技术特征：
技术总结
本发明涉及一种利用离子注入增大阶梯区域接触窗口的方法，所述方法包括如下步骤：形成阶梯堆栈；对上述阶梯堆栈进行阶梯刻蚀，形成阶梯区域；对所述阶梯区域进行离子注入，在阶梯区域分别形成呈阶梯状分布的注入氧化物层和注入氮化物层；对离子注入后的阶梯区域进行填充和置换。本发明采用离子注入增大台阶处湿法刻蚀的速率，增大去除氮化硅后的体积，进而加厚了台阶处钨层的厚度，增大工艺的窗口，减少了掩模次数，降低生产成本，该方法增加了字线在阶梯堆栈区的金属厚度，用简单的方法增大了工艺窗口，降低了生产成本。
技术研发人员：姚兰;吕震宇;陈俊
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2017.08.31
技术公布日：2018.02.23