体晶粒的该第一表面上。

本发明实施例的有益效果是：

以上的半导体封装结构，由保护层来保护位于半导体晶粒上的重分布层结构的侧壁，从而提高该重分布层的侧壁的防潮能力，避免外部环境对该重分布层的损伤，进而提高了该半导体封装结构的可靠性。

附图说明

通过阅读接下来的详细描述以及参考附图的示例可以更加完整地理解本发明，其中：

图1至图6分别为根据本发明不同实施例的半导体封装结构的横截面示意图。

具体实施方式

以下描述为实现本发明的较佳预期模式。该描述仅出于说明本发明一般原理的目的，而不应视为限制。本发明的范围可参考权利要求书来确定。

参考特定实施例与参考确定的附图来描述本发明，但是本发明不限制于此，并且本发明仅由权利要求来限定。描述的附图仅是示意图而非限制。在附图中，出于说明目的而夸大了某些元件的尺寸，并且某些元件的尺寸并非按比例绘制。图中的尺寸及相对尺寸不对应本发明实践中的真实尺寸。

本发明实施例提供了一种半导体封装结构，包括：第一半导体晶粒，具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面；第一模塑料，围绕该第一半导体晶粒；第一重分布层结构，设置在该第一半导体晶粒的该第二表面上并且在该第一模塑料上横向延伸；第一保护层，覆盖该第一重分布层结构的侧壁。本发明实施例利用第一保护层对第一重分布层结构的侧壁进行保护，以防止外部环境对第一重分布层结构的损伤。其中，该第一保护层可以为模塑料，例如由第一重分布层结构上的第二模塑料向下延伸以覆盖第一重分布层结构的侧壁，或者可以采用涂覆等工艺单独在第一重分布层结构的侧壁上形成保护层。

图1为根据本发明一些实施例的半导体封装结构10的横截面示意图。在一些实施例中，该半导体封装结构10为晶圆级半导体封装结构，例如堆叠的扇出晶圆级半导体封装结构。在实施例中，该堆叠的扇出晶圆级半导体封装结构可以包括：片上系统(System On Chip，SOC)封装结构以及垂直地堆叠于其上的动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)封装结构。

参考图1，该半导体封装结构10安装于基底(未示出)上，诸如印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)，该基底可以由聚丙烯(polypropylene，PP)形成。在一些实施例中，该基底充当封装基底并且可以为单层或者多层结构。导电垫及电性耦接至导电垫的导电线路(trace)一般设置在基底的顶面上或者基底中。在此情形中，导电线路可以用于半导体封装结构10的输入/输出(Input/output，I/O)连接。在一个实施例中，该半导体封装结构10直接安装于导电线路上。

在本实施例中，该半导体封装结构10包括：第一半导体晶粒100。该第一半导体晶粒100具有第一表面100a与相对于该第一表面100a的第二表面100b。另外，该第一半导体晶粒100可以包括：导电垫111，电性连接至该第一半导体晶粒100的电路(未示出)。在一些实施例中，该第一半导体晶粒100(诸如SOC晶粒)可以包括：逻辑晶粒，该逻辑晶粒包括：中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)、图形处理单元(Graphics Processing Unit，GPU)、DRAM控制器或者他们的任意组合。可选地，该第一半导体晶粒100可以包括：调制解调器晶粒。

在本实施例中，该半导体封装结构10进一步包括：第一模塑料102，围绕该第一半导体晶粒100。该第一半导体晶粒100的该第一与第二表面100a、100b可以从该第一模塑料102露出。在一些实施例中，该第一模塑料102可以由环氧树脂、树脂、可塑聚合物或者类似物形成。该第一模塑料102可以在大致为液体时使用，然后通过化学反应固化，诸如在环氧树脂或者树脂中。在一些其他实施例中，第一模塑料102可以为紫外(ultraviolet，UV)或者热固化的聚合物，作为能够设置在第一半导体晶粒100周围的凝胶或者可塑固体来应用该聚合物，接着通过UV或者热固化工艺固化该聚合物。第一模塑料102可以按照模型(未示出)来固化。

在本实施例中，该半导体封装结构10进一步包括：第一RDL结构104，设置在该第一半导体晶粒100的第二表面100b上，并且在该第一模塑料102上横向延伸。在一些实施例中，第一RDL结构104，也称为扇出结构，具有与第一模塑料102的侧壁102a大致垂直对齐的侧壁104a。第一RDL结构104通过导电垫111连接至第一半导体晶粒100。

在本实施例中，第一RDL结构104包括：一条或者多条设置在金属间介电(Inter-Metal Dielectric，IMD)层中的导电线路。导电线路电性耦接至该第一半导体晶粒100的导电垫111。在一些实施例中，IMD层由有机材料形成，其中该有机材料包括：聚合物基材料或者类似物，诸如聚苯并恶唑(polybenzoxazole，PBO)或者聚酰亚胺(polyimide)。例如，IMD层可以由光敏材料制成，其中该光敏材料包括：干膜光阻(dry film photoresist)或者贴膜(taping film)。

在本实施例中，半导体封装结构10进一步包括：底部保护层500(有时称为背面膜(backside film，BSF))，经由黏合层(adhesion layer)103而设置在第一半导体晶粒100的第一表面100a上，该黏合层103有时称为晶粒粘结膜(die-attach film,DAF)并且用于在半导体封装结构10的制造期间将第一半导体晶粒100附着至载体(未示出)上。也就是说，黏合层103设置在底部保护层500与第一半导体晶粒100之间。在一些实施例中，黏合层103的侧壁与第一半导体晶粒100的侧壁大致对齐，使得黏合层103与第一半导体晶粒100具有大致相同的宽度，如图1所示。可选地，黏合层103可以具有与底部保护层500的侧壁大致对齐的侧壁，使得黏合层103与底部保护层500具有大致相同的宽度。

另外，底部保护层500也设置在第一模塑料102上。该底部保护层500保护第一半导体晶粒100与第一模塑料102免受损伤。

在本实施例中，半导体封装结构10进一步包括：设置在第一RDL结构104上的第二半导体晶粒200。在本实施例中，第二半导体晶粒200具有第一表面200a与相对于该第一表面200a的第二表面200b。另外，该第二半导体晶粒200可以包括：导电垫211，电性连接至该第二半导体晶粒200的电路(未示出)。在一些实施例中，第二半导体晶粒200可以包括：DRAM晶粒。可选地，第二半导体晶粒200可以包括：集成被动元件(Integrated Passive Device，IPD)晶粒。在本实施例中，第二半导体晶粒200的第一表面200a经由黏合层203附着至第一RDL结构104上，该黏合层203诸如为DAF。该黏合层203可以包括相同或者类似于黏合层103的材料。类似地，黏合层203的侧壁与第二半导体晶粒200的侧壁大致对齐，使得黏合层203与第二半导体晶粒200大致具有相同的宽度，如图1所示。

在本实施例中，半导体封装结构10进一步包括：第二模塑料202，围绕该第二半导体晶粒200。该第二半导体晶粒200的第一与第二表面200a、200b可以从该第二模塑料202中露出。在一些实施例中，第二模塑料202可以由相同或者类似于第一模塑料102的材料形成。在一些实施例中，第二模塑料202包括：一个或多个通孔206(有时称为“穿过封装的通孔(through package via，TPV)”或者“穿过插入层的通孔(through interposer via，TIV)”)，穿过第二模塑料202并通过第一RDL结构104中的导电线路电性耦接至第一RDL结构104。在一些实施例中，通孔206可以围绕第二半导体晶粒200。另外，通孔206可以由铜形成。

在本实施例中，半导体封装结构10进一步包括：第一保护层，充当侧壁保护，并且覆盖第一RDL结构104的侧壁104a及第一模塑料102的侧壁102a。例如，第一保护层为第二模塑料202的延伸部202a，但不限于此。在此情形中，延伸部202a沿侧壁104a和102a共平面地(conformally)延伸至底部保护层500，从而完全地覆盖侧壁104a及102a。另外，延伸部202a的宽度A大约介于0.1mm(毫米)～10mm之间。

在本实施例中，半导体封装结构10进一步包括：第二RDL结构204，设置在第二半导体晶粒200的第二表面200b上并且在第二模塑料202上横向延伸。在一些实施例中，第二RDL结构204，也称为扇出结构，具有与该第二模塑料202的对应的侧壁202b大致垂直对齐的侧壁204a，但是该侧壁204a不垂直对齐第一RDL结构104的侧壁104a。例如，第二RDL结构204横向延伸至第一RDL结构104之外。在本实施例中，第二RDL结构204通过导电垫211连接至第二半导体晶粒200。在本实施例中，第二RDL结构204类似于第一RDL结构104并且包括：一条或多条设置在IMD层中的导电线路。导电线路电性耦接至第二半导体晶粒200的导电垫211。另外，导电线路电性耦接至第二模塑料202中的通孔206，使得通孔206电性耦接在第一RDL结构104与第二RDL结构204之间。

在本实施例中，半导体封装结构10进一步包括：导电结构400，设置在第二RDL结构204上并且电性耦接至第二RDL结构204。在一些实施例中，该导电结构400可以包括：铜或者焊料凸块。可选地，该导电结构400包括：导电球、导电柱或者导电膏结构。

根据前述实施例，由于充当侧壁保护的保护层覆盖相邻的堆叠的半导体晶粒之间的RDL结构的侧壁，因此可以防止由于防潮性差导致的对该RDL结构的损伤。另外，由于用于侧壁保护的保护层为设置在被保护的RDL结构上的模塑料的延伸部，因此没有必要执行额外的用于形成保护层的工艺，并且可以防止半导体晶粒与RDL结构之间或者模塑料与RDL结构之间的脱层。如此，可以增加半导体封装结构的可靠性、良品率及生产量。

图2为根据本发明一些实施例的半导体封装结构20的横截面示意图。以下描述的该实施例的元件，有相同或者类似于参考图1已描述了的元件的，出于简洁而省略。在本实施例中，半导体封装结构20类似于图1所示的半导体封装结构10。相比于半导体封装结构10，半导体封装结构20进一步包括：设置在第二RDL结构204上的第三半导体晶粒300。在本实施例中，第三半导体晶粒300具有第一表面300a与相对于该第一表面300a的第二表面300b。另外，第三半导体晶粒300可以包括：导电垫311，电性连接至第三半导体晶粒300的电路(未示出)。在一些实施例中，第三半导体晶粒300可以包括：逻辑晶粒(包括：CPU、GPU、或者存储控制器)、调制解调器芯片、或者被动元件。在本实施例中，第三半导体晶粒300的第一表面300a经由黏合层303(诸如DAF)附着至第二RDL结构204上。黏合层303包括相同或者类似黏合层103的材料。类似地，黏合层303具有与第三半导体晶粒300的侧壁大致对齐的侧壁，使得黏合层303与第三半导体晶粒300具有大致相同的宽度，如图2所示。

相比于半导体封装结构10，在本实施例中，该半导体封装结构20进一步包括：第三模塑料302，围绕该第三半导体晶粒300。第三半导体晶粒300的第一和第二表面300a、300b自该第三模塑料302露出。在一些实施例中，第三模塑料302由相同或者类似于第一模塑料102或第二模塑料202的材料形成。在一些实施例中，第三模塑料302包括：一个或多个通孔306(有时称为TPV或TIV)，穿过该第三模塑料302并且通过第二RDL结构204中的导电线路电性耦接至第二RDL结构204。在一些实施例中，通孔306可以围绕第三半导体晶粒300。另外，通孔306可以由铜形成。

相比于半导体封装结构10，在本实施例中，半导体封装结构20进一步包括：第二保护层，覆盖第二RDL结构204的侧壁204a、第二模塑料202的侧壁202b及充当另一侧壁保护的第一保护层(即第二模塑料202的延伸部202a)的侧壁202c。例如，第二保护层可以为第三模塑料302的延伸部302a。在此情形中，延伸部302a沿侧壁204a、202b及202c共平面地延伸至底部保护层500，从而完全地覆盖侧壁204a、202b及202c。另外，延伸部302a的宽度B大约介于0.1mm～10mm之间。

相比于半导体封装结构10，在本实施例中，半导体封装结构20进一步包括：第三RDL结构304，设置在第三半导体晶粒300的第二表面300b上并且在第三模塑料302上横向地延伸。在一些实施例中，第三RDL结构304，也称为扇出结构，具有与第三模塑料302的侧壁302b大致对齐的侧壁304a，但是该侧壁304a不垂直对齐第二RDL结构204的侧壁204a或者第一RDL结构104的侧壁104a。例如，第三RDL结构304横向延伸至第二RDL结构204之外，并且第二RDL结构204横向延伸至第一RDL结构104之外。在本实施例中，第三RDL结构304通过导电垫311连接至第三半导体晶粒300。在本实施例中，第三RDL结构304类似于第一RDL结构104或者第二RDL结构204，并且包括：一条或者多条设置在IMD层中的导电线路。导电线路电性耦接至第三半导体晶粒300的导电垫311。另外，导电线路电性耦接至第三模塑料302中的通孔306，使得通孔306电性耦接在第二RDL结构204与第三RDL结构304之间。

在本实施例中，半导体封装结构20中的导电结构(如凸块)400设置在第三RDL结构304上并且电性耦接至第三RDL结构304。

根据前述实施例，由于充当侧壁保护的两个保护层覆盖相邻的堆叠的半导体晶粒之间的RDL结构的侧壁，因此可以防止由于防潮性差而导致的对RDL结构的损伤。另外，由于用于侧壁保护的保护层为对应的模塑料的延伸部，因此没有必要执行额外的用于形成这些保护层的工艺，并且可以防止半导体晶粒与其上覆盖的RDL结构之间或者模塑料与其上覆盖的RDL结构之间的脱层。如此，可以增加半导体封装结构的可靠性、良品率及生产量。

图3为根据本发明一些实施例的半导体封装结构30的横截面示意图。以下描述的该实施例的元件，有相同或者类似于参考图1及图2已描述了的元件的，出于简洁而省略。在本实施例中，半导体封装结构30类似于图2所示的半导体封装结构20。不同于半导体封装结构20，在本实施例中，充当侧壁保护的第一保护层覆盖第二RDL结构202的侧壁204a，第二模塑料202的侧壁202b，第一RDL结构104的侧壁104a及第一模塑料102的侧壁102a。例如，第一保护层为第三模塑料302的延伸部302a’。在此情形中，延伸部302a’沿侧壁204a、202b、104a及102a延伸至底部保护层500，从而完整地覆盖侧壁204a，202b，104a及102a。在一些实施例中，第三RDL结构304的侧壁304a不与第二RDL结构204的侧壁204a或者第一RDL结构104的侧壁104a垂直对齐。例如，第三RDL结构304与第一RDL结构104分别横向延伸至第二RDL结构204之外。另外，第三RDL结构304横向延伸至第一RDL结构104之外。

根据前述实施例，由于充当侧壁保护的保护层覆盖相邻的堆叠的半导体晶粒之间的RDL结构的侧壁，因此可以防止由于防潮性差而导致的对RDL结构的损伤。另外，由于用于侧壁保护的保护层为最上面的模塑料的延伸部，因此没有必要执行任意额外的用于形成保护层的工艺，并且可以防止半导体晶粒与其上覆盖的RDL结构之间或者模塑料与其上覆盖的RDL结构之间的脱层。如此，可以增加半导体封装结构的可靠性、良品率及生产量。

图4为根据本发明一些实施例的半导体封装结构40的横截面示意图。以下描述的该实施例的元件，有相同或者类似于参考图1及图2已描述了的元件的，出于简洁而省略。在本实施例中，半导体封装结构40类似于图2所示的半导体封装结构20。不同于半导体封装结构20，在本实施例中，第二保护层仅覆盖第二RDL结构204的侧壁204a并且设置在第二模塑料202上，使得第二模塑料202的侧壁202b与第二模塑料202的延伸部202a的侧壁202c自第二保护层露出。例如，第二保护层为第三模塑料302的延伸部302a”。在此情形中，延伸部302a”沿侧壁204a延伸至第二模塑料202，从而完整地覆盖侧壁204a。在一些实施例中，第三模塑料302的侧壁302b与第二模塑料202的侧壁202b不垂直对齐，如图4所示。可选地，第三模塑料302的侧壁302b与第二模塑料202的侧壁202b可以大致垂直对齐。在一些实施例中，第三RDL结构304的侧壁304a与第二RDL结构204的侧壁204a或者第一RDL结构104的侧壁104a不垂直对齐。例如，第三RDL结构304与第一RDL结构104分别横向延伸至第二RDL结构204之外。另外，第三RDL结构304可以横向延伸至第一RDL结构104之外或者不横向延伸至第一RDL结构104之外。

根据前述实施例，由于充当侧壁保护的不同的保护层覆盖相邻的堆叠的半导体晶粒之间的RDL结构的侧壁，因此可以防止由于防潮性差而导致的对RDL结构的损伤。另外，由于用于侧壁保护的保护层为对应的模塑料的延伸部，因此没有必要执行任意额外的用于形成保护层的工艺，并且可以防止半导体晶粒与其上覆盖的RDL结构之间或者模塑料与其上覆盖的RDL结构之间的脱层。如此，可以增加半导体封装结构的可靠性、良品率及生产量。

图5为根据本发明一些实施例的半导体封装结构50的横截面示意图。以下描述的该实施例的元件，有相同或者类似于参考图1已描述了的元件的，出于简洁而省略。在本实施例中，除了第一半导体晶粒100’与第一保护层之外，半导体封装结构50类似于图1所示的半导体封装结构10。在本实施例中，第一半导体晶粒100’具有第一表面100a’与相对于该第一表面100a’的第二表面100b’，并且第一半导体晶粒100’具有不同于第二半导体晶粒200的尺寸。例如，第二半导体晶粒200的尺寸小于第一半导体晶粒100’的尺寸。在此情形中，第一半导体晶粒100’可以充当第二半导体晶粒200的载体基底。相应地，设置在第一半导体晶粒100’上的第一RDL结构104不充当第一半导体晶粒100’的扇出层。

在本实施例中，第一保护层覆盖第一RDL结构104的侧壁104a并且填充第一半导体晶粒100’的边缘处形成的开口101’，以便于覆盖开口101’的侧壁100c’。例如，第一保护层为第二模塑料202的延伸部202a。在此情形中，延伸部202a完全覆盖第一RDL结构104的侧壁104a并且部分地露出第一半导体晶粒100’的侧壁100d’。在本实施例中，底部保护层500经由黏合层103’设置在第一半导体晶粒100’的第一表面100a’上，该黏合层500有时称为DAF并且用于在半导体封装结构50的制造期间，使第一半导体晶粒100’附着至载体(未示出)上。类似地，黏合层103’具有与第一半导体晶粒100’的底部的侧壁以及底部保护层500的侧壁大致对齐的侧壁，使得黏合层103’和底部保护层500具有大致相同的宽度，如图5所示。

图6为根据本发明一些实施例的半导体封装结构60的横截面示意图。以下描述的该实施例的元件，有相同或者类似于参考图1及图5已描述了的元件的，出于简洁而省略。在本实施例中，除了第一保护层之外，半导体封装结构60类似于图5所示的半导体封装结构50。在本实施例中，第一保护层覆盖第一RDL结构104的侧壁104a及第一半导体晶粒100’的侧壁100d’。第一保护层充当侧壁保护。例如，第一保护层为第二模塑料202的延伸部202a。在此情形中，延伸部202a完全地覆盖侧壁104a与100d’。

根据前述实施例，由于第一半导体晶粒可以充当其上覆盖的第二半导体晶粒的载体基底，因此没有必要形成围绕第一半导体晶粒的用于支撑其上覆盖的第一RDL结构的模塑料。如此，可以降低制造成本以及简化半导体封装结构的工艺。

类似地，由于充当侧壁保护的保护层覆盖相邻的堆叠的半导体晶粒之间的RDL结构的侧壁，因此可以防止由于防潮性差而导致的对RDL结构的损伤。另外，由于用于侧壁保护的保护层为设置在被保护的RDL结构上的模塑料的延伸部，因此没有必要执行任何额外的用于形成保护层的工艺，并且可以防止半导体晶粒与RDL结构之间或者模塑料与RDL结构之间的脱层。如此，可以增加半导体封装结构的可靠性、良品率及生产量。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。