弯曲锥形光子晶体激光器及阵列、阵列光源组的制作方法

本公开属于半导体光电子器件技术领域，涉及一种弯曲锥形光子晶体激光器及阵列、阵列光源组。

背景技术：

半导体激光器是电光转换效率最高的光源，具有覆盖波段范围广、寿命长、能直接调制、体积小、成本低等优点。在激光测距、激光成像、光信息存储等领域具有广泛的应用。早期用于激光测距和激光成像的光源为红宝石激光器和co2气体激光器，但是固体激光器和气体激光器相比于半导体激光器面临体积大、效率低和可靠性差等缺点。并且随着半导体激光器制造工艺的成熟，半导体激光器的输出功率不断提高，成本不断降低，促使以半导体激光器为光源的激光雷达迅速发展，成为激光雷达研究和发展的热点。

在激光雷达装置中，为有效进行激光成像和激光测距，需要光源进行宽角度、大范围、高精度扫描和辐照，其中，扫描范围越大，可成像范围越大，可感知周围的信息越多；用于扫描的光源发散角越小，可获得的数据点越多，成像精度越高。现阶段商用半导体激光器水平发散角在10～25度，垂直发散角约40度，可探测范围有限，并且角分辨率较差，常配合一系列压缩准直光学系统才能使用。为了增加扫描范围，一些商用激光雷达装置将半导体激光器置于可旋转的机台上，通过机台的旋转，增加半导体激光器的扫描范围，不过这显著增加了激光雷达装置的体积、系统复杂性和不稳定性，也增加了其成本。

技术实现要素：

(一)要解决的技术问题

本公开提供了一种一种弯曲锥形光子晶体激光器及阵列、阵列光源组，以至少部分解决以上所提出的技术问题。

(二)技术方案

根据本公开的一个方面，提供了一种弯曲锥形光子晶体激光器，包括：依次相连的脊波导部分，弯曲波导部分和锥形光放大部分；其中，脊波导部分为直波导，弯曲波导部分具有一弧度，锥形光放大部分沿着光输出的方向渐扩。

在本公开的一些实施例中，脊波导部分、弯曲波导部分和锥形光放大部分的外延结构为叠层结构，该叠层结构自下而上依次包括：n型衬底，n型限制层，光子晶体层，有源层，p型限制层，p型盖层；该依次相连的脊波导部分、弯曲波导部分和锥形光放大部分是从叠层结构上表面对p型盖层进行刻蚀形成的，该脊波导部分、弯曲波导部分和锥形光放大部分成为凸出的部分，其余凹陷的部分为刻蚀后剩下的p型盖层。

在本公开的一些实施例中，弯曲锥形光子晶体激光器，还包括：下电极，形成于n型衬底的下方；电绝缘层，位于凹陷的部分之上；以及上电极，位于凸出的部分之上。

在本公开的一些实施例中，脊波导部分为直波导，该脊波导部分的宽度介于300nm～200μm之间；和/或该脊波导的剖面包括：矩形、梯形或者三角形；和/或弯曲波导部分的宽度介于300nm～200μm之间，弯曲半径介于50μm～500μm之间，长度介于50μm～500μm之间；和/或锥形光放大部分的起始端宽度介于300nm～50μm之间，开口角θ1介于0°～15°之间，倾斜角θ2介于0°～15°之间，长度介于50μm～500μm之间。

在本公开的一些实施例中，有源层的结构包括：量子阱、量子线或量子点，有源层的材料为iii-v族半导体材料或ii-vi族半导体材料，该有源层的增益谱峰值波长范围覆盖近紫外到红外波段；和/或电绝缘层的材料包括：sio2、sin4或al2o3。

根据本公开的另一个方面，提供了一种弯曲锥形光子晶体激光器阵列，包括：至少两个本公开提到的任一种弯曲锥形光子晶体激光器。

在本公开的一些实施例中，通过改变每个弯曲锥形光子晶体激光器中脊波导的长度，弯曲波导部分的半径和长度，以及锥形光放大部分的开口角和倾斜角，在保证不同部分的波导模式匹配的条件下，实现不同偏角的侧向远场输出。

在本公开的一些实施例中，各个弯曲锥形光子晶体激光器之间的间距介于300nm～500μm之间，这里的间距含义为脊波导部分之间的间距。

根据本公开的又一个方面，提供了一种阵列光源组，包括至少两个上、下排布的弯曲锥形光子晶体激光器阵列，通过空间上的移位和各自弯曲锥形光子晶体激光器的不同排布，以实现上、下至少两个光子晶体激光器阵列远场侧向偏角呈交错分布。

在本公开的一些实施例中，弯曲锥形光子晶体激光器阵列的个数为n个，包括：第一光源阵列，第二光源阵列，...，第i个光源阵列，...，第n个光源阵列；其中，n≥2；第一光源阵列中发光单元的侧向偏角输出包括：...，-4°，0°，4°，8°，...；在第i个光源阵列中发光单元的侧向偏角输出包括：...，(ki-4)°，ki°，(ki+4)°，(ki+8)°，...；其中，i＝1，2，...，n，n为阵列的总个数；ki为第i个光源阵列与前一个光源阵列的偏角错位值。

在本公开的一些实施例中，阵列光源组的成像区域覆盖-30°至30°的范围，且该阵列光源组的角分辨率优于2°。

(三)有益效果

从上述技术方案可以看出，本公开提供的弯曲锥形光子晶体激光器及阵列、阵列光源组，具有以下有益效果：

通过引入光子晶体结构，调控腔内模式实现较窄的垂直和水平发散角，简化了光学准直、压缩系统，并且通过合理设计波导结构，使不同部分的波导模式匹配，在不需要旋转机台的情况下便可实现多角度、宽范围的激光输出，且增加了激光辐照和扫描的范围和精度，具有可调的、较低的角分辨率，结构紧凑，稳定性高，成本低，在激光测距、激光成像、激光雷达等领域中具有广阔的应用前景。

附图说明

图1为根据本公开实施例面向激光成像的弯曲锥形光子晶体激光器阵列的俯视图。

图2为根据本公开实施例面向激光成像的阵列光源组的主视图。

图3为根据本公开实施例面向激光成像的弯曲锥形光子晶体激光器的水平远场图。

图4为根据本公开实施例面向激光成像的弯曲锥形光子晶体激光器的垂直远场图。

图5a为根据本公开实施例第一光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置0°角处示意图。

图6a为根据本公开实施例第一光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置4°角处示意图。

图7a为根据本公开实施例第一光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置8°角处示意图。

图8a为根据本公开实施例第一光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置12°角处示意图。

图9a为根据本公开实施例第一光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置16°角处示意图。

图10a为根据本公开实施例第一光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置20°角处示意图。

图11a为根据本公开实施例第一光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置24°角处示意图。

图12a为根据本公开实施例第一光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置28°角处示意图。

图5b为根据本公开实施例第二光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置2°角处示意图。

图6b为根据本公开实施例第二光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置6°角处示意图。

图7b为根据本公开实施例第二光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置10°角处示意图。

图8b为根据本公开实施例第二光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置14°角处示意图。

图9b为根据本公开实施例第二光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置18°角处示意图。

图10b为根据本公开实施例第二光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置22°角处示意图。

图11b为根据本公开实施例第二光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置26°角处示意图。

图12b为根据本公开实施例第二光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置30°角处示意图。

【符号说明】

101-下电极；102-n型衬底；

103-n型限制层；104-光子晶体层；

105-有源层；106-p型限制层；

107-p型盖层；108-电绝缘层；

109-上电极；

3-脊波导部分；4-弯曲波导部分；

5-锥形光放大部分。

具体实施方式

本公开提供了一种弯曲锥形光子晶体激光器及阵列、阵列光源组，通过引入光子晶体结构，调控腔内模式实现较窄的垂直和水平发散角，简化了光学准直、压缩系统，并且通过合理设计波导结构，使不同部分的波导模式匹配，在不需要旋转机台的情况下便可实现多角度、宽范围的激光输出，且增加了激光辐照和扫描的范围和精度，具有可调的、较低的角分辨率，结构紧凑，稳定性高，成本低，在激光测距、激光成像、激光雷达等领域中具有广阔的应用前景。

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。

本公开通过合理设计和优化波导结构，使激光出射方向偏离轴向方向一定的角度，并且改变波导结构可以实现不同的角度出射，从而实现多角度宽范围的激光输出，增加激光的辐照和扫描范围。同时光子晶体可以调控腔内模式实现水平发散角仅为4度，垂直发散角小于10度，可以有效简化光学系统的复杂度。

在本公开的第一个示例性实施例中，提供了一种弯曲锥形光子晶体激光器。

图1为根据本公开实施例面向激光成像的弯曲锥形光子晶体激光器阵列的俯视图。图2为根据本公开实施例面向激光成像的阵列光源组的主视图。

参照图1和图2中某一个发光单元所示，本公开的弯曲锥形光子晶体激光器，包括：依次相连的脊波导部分3，弯曲波导部分4和锥形(taper)光放大部分5；其中，脊波导部分3为直波导，弯曲波导部分具有一弧度，锥形光放大部分沿着光输出的方向渐扩。

下面结合图1和图2，对本公开的弯曲锥形光子晶体激光器的各个部分进行详细介绍。

参照图2所示，脊波导部分3、弯曲波导部分4和锥形光放大部分5的外延结构为叠层结构，包括：n型衬底102；下电极101，形成于n型衬底102的下表面；n型限制层103，形成于n型衬底102的上表面；光子晶体层104，形成于n型限制层103之上；有源层105，形成于光子晶体层104之上；p型限制层106，形成于有源层105之上；及p型盖层107，形成于p型限制层106之上；该依次相连的脊波导部分3、弯曲波导部分4和taper光放大部分5是从叠层结构上表面对p型盖层107进行刻蚀形成的，凸出的部分包括：脊波导部分3、弯曲波导部分4和锥形光放大部分5，凹陷的部分为刻蚀后剩下的p型盖层107上表面；电绝缘层108，位于凹陷的部分之上；上电极109，位于凸出的部分中的p型盖层107之上。

参照图1所示，脊波导部分3的长度为d1，该长度表示脊波导部分3沿着y方向的长度；弯曲波导部分4具有一弧度，其弧长对应的半径为r，该弯曲波导部分4沿着v方向的长度为d2；锥形光放大部分5沿着光输出的方向渐扩，具有一开口角θ1，一倾斜角θ2，其中，开口角为该锥形光放大部分的两边形成的张角，倾斜角为较为倾斜的一边与y轴正方向的夹角，通过这两个参数可以确定该锥形光放大部分5的走向和张口大小；该锥形光放大部分5沿着y方向的长度为d3。

本实施例中，脊波导部分3为直波导，脊波导部分3的宽度介于300nm～200μm之间；该脊波导的剖面包括但不限于是：矩形、梯形或者三角形。

本实施例中，弯曲波导部分4的宽度介于300nm～200μm之间，弯曲半径介于50μm～500μm之间，长度介于50μm～500μm之间。

本实施例中，锥形光放大部分5的起始端宽度介于300nm～50μm之间，开口角θ1介于0°15°之间，倾斜角θ2介于0°～15°之间，其长度介于50μm～500μm之间。

本实施例中，光子晶体层104为常见的光子晶体结构，但本公开不限于此，也可以是其他对称和非对称波导结构。

本实施例中，有源层105采用的结构包括：量子阱、量子线或量子点，采用的材料为iii-v族半导体材料或ii-vi族半导体材料，增益谱峰值波长范围覆盖近紫外到红外波段。

本实施例中，电绝缘层108的材料包括：sio2、sin4或al2o3等。

本实施例中，采用发射波长是980nm的gaas衬底的光子晶体半导体激光器的外延片进行该弯曲锥形光子晶体激光器的制作。制作过程主要包括：一、制作外延片：在gaas衬底上依次生长n型限制层、光子晶体层、有源层、p型限制层以及p型盖层，制备出外延片；二、制作脊波导部分，弯曲波导部分和taper光放大部分：通过基本的光刻、感应耦合等离子体刻蚀(icp)工艺刻蚀出脊波导部分，弯曲波导部分和taper光放大部分；三、制作电极和电绝缘层：在整个外延片上沉积一层二氧化硅绝缘材料，再通过光刻和湿法刻蚀将注入区台面上的二氧化硅刻蚀掉，形成注入窗口，最后在p面生长ti/pt/au材料作为正面电极，衬底减薄之后在n面生长金锗镍金材料作为背面电极。

该脊波导部分3、弯曲波导部分4和taper光放大部分5，可以一致进行电注入形成taper激光器，或者通过在电极109上，在弯曲波导部分4和taper光放大部分5之间制作电隔离区，形成主控振荡器的功率放大器(mopa)结构。

在本公开的第二个示例性实施例中，提供了一种弯曲锥形光子晶体激光器阵列，一个弯曲锥形光子晶体激光器阵列中至少包括2个第一实施例所示的弯曲锥形光子晶体激光器；通过改变每个弯曲锥形光子晶体激光器中脊波导部分3的长度、弯曲波导部分4的半径和长度，以及taper光放大部分5的开口角和倾斜角，在保证不同部分的波导模式匹配的条件下，实现不同偏角的侧向远场输出。

每个弯曲锥形光子晶体激光器之间的间距相同或不同，形成的阵列以均匀或不均匀的方式进行排布；各个发光单元之间的间距介于300nm～500μm之间，这里以脊波导之间的间距为准。

本实施例中，弯曲锥形光子晶体激光器阵列中有17个弯曲锥形光子晶体激光器，其中从左至右位于中间的第9个发光单元，其光束指向0度角处，其他16个发光单元成镜像对称分布于该发光单元两侧，成像区域覆盖-30度至30度范围区域。

图3为根据本公开实施例面向激光成像的弯曲锥形光子晶体激光器的水平远场图。图4为根据本公开实施例面向激光成像的弯曲锥形光子晶体激光器的垂直远场图。

参照图3和图4可知，本实施例中的弯曲锥形光子晶体激光器阵列通过调控腔内模式，实现的水平发散角仅为4°，如图3中半峰宽的值为4°所示；垂直发散角小于10°，如图4中半峰宽的值为9.2°所示。

那么由上可知，一个弯曲锥形光子晶体激光器阵列在水平方向能够实现的角度精度最小为4°，为了能够实现更低精度的角度调控，本公开提供了第三个实施例所示的包含多个上、下排布弯曲锥形光子晶体激光器阵列的光子晶体激光器，通过将每个弯曲锥形光子晶体激光器阵列中进行空间上的移位和各自弯曲锥形光子晶体激光器的不同排布，以实现上下两个光子晶体激光器阵列的远场侧向偏角呈交错分布，进而实现更小精度的角度输出调节。

在本公开的第三个示例性实施例中，提供了包括两个弯曲锥形光子晶体激光器阵列的阵列光源组，这两个弯曲锥形光子晶体激光器阵列上、下排布，通过空间上的移位和各自弯曲锥形光子晶体激光器的不同排布，以实现上、下两个弯曲锥形光子晶体激光器阵列的远场侧向偏角呈交错分布，进而实现更小精度的角分辨率调节。

参照图2所示，在本实施例中，上、下两个弯曲锥形光子晶体激光器阵列对应排布，将图2所示的上方的光源阵列称为第一光源阵列，下方的光源阵列称为第二光源阵列，其中，在第一光源阵列中，包括15个弯曲锥形光子晶体激光器，该第一光源阵列的发光单元的侧向偏角输出为：0°，4°，8°，...，28°；在第二光源阵列中，包括16个弯曲锥形光子晶体激光器，该第二光源阵列的发光单元的侧向偏角输出为：2°，6°，10°，...，30°。这两个弯曲锥形光子晶体激光器阵列的侧向偏角输出存在一个偏角错位值，本实施例中为2°，从而实现了更低的角分辨率。

由此，为实现更低的角分辨率，光子晶体阵列光源可拓展至多个阵列。按照上述类似的方式，在第一光源阵列中发光单元的侧向偏角输出包括：0°，4°，8°，...；在第i个光源阵列中发光单元的侧向偏角输出包括：ki°，(ki+4)°，(ki+8)°，...；其中，i＝1，2，...，n，n为阵列的总个数；ki为第i个光源阵列与前一个光源阵列的偏角错位值，只要符合实际的器件的参数和需求，可以进行相应的偏角错位值和阵列个数的匹配选择；另外，参照第二个实施例中的情形，该输出角也可以是负的角度，按照镜像对称分布的形式进行发光单元的排布便可实现。

图5a为根据本公开实施例第一光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置0°角处示意图。参照图5a所示，本实施例中，远场输出光斑位于水平位置0°角处，其中脊波导部分的长度为800nm，无弯曲波导部分，taper光放大部分的长度为400nm，开口角为2°，无倾斜角。

图6a为根据本公开实施例第一光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置4°角处示意图。参照图6a所示，本实施例中，远场输出光斑位于水平位置4°角处，其中脊波导部分的长度为500nm，弯曲波导部分的半径为1mm，taper光放大部分长度为400nm，开口角为2°，倾斜角为1°。

图7a为根据本公开实施例第一光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置8°角处示意图。参照图7a所示，本实施例中，远场输出光斑位于水平位置8°角处，其中脊波导部分的长度为300nm，弯曲波导部分的半径为1mm，taper光放大部分的长度为400nm，开口角为2°，倾斜角为2.5°。

图8a为根据本公开实施例第一光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置12°角处示意图。参照图8a所示，本实施例中，远场输出光斑位于水平位置12°角处，其中脊波导部分的长度为200nm，弯曲波导部分的半径为1mm，taper光放大部分的长度为400nm，开口角为2°，倾斜角为3°。

图9a为根据本公开实施例第一光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置16°角处示意图。参照图9a所示，本实施例中，远场输出光斑位于水平位置16°角处，其中脊波导部分的长度为100nm，弯曲波导部分的半径为1mm，taper光放大部分的长度为400nm，开口角为2°，倾斜角为3.5°。

图10a为根据本公开实施例第一光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置20°角处示意图。参照图10a所示，本实施例中，远场输出光斑位于水平位置20°角处，其中脊波导部分的长度为100nm，弯曲波导部分的半径为1mm，taper光放大部分的长度为400nm，开口角为2°，倾斜角为4.5°。

图11a为根据本公开实施例第一光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置24°角处示意图。参照图11a所示，本实施例中，远场输出光斑位于水平位置24°角处，其中脊波导部分的长度为100nm，弯曲波导部分的半径为1mm，taper光放大部分的长度为400nm，开口角为2°，倾斜角为5.5°。

图12a为根据本公开实施例第一光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置28°角处示意图。参照图12a所示，本实施例中，远场输出光斑位于水平位置28°角处，其中脊波导部分的长度为100nm，弯曲波导部分的半径为1mm，taper光放大部分的长度为400nm，开口角为2°，倾斜角为6.5°。

图5b为根据本公开实施例第二光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置2°角处示意图。参照图5b所示，本实施例中，远场输出光斑位于水平位置2°角处，其中脊波导部分的长度为100nm，弯曲波导部分的半径为1mm，taper光放大部分的长度为400nm，开口角为1.5°，倾斜角为0.5°。

图6b为根据本公开实施例第二光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置6°角处示意图。参照图6b所示，本实施例中，远场输出光斑位于水平位置6°角处，其中脊波导部分的长度为100nm，弯曲波导部分的半径为1mm，taper光放大部分的长度为400nm，开口角为1.5°，倾斜角为1.5°。

图7b为根据本公开实施例第二光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置10°角处示意图。参照图7b所示，本实施例中，远场输出光斑位于水平位置10°角处，其中脊波导部分的长度为100nm，弯曲波导部分的半径为1mm，taper光放大部分的长度为400nm，开口角为1.5°，倾斜角为2.5°。

图8b为根据本公开实施例第二光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置14°角处示意图。参照图8b所示，本实施例中，远场输出光斑位于水平位置14°角处，其中脊波导部分的长度为100nm，弯曲波导部分的半径为1mm，taper光放大部分的长度为400nm，开口角为1.5°，倾斜角为3.5°。

图9b为根据本公开实施例第二光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置18°角处示意图。参照图9b所示，本实施例中，远场输出光斑位于水平位置18°角处，其中脊波导部分的长度为100nm，弯曲波导部分的半径为1mm，taper光放大部分的长度为400nm，开口角为1.5°，倾斜角为4.5°。

图10b为根据本公开实施例第二光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置22°角处示意图。参照图10b所示，本实施例中，远场输出光斑位于水平位置22°角处，其中脊波导部分的长度为100nm，弯曲波导部分的半径为1mm，taper光放大部分的长度为400nm，开口角为1.5°，倾斜角为5°。

图11b为根据本公开实施例第二光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置26°角处示意图。参照图11b所示，本实施例中，远场输出光斑位于水平位置26°角处，其中脊波导部分的长度为100nm，弯曲波导部分的半径为1mm，taper光放大部分的长度为400nm，开口角为1.5°，倾斜角为6°。

图12b为根据本公开实施例第二光源阵列中单个弯曲锥形光子晶体激光器的远场输出光斑位于水平位置30°角处示意图。参照图12b所示，本实施例中，远场输出光斑位于水平位置30°角处，其中脊波导部分的长度为100nm，弯曲波导部分的半径为1mm，taper光放大部分的长度为400nm，开口角为1.5°，倾斜角为6.5°。

综上所述，本公开提供了一种弯曲锥形光子晶体激光器及阵列、阵列光源组，通过引入光子晶体结构，调控腔内模式实现较窄的垂直和水平发散角，简化了光学准直、压缩系统，并且通过合理设计波导结构，使不同部分的波导模式匹配，在不需要旋转机台的情况下便可实现多角度、宽范围的激光输出，且增加了激光辐照和扫描的范围和精度，具有可调的、较低的角分辨率，结构紧凑，稳定性高，成本低，在激光测距、激光成像、激光雷达等领域中具有广阔的应用前景。

需要说明的是，实施例中提到的方向用语，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向，并非用来限制本公开的保护范围。贯穿附图，相同的元素由相同或相近的附图标记来表示。在可能导致对本公开的理解造成混淆时，将省略常规结构或构造。并且图中各部件的形状和尺寸不反映真实大小和比例，而仅示意本公开实施例的内容。另外，在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。

除非有所知名为相反之意，本说明书及所附权利要求中的数值参数是近似值，能够根据通过本公开的内容所得的所需特性改变。具体而言，所有使用于说明书及权利要求中表示组成的含量、反应条件等等的数字，应理解为在所有情况中是受到「约」的用语所修饰。一般情况下，其表达的含义是指包含由特定数量在一些实施例中±10％的变化、在一些实施例中±5％的变化、在一些实施例中±1％的变化、在一些实施例中±0.5％的变化。

再者，单词“包含”或“包括”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。

说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”、“第三”等的用词，以修饰相应的元件，其本身并不意味着该元件有任何的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一元件得以和另一具有相同命名的元件能做出清楚区分。

类似地，应当理解，为了精简本公开并帮助理解各个公开方面中的一个或多个，在上面对本公开的示例性实施例的描述中，本公开的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本公开要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如下面的权利要求书所反映的那样，公开方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本公开的单独实施例。

以上所述的具体实施例，对本公开的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本公开的具体实施例而已，并不用于限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。