技术特征：
技术总结
实施方式提供一种可靠性较高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备基板、层叠体和第2绝缘膜。上述层叠体设在上述基板上。在上述层叠体中，以在沿着上述基板的上表面的第1方向上延伸的方式交替地层叠有第1绝缘膜和电极膜。上述层叠体的上述第1方向的端部的形状是台阶状。上述第2绝缘膜设在设有上述端部的第1区域和在上述第1方向上与上述第1区域相邻的第2区域中。上述第2绝缘膜在上述第2区域中具有与上述第1方向交叉并沿着上述基板的上表面的第2方向的宽度比上述第1区域内的上述第2方向的宽度小的部分。
技术研发人员：织田达广;伊藤祥代
受保护的技术使用者：东芝存储器株式会社
技术研发日：2017.10.27
技术公布日：2018.10.09